“电荷阻挡材料”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2334346个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]存储器阵列及用以形成存储器阵列的方法-CN202080013518.2在审
发明人： B·布尚;C·M·卡尔森;C·豪德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-01-28 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：形成沿所述垂直交替层竖向延伸的第一电荷阻挡材料。所述第一电荷阻挡材料具有至少7.0的k且包括金属氧化物。在所述第一电荷阻挡材料的横向内形成第二电荷阻挡材料。所述第二电荷阻挡材料具有小于7.0的k。在所述第二电荷阻挡材料的横向内形成存储材料。在所述存储材料的横向内形成绝缘电荷通过材料。在所述绝缘电荷通过材料的横向内形成沿所述绝缘层及所述字线层竖向延伸的通道材料。本发明公开结构实施例。
存储器阵列用以形成方法

[发明专利]一种测量绝缘材料电离及电荷迁移参数的试样结构及方法-CN201910702593.9有效
发明人：任双赞;吴经锋;吴昊;刘晶;郝东新;牛博;杨传凯;尚宇;吴锴;吴洋 -专利权人：国网陕西省电力公司电力科学研究院;西安交通大学
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量绝缘材料电离及电荷迁移参数的试样结构及方法，试样结构，由第一阻挡材料、被测材料和第二阻挡材料组成，使用电导率远低于被测材料并且具有高注入阈值的阻挡材料，能够实现阻挡电极对试样进行电荷的注入和被测材料中的电荷向外迁移测量方法采用了改进的电声脉冲(PEA)法空间电荷测量装置，将被测试样结构放入测量装置中，通过恒温循环油浴将试样结构加热到指定温度，利用PEA法测量温度、电场条件下被测材料试样中材料电离产生的空间电荷特性本发明主要测量绝缘材料中电离产生的空间电荷特性。
一种测量绝缘材料电离电荷迁移参数试样结构方法

[发明专利]存储器单元、存储器阵列以及形成存储器阵列的方法-CN201880077048.9在审
发明人：金昌汉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一些实施例包含一种存储器单元，所述存储器单元具有导电栅极，并且具有邻近于所述导电栅极的电荷阻挡区域。所述电荷阻挡区域包含氮氧化硅和二氧化硅。电荷存储区域邻近于所述电荷阻挡区域。隧穿材料邻近于所述电荷存储区域。沟道材料邻近于所述隧穿材料。所述隧穿材料位于所述沟道材料与所述电荷存储区域之间。一些实施例包含存储器阵列。一些实施例包含形成组合件(例如，存储器阵列)的方法。
存储器单元阵列以及形成方法

[发明专利]包含含钌导电栅极的组合件-CN202080032717.8在审
发明人： R·甘地 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：电荷阻挡区邻近于所述导电栅极，电荷存储区邻近于所述电荷阻挡区，隧穿材料邻近于所述电荷存储区，且沟道材料邻近于所述隧穿材料。一些实施例包含一种具有交替的绝缘层级与字线层级的竖直堆叠的组合件。所述字线层级含有包含钌的导电字线材料。半导体材料作为沟道结构延伸穿过所述堆叠。电荷存储区在所述导电字线材料与所述沟道结构之间。电荷阻挡区在所述电荷存储区与所述导电字线材料之间。
包含导电栅极组合

[发明专利]存储器单元及形成存储器单元的方法-CN201811588942.0在审
发明人：刘海涛;K·M·卡尔达;A·法鲁辛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L27/11502 文献下载
摘要：可编程电荷存储晶体管包括沟道材料、绝缘电荷通道材料、电荷存储材料、控制栅极，及所述电荷存储材料与所述控制栅极之间的电荷阻挡材料。所述电荷阻挡材料包括非铁电绝缘体材料及铁电绝缘体材料。
存储器单元存储器单元串电荷存储材料电荷阻挡材料控制栅极竖向延伸电荷存储晶体管电绝缘体材料铁电绝缘体电荷通道沟道材料可编程申请案非铁绝缘

