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[发明专利]一种直拉硅单晶提拉速度-晶体直径辨识模型建模方法-CN201910026707.2有效
发明人：刘丁;张晶 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：本发明一种直拉硅单晶提拉速度‑晶体直径辨识模型建模方法，具体按照如下步骤进行：步骤1、多次采样，记录直拉硅单晶在不同采样时刻k下的提拉速度和晶体直径，形成不同采样时刻k下的多组数据对；步骤2、确定得到具体的关于直拉硅单晶的提拉速度和晶体直径的离散时间非线性系统模型表达式；步骤3、对DBN网络进行训练；步骤4、将训练好的DBN网络作为直拉硅单晶提拉速度‑晶体直径辨识模型。本发明一种直拉硅单晶提拉速度‑晶体直径辨识模型建模方法解决了现有技术采用DBN网络进行训练存在的不足。
一种直拉硅单晶提拉速度晶体直径辨识模型建模方法

[发明专利]直拉硅单晶的收尾方法及直拉硅单晶的制备方法-CN201710094187.X有效
发明人：王思锋;潘永娥;潘得俊 -专利权人：宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种直拉硅单晶的收尾方法，其包括如下步骤：S1、将炉温的设置参数调大至预定的收尾温度，并控制晶体等径生长；S2、在炉温的设置参数调大后的20～30min后，控制并降低埚升为1～3mm/hr，使晶体进入第一段收尾生长；S3、在第一段收尾生长结束后，将晶体的拉速降低，同时控制坩埚静止，使晶体进入第二段收尾生长；S4、在第二段收尾生长结束后，将晶体的拉速提高到所述第一段收尾生长时晶体拉速的90％～120％，使晶体进入第三段收尾生长上述直拉硅单晶的收尾方法，减小晶体收尾长度，增大等径部分长度，成品率高，材料浪费少。另其收尾时间短，节约成本。本发明还公开了一种直拉硅单晶的制备方法。
直拉硅单晶收尾方法制备

[发明专利]直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置-CN200710058315.1有效
发明人：任丙彦;任丽 -专利权人：任丙彦
申请日： 2007-07-19 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置。该装置是专门用于生长掺镓硅单晶热场装置。单晶炉中装料，降籽晶，下降引细径，晶转提拉，等径生长，控制压力、拉速、氩气流速和晶转，调埚位保持导流筒下沿与液面之间的距离和埚转，按常规工艺调节、收尾和冷却；其中细径拉速为1.5～6.5mm/分钟，细径长度不小于160mm，细径直径≤3mm；转肩拉速1.6～2.6mm/分钟，转肩1/2后拉速调至1.2mm/分钟。本发明掺镓硅单晶的电阻率在投料量42～45公斤的Φ16″热装置下生长的Φ150mm，P<100>硅单晶的电阻率为0.5Ω·cm～3Ω·cm，从头部至尾部完全分布在所需的电阻率范围之内，为高效太阳能电池的提高效率并抑制效率衰减创造了工业化的基础
直拉法生长掺镓硅单晶方法装置

[发明专利]直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置-CN200910032626.X无效
发明人：施海明;陆景刚;张锦根;鄂林 -专利权人：镇江环太硅科技有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及18吋太阳能用硅单晶片的生产设备，具体是一种用直拉法生产硅单晶的生产设备中的直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置。本发明可以保证在拉晶时有较高的拉速，较好的固液界面形状，气体在装置内的分布合理，有利于太阳能用单晶在较高的拉速下生长，获得平坦的固液界面。
直拉法生产 18 太阳能用硅单晶装置

[实用新型]直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置-CN200920042951.X无效
发明人：施海明;陆景刚;张锦根;鄂林 -专利权人：镇江环太硅科技有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及18吋太阳能用硅单晶片的生产设备，具体是一种用直拉法生产硅单晶的生产设备中的直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置。本实用新型可以保证在拉晶时有较高的拉速，较好的固液界面形状，气体在装置内的分布合理，有利于太阳能用单晶在较高的拉速下生长，获得平坦的固液界面。
直拉法生产 18 太阳能用硅单晶装置

