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[发明专利]具有竖直凹入的通道结构及离散的、间隔开的狭缝间结构的微电子装置以及相关方法及系统-CN202280011771.3在审
发明人：刘海涛;杨立涛;A·法鲁辛;N·考希克;李健;C·豪德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种微电子装置包含堆叠结构，其包括按层级布置的绝缘与导电结构的竖直交替序列。包括通道材料的至少一个支柱延伸穿过所述堆叠结构。所述堆叠结构下方的源极区包括掺杂材料，其具有突出到与接近至少一个源极侧GIDL区的标高处的所述通道材料的界面的竖直延伸部。狭缝结构延伸穿过所述堆叠结构以将所述结构划分成支柱阵列块。沿着所述狭缝结构的基底包含一系列间隔开的离散底座结构。形成所述微电子装置结构可包含形成穿过所述支柱的单元材料的横向开口、使所述通道材料竖直凹入及在加宽的凹部中形成所述掺杂材料之前使所述支柱的其它材料横向凹入。还公开额外微电子装置、相关方法及电子系统。
具有竖直通道结构离散间隔狭缝微电子装置以及相关方法系统

[发明专利]包括支柱的存储节点中的减少电荷约束区的电子装置以及相关方法及系统-CN202180074790.6在审
发明人：刘艺芬;宋岩;A·法鲁辛;刘乃铭;Y·董;G·玛塔米斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种电子装置包括交替的介电材料与导电材料的堆叠、垂直延伸穿过所述堆叠的支柱区、在所述支柱区内且横向邻近于所述堆叠的所述介电材料及所述导电材料的氧化物材料及横向邻近于所述氧化物材料且在所述支柱区内的存储节点。所述存储节点的电荷约束区与所述堆叠的所述导电材料水平对准。所述电荷约束区在垂直方向上的高度小于所述堆叠的相应横向邻近导电材料在所述垂直方向上的高度。还公开相关方法及系统。
包括支柱存储节点中的减少电荷约束电子装置以及相关方法系统

[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法-CN202180049880.X在审
发明人： S·M·I·侯赛因;P·R·M·劳;A·K·德哈亚兰;D·法兹尔;J·D·彼得松;A·查杜鲁;A·法鲁辛;G·玛塔米斯;C·拉森;R·伊斯兰 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一些实施例包含一种具有第一层面的集成组合件。所述第一层面具有与第一绝缘层级交替的第一存储器单元层级。第二层面在所述第一层面上方。所述第二层面具有与第二绝缘层级交替的第二存储器单元层级。单元材料柱穿过所述第一层面和所述第二层面。存储器单元沿着所述第一存储器单元层级和所述第二存储器单元层级且包含所述单元材料柱的区。中间层级在所述第一层面与所述第二层面之间。所述中间层级包含邻近所述单元材料柱的缓冲区。所述缓冲区包含不同于第一绝缘材料和第二绝缘材料且不同于第一导电区和第二导电区的组合物。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]具有分段沟道翅片的选择栅极晶体管-CN202210949317.4在审
发明人： D·A·克朗皮特;A·法鲁辛;M·J·金;M·D·德拉克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本公开涉及具有分段沟道翅片的选择栅极晶体管。各种应用可包含设计成在存储器擦除操作期间提供增强的栅极诱导漏极泄漏GIDL电流的存储器装置。可通过增强选择栅极晶体管的沟道结构中的电场向存储器单元串提供增强操作。所述沟道结构可实施为用于漏极的分段部分及与栅极相对的部分。所述分段部分包含一或多个翅片及一或多个非导电区域，其中翅片与非导电区域两者从与所述栅极相对的所述部分竖直地延伸。具有所述分段部分的与所述栅极相对的所述部分的边界区域的变体可包含从所述翅片延伸到与所述栅极相对的所述部分的尖角区域或在所述非导电区域下面的圆边界区域。此类选择栅极晶体管可使用单光掩模工艺形成。论述额外装置、系统及方法。
具有分段沟道选择栅极晶体管

[发明专利]背栅以及相关设备、系统和方法-CN202011576664.4有效
发明人： A·比克斯勒;M·奥莱谢;A·法鲁辛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：公开背栅以及相关设备、系统和方法。一种设备包含沟道材料，其包含第一侧和与所述第一侧相对的第二侧。所述设备还包含字线，其包括沿所述沟道材料的所述第一侧隔开的导电材料。所述设备进一步包含背栅，其包括接近所述沟道材料的所述第二侧的导电材料。一种方法包含根据存储器操作，对与存储器单元相关联的位线和字线加偏压，以及在对所述位线和所述字线加偏压的同时，对所述背栅加偏压。
以及相关设备系统方法

[发明专利]选择栅极栅极诱导漏极泄漏增强-CN202210198079.8在审
发明人： A·法鲁辛;刘海涛;M·J·金 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：本申请涉及选择栅极栅极诱导漏极泄漏增强。各种应用可包含存储器装置，其设计成在存储器擦除操作期间提供增强型栅极诱导漏极泄漏GIDL电流。在将电压施加到最顶部选择栅极晶体管的所述栅极后，可通过增强所述最顶部选择栅极晶体管的沟道结构中的电场将增强型操作提供到存储器单元串。可通过使用分割式插塞作为接触件将此电场提供到所述最顶部选择栅极晶体管的所述沟道结构，其中所述分割式插塞具有接触所述沟道结构的一或多个导电区和接触所述沟道结构的一或多个非导电区。所述分割式插塞可为数据线与所述沟道结构之间的接触件的部分。论述额外装置、系统和方法。
选择栅极诱导泄漏增强