[发明专利]摄像装置-CN202180027760.X在审
发明人：饭岛浩章;岸本有子;平出雅哉;田中真司 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：多个像素分别包括：第1电极；第2电极；光电变换层，位于第1电极与第2电极之间，含有供体性半导体材料及受体性半导体材料，生成电子和空穴的对；第1电荷阻挡层，位于第1电极与光电变换层之间；第2电荷阻挡层，位于第2电极与光电变换层之间；以及电荷积蓄区域，与第2电极电连接，积蓄空穴。受体性半导体材料的电子亲和力与第1电荷阻挡层的电子亲和力之差比供体性半导体材料的电离势与第2电荷阻挡层的电离势之差大。
摄像装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法以及数据存储系统-CN202211324701.1在审
发明人：李奉镕;李昇原 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：基板；堆叠结构，包括第一栅极层、第一层间绝缘层和第二栅极层；以及穿透堆叠结构并与基板接触的沟道结构，沟道结构包括沟道层、围绕沟道层的垂直隧穿层、在垂直隧穿层的外表面上的电荷存储图案以及在电荷存储图案的外表面上的阻挡图案，电荷存储图案包括垂直地间隔开并分别与第一栅极层和第二栅极层相邻的第一电荷存储材料层和第二电荷存储材料层，阻挡图案包括在电荷存储材料层和栅极层之间的垂直间隔开的阻挡材料层，并且阻挡图案接触电荷存储图案的外表面并包括相对于电荷存储图案的外表面进一步延伸的垂直突出部
半导体器件及其制造方法以及数据存储系统

[发明专利]一种负电性多层OPC鼓的加工方法-CN201911315070.5在审
发明人：余荣清;张培兴;葛美珍;曹华夏 -专利权人：苏州恒久光电科技股份有限公司;苏州吴中恒久光电子科技有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：本发明揭示了一种负电性多层OPC鼓的加工方法，包括如下步骤：S1、取分散剂、防沉剂以及钛白粉，加入酚醛树脂或丙烯酸树脂或尼龙树脂的一种或几种混合物的醇溶液中，制取得到电荷阻挡层材料溶液；S2、分别配制电荷产生层材料溶液以及电荷传输层材料溶液；S3、对素管进行预处理，随后在素管表面按序依次涂覆镀膜，使素管表面由内向外依次形成电荷阻挡层、电荷产生层以及电荷传输层；S4、对素管进行阶梯式烘烤，随后取出老化，得到OPC鼓成品。本发明对OPC鼓上所涂覆的电荷阻挡层材料进行了改性，提高了材料溶液的触变性能、使之在镀膜厚度较厚时具备良好的流挂性能，从而在电荷阻挡层厚度增加时保证了后续镀膜的均匀性。
一种负电多层 opc 加工方法

[发明专利]存储器单元及竖向延伸的存储器单元串阵列-CN202010332824.4在审
发明人： A·夏尔马;刘海涛;A·法鲁辛;合田晃;K·M·考尔道 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：存储器单元包括沟道材料、绝缘电荷通道材料、可编程材料、控制栅极，及所述可编程材料与所述控制栅极之间的电荷阻挡材料。所述电荷阻挡材料包括非铁电绝缘体材料及包括铪、锆及氧的铁电绝缘体材料。揭示其它实施例。
存储器单元竖向延伸阵列

[发明专利]存储器单元的竖向延伸串的阵列及形成存储器阵列的方法-CN201880027649.9在审
发明人：古尔特杰·S·桑胡;R·J·希尔;J·A·斯迈思 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：个别存储器单元的电荷存储材料沿着所述字线层级的所述控制栅极区域中的个别者竖向延伸且并不沿着所述绝缘层级竖向延伸。所述个别存储器单元的电荷阻挡区域横向沿着所述字线层级的所述个别控制栅极区域竖向延伸，通过所述电荷阻挡区域阻挡所述个别控制栅极区域与所述电荷存储材料之间的电荷迁移。沟道材料沿着所述堆叠竖向延伸且通过绝缘电荷通路材料与所述电荷存储材料横向间隔开。存储器单元的所述竖向延伸串中的个别者的所有所述电荷存储材料从存储器单元的所述个别竖向延伸串的所有所述绝缘电荷通路材料横向向外。本发明揭示包含方法实施例的其它实施例。
竖向延伸存储器单元层级电荷存储材料控制栅极电荷字线绝缘通路材料阻挡区域垂直堆叠电荷迁移方法实施沟道材料横向间隔交替的堆叠终端阻挡