[发明专利]用直拉区熔法制备6英寸P型太阳能硅单晶的方法-CN201110306525.4无效
发明人：李立伟;王彦君;王岩;张雪囡;高树良;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及用直拉区熔法制备6英寸P型太阳能硅单晶的方法，首先用直拉法工艺完成清理直拉炉膛、装料、抽真空、充氩气、加热化料、引晶、拉细颈、放肩、收肩、等径、收尾、提起降温、出炉过程；然后进行锭形加工、清洗腐蚀，符合区熔用料标准后，再用区熔的方法继续拉制气掺单晶，运用气相掺杂区熔硅单晶方法结合硅单晶CFZ生产方法，通过控制抽空充气，掺杂气体浓度，拉晶工艺参数范围，使工艺方法满足生产6英寸P型太阳能硅单晶的要求
用直拉区熔法制英寸太阳能硅单晶方法

[发明专利]用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法-CN201210032561.0无效
发明人：王彦君;张雪囡;王岩;徐强;高树良;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶的制备工艺，特别涉及一种用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法。其特征在于，首先用直拉法进行硅多晶料的拉制；然后进行锭形加工、清洗腐蚀，再用区熔气掺的方法继续拉制掺杂的硅单晶，本发明的有益效果是：运用气相掺杂区熔硅单晶方法结合直拉硅单晶生产方法，通过控制抽空充气，掺杂气体浓度，掺杂气通入量，拉晶工艺参数范围，使工艺方法满足了生产6英寸N型太阳能硅单晶的要求。
用直拉区熔法制英寸太阳能硅单晶方法

[发明专利]一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法-CN202011542807.X在审
发明人：王万华;李英涛;皮小争;崔彬;吴志强;刘斌 -专利权人：有研半导体材料有限公司;山东有研半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法，其特征在于，在单晶的收尾过程中，通过控制收尾的拉速和温度，使尾部形状中出现一段与等径部分形状相同的圆柱形；如果收尾完好，可以清晰的看到“胞线”，表明硅单晶尾部无位错，单晶完好；如果收尾不完好，可以明显看到“断胞”的位置；从“断胞”的位置反切1.08～1.15倍直径，获得无位错硅单晶。本发明通过改进直拉法生长重掺锑硅单晶的收尾工艺，控制尾部形状，可以准确判断出“断胞”位置，从而得到无位错硅单晶。
一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶方法

[发明专利]一种硅单晶的生长方法-CN201910899811.2在审
发明人：王刚;沈伟民;黄瀚艺;陈伟德 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种硅单晶的生长方法，所述生长方法包括：确定设定拉速，所述设定拉速在理想拉速上下呈周期性变化；将晶体温度控制在1200℃以上，按照所述设定拉速进行提拉，以生长硅单晶。本发明提供的硅单晶的生长方法减少硅单晶中的原生缺陷，从而形成完美晶体，并且能够扩展硅单晶生长的工艺窗口。
硅单晶拉速生长硅单晶生长周期性变化工艺窗口原生缺陷提拉

[发明专利]获取硅单晶最佳拉速以制备高BMD密度12英寸外延片的方法-CN202210364769.6在审
发明人：黄飞;周迎朝;武卫 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种获取硅单晶最佳拉速以制备高BMD密度12英寸外延片的方法，该方法在拉制单颗单晶的过程中逐步降低拉晶速率，通过比较不同速率下拉制的单晶外延片热处理后的BMD密度来确定适合的拉晶速率。该实验工艺包括以下步骤：S1、首先采用直拉法在磁场下逐步降低拉晶速率制备12英寸重掺硼硅单晶棒；S2、然后将单晶棒依次进行线切、倒角、减薄、抛光、清洗处理，得到抛光片；S3、在抛光片表面外延生长单晶硅；S4、对不同拉速下得到的单晶的抛光片和以其为衬底制备的外延片进行热处理；S5、测量热处理后抛光片和外延片的BMD密度，并通过对比和分析得出实验结果。
获取硅单晶最佳制备 bmd 密度 12 英寸外延方法

[发明专利]一种直拉法硅单晶新型扩肩方法-CN202111152823.2在审
发明人：景吉祥;李雪峰;高润飞 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉法硅单晶新型扩肩方法，包括：实时检测单晶长度和单晶直径，计算所述单晶实际斜率；将所述单晶实际斜率与所述单晶最优斜率范围进行对比，若所述单晶实际斜率在所述单晶最优斜率范围内，则所述单晶的实际拉速为设定拉速；若所述单晶实际斜率不在所述单晶最优斜率范围内，则所述单晶的实际拉速发生变化，为拉速系数z×所述设定拉速，直至所述单晶扩肩完成。本发明的有益效果是在现有逻辑基础上增加扩肩斜率判断，将设定斜率与实时斜率进行范围的比对，能够快速准确的显示出炉内单晶扩肩的真实情况，并且根据实际情况进行拉速的调整，提高整体单晶的成活率，解决目前进行扩肩工艺时存在滞后性，导致单晶扩肩成活率低的问题。
一种直拉法硅单晶新型方法

[发明专利]硅熔体连续加注的直拉硅单晶生长炉及其方法-CN201110407848.2无效
发明人：曾泽斌 -专利权人：曾泽斌
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅熔体连续加注的直拉硅单晶生长炉及其方法。由提拉头、副炉室、隔离阀、炉体、上部保温罩、加热器、坩埚升降旋转机构、石墨坩埚、坩埚、钢丝绳、夹头等组成单晶提拉部分，由小炉筒、加料仓，隔离阀、加料和称重装置、连续熔化管，隔热体、加热器、熔体温度稳定管等构成熔体连续加注部分，实现多晶硅的连续熔化和硅单晶的连续生长。本发明能将相邻两次打开单晶炉的间隔时间延长到30天以上，能有效降低坩埚的尺寸、降低直拉硅单晶生长方法的能耗，提高了生产效率，也能有效降低直拉硅单晶生长方法的氧含量。
硅熔体连续加注直拉硅单晶生长及其方法

[发明专利]重掺砷硅单晶收尾方法及装置-CN202110794760.4在审
发明人：闫龙;张兴茂;周文辉;李小红;伊冉;王忠保 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种重掺砷硅单晶收尾方法及装置，属于重掺杂硅单晶生产技术领域。方法根据等径结束后的埚跟比，首先计算理论拉速上调比例X，以该理论拉速上调比例调节进入收尾时的单晶拉速，进行收尾工序。收尾过程中，根据收尾长度，计算拉速上调比例X，逐级调大单晶拉速，直至收尾结束。实践表明，通过本发明提供的重掺砷硅单晶收尾方法能够有效替代人工主观调整，降低劳动强度，减缓重掺砷硅单晶收尾过程对技术人员的主观依赖。同时，采用本发明提供的重掺砷硅单晶收尾方法能够有效降低重掺砷硅单晶晶棒的尾部NG率，提高重掺砷硅单晶晶棒的良率，收尾NG率由传统技术人员进行调整的45%降低至15%，减少硅原料损失，降低生产成本。
重掺砷硅单晶收尾方法装置

[发明专利]一种直拉单晶生产中晶体直径检测方法、系统及设备-CN202011296961.3有效
发明人：唐东明;司泽;陈俊良;周瑾 -专利权人：北京图知天下科技有限责任公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉单晶生产中晶体直径检测方法、系统及设备，属于直拉式单晶硅生产领域，通过获取熔融硅液表面图像，所述图像包括硅单晶棒和硅溶液的固液界面形成的光圈；根据所述图像拟合出圆的直径，对晶体直径进行计算，得出硅单晶直径的测量值；根据硅单晶直径的测量值，调整拉速和热场温度对直径进行控制，使得晶体直径的变化在预设范围内。
一种直拉单晶生产晶体直径检测方法系统设备

[发明专利]生产高强度直拉硅单晶用的籽晶的制备方法-CN200410053863.1无效
发明人：杨德仁;余学功;李东升;马向阳;阕端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2004-08-17 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明的生产高强度直拉硅单晶用的籽晶的制备方法，步骤如下：选择间隙氧浓度在(3～30)×10¹⁷cm^－3直拉硅单晶，先在350～1300℃温度范围热处理10分钟～60小时，然后，再将硅单晶切割加工成圆柱形或长方形籽晶；或者首先将间隙氧浓度在(3～30)×10¹⁷cm^－3直拉硅单晶切割加工成圆柱形或长方形籽晶，然后，再在本发明方法简单易行，通过选择适当氧浓度的直拉硅单晶进行热处理，使得直拉硅单晶体内生成一定量的氧沉淀，这些氧沉淀可以增加硅单晶的机械强度。由此也就获得了高机械强度的籽晶，用于直拉硅单晶的生长，可有效提高直拉硅单晶生长的生产效率。
生产强度直拉硅单晶用籽晶制备方法

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