[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN202080070482.1在审
发明人：金柄彻;S·索尔斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：电荷阻挡材料邻近于所述控制栅极区域。电荷存储材料邻近于所述电荷阻挡材料。电介质材料邻近于所述电荷存储材料。通道材料沿着所述垂直堆叠垂直延伸且邻近于所述电介质材料。所述存储器单元包含所述控制栅极区域，且包含所述电荷阻挡材料、所述电荷存储材料、所述电介质材料及所述通道材料的区域。一些实施例还包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]形成电荷阻挡材料的方法及具有电荷阻挡材料的集成组合件-CN202080084280.2在审
发明人：张佩琼;徐志鑫;方昀 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：用第一内衬材料加衬里于所述第一开口的侧壁。将所述第一内衬材料转化为第一电荷阻挡材料。在所述第一开口内形成牺牲材料。在所述第一堆叠上方形成交替第三阶层及第四阶层的第二堆叠。形成延伸穿过所述第二堆叠而到所述牺牲材料的第二开口。在所述第二开口内形成第二内衬材料，对其进行各向异性蚀刻，且接着将其转化为第二电荷阻挡材料。移除所述牺牲材料。形成邻近于所述电荷阻挡材料的电荷存储材料、电介质材料及沟道材料。一些实施例包含集成组合件。
形成电荷阻挡材料方法具有集成组合

[发明专利]一种基于二维材料的电荷俘获存储器及其制备方法-CN202010290015.1在审
发明人：门阔;魏峰;沈宇鑫;连紫薇 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维材料的电荷俘获存储器及其制备方法，其中存储器包括：自下而上依次设置的硅衬底、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层、沟道层、控制电极；其中，隧穿层和阻挡层均为氧化铝材料，电荷俘获层为掺杂的氧化铪薄膜，沟道层为二硫化钼材料。本发明采用掺杂的氧化铪材料作为电荷俘获层，可以有效提高电荷俘获效率，有助于在低电压下获得足够大的存储窗口；采用二维材料作为沟道层，能够提高器件性能。
一种基于二维材料电荷俘获存储器及其制备方法

[发明专利]具有多个用以储存电荷的电荷储存层的带隙工程存储器-CN201410509020.1有效
发明人：吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多个用以储存电荷的电荷储存层的带隙工程存储器，该存储器包括一栅极、一通道材料、以及一介电叠层。通道材料具有一通道表面以及一通道价带边缘。介电叠层是位于栅极与通道表面之间。介电叠层包括一多层隧穿结构、一第一电荷储存氮化物层、一第一阻挡介电层、一第二电荷储存氮化物层、以及一第二阻挡氧化物层。多层隧穿结构是位于通道表面上。第一电荷储存氮化物层是位于该多层隧穿结构上。第一阻挡氧化物层是位于第一电荷储存氮化物层上。第二电荷储存氮化物层是位于该第一阻挡介电层上。第二阻挡氧化物层是位于第二电荷储存氮化物层上。
具有用以储存电荷工程存储器

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和其形成方法-CN202310246273.3在审
发明人： C·豪德;J·D·霍普金斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：包括存储器单元串的存储器阵列包括在导体层面的导体材料正上方且个别地包括竖直堆叠的横向间隔开的存储器块，竖直堆叠包括交替的绝缘层面和导电层面。沟道材料串构造穿过绝缘层面和导电层面延伸到导电层面的最下部。沟道材料串构造个别地包括电荷阻挡材料串、从电荷阻挡材料串横向向内的存储材料串、从存储材料串横向向内的电荷传递材料串，及从电荷传递材料串横向向内的沟道材料串。处于最下部导电层面中的导电材料将个别沟道材料串的沟道材料与导体层面的导体材料直接电耦合在一起。导电材料横向处于电荷阻挡材料串的横向内部侧壁旁边且从横向内部侧壁横向向内。公开方法。
包括存储器单元阵列形成方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条