[发明专利]具有掺杂剂延伸部的微电子装置及相关方法及系统-CN202210083285.4在审
发明人： A·法鲁辛;刘海涛;C·M·卡尔森 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请案涉及在层级堆叠下方的GIDL区附近具有掺杂剂延伸部的微电子装置及相关方法及系统。微电子装置包含堆叠结构，所述堆叠结构包括按层级布置的绝缘结构及导电结构的垂直交替序列。包括通道材料的至少一个支柱延伸穿过所述堆叠结构。所述堆叠结构下方的源极区包括掺杂材料。所述掺杂材料的垂直延伸部在所述堆叠结构内的标高(例如，在标高上接近或横向重叠至少一个源极侧GIDL区的标高)处向上突出到与所述通道材料的界面。微电子装置结构可通过包含以下步驟的方法形成：形成通过所述支柱的单元材料的横向开口；使所述通道材料凹入以形成垂直凹部；及在所述垂直凹部中形成所述掺杂材料。还公开额外微电子装置，以及相关方法及电子系统。
具有掺杂延伸微电子装置相关方法系统

[发明专利]包含突出到上部导柱部分中的隔离结构的微电子装置以及相关方法和系统-CN202111017950.1在审
发明人： M·J·金;D·A·戴寇克;福住嘉晃;A·法鲁辛;R·J·希尔;C·S·蒂瓦里;藤木润 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/11575 文献下载
摘要：本申请案涉及包含突出到上部导柱部分中的隔离结构的微电子装置，以及相关方法和系统。微电子装置包含堆叠结构，其包括以层次布置的绝缘结构和导电结构的竖直交替序列。一连串导柱延伸穿过所述堆叠结构。至少一个隔离结构延伸穿过所述堆叠结构的上部堆叠部分。所述至少一个隔离结构突出到所述一连串导柱的导柱的相邻列的导柱中。导电触点与所述至少一个隔离结构突出到其中的所述导柱电通信。也公开相关方法和电子系统。
包含突出上部导柱部分中的隔离结构微电子装置以及相关方法系统

[发明专利]半导体装置、电子系统和相关方法-CN202110891050.3在审
发明人： A·法鲁辛;刘海涛;M·阿萨迪拉德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请案涉及半导体装置、电子系统和相关方法。半导体装置包括：堆叠，其包括电介质结构和导电结构的交替序列；以及沟道结构，其在竖直延伸通过所述堆叠的开口内且包括具有第一带隙的第一半导体材料。所述微电子装置还包括：导电插塞结构，其在所述开口内且与沟道区直接接触；以及能带偏移结构，其在所述开口内且与所述沟道结构和所述导电插塞结构直接物理接触。所述能带偏移结构包括具有不同于所述第一带隙的第二带隙的第二半导体材料。所述微电子装置还包括电耦合到所述导电插塞结构的导电线结构。
半导体装置电子系统相关方法

[发明专利]半导体装置、电子系统和相关方法-CN201910843545.1有效
发明人： A·法鲁辛;刘海涛;M·阿萨迪拉德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请案涉及微电子装置、电子系统和相关方法。微电子装置包括：堆叠，其包括电介质结构和导电结构的交替序列；以及沟道结构，其在竖直延伸通过所述堆叠的开口内且包括具有第一带隙的第一半导体材料。所述微电子装置还包括：导电插塞结构，其在所述开口内且与沟道区直接接触；以及能带偏移结构，其在所述开口内且与所述沟道结构和所述导电插塞结构直接物理接触。所述能带偏移结构包括具有不同于所述第一带隙的第二带隙的第二半导体材料。所述微电子装置还包括电耦合到所述导电插塞结构的导电线结构。
半导体装置电子系统相关方法

[发明专利]具有三角形横向外围的半导体柱及集成组合件-CN202011362075.6在审
发明人： A·法鲁辛;A·毕维努提;刘海涛;蓝鑫 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请案涉及具有三角形横向外围的半导体柱及集成组合件。一些实施例包含一种柱，其含有半导体材料并且其主要沿第一方向延伸。沿正交于所述第一方向的第二方向通过所述柱的横截面通过所述半导体材料且包含经配置为三边形的所述柱的横向外围。一些实施例包含一种具有交替的第一及第二层阶的竖直堆叠的集成组合件。所述第一层阶包含导电结构且所述第二层阶是绝缘的。沟道材料柱延伸通过所述竖直堆叠。所述沟道材料柱中的每一者具有自顶向下横截面，所述横截面包含经配置为具有修圆顶点的等边三角形的三边形的横向外围。
具有三角形横向外围半导体集成组合

[发明专利]集成存储器-CN202010460066.4在审
发明人： K·M·考尔道;A·法鲁辛;刘海涛;K·D·普拉尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本申请案涉及集成存储器。一些实施例包含具有存储器单元的组合件，所述存储器单元具有作用区，所述作用区包含一对源极/漏极区之间的主体区。电荷存储材料邻近于所述主体区。导电栅极邻近于所述电荷存储材料。空穴再充电布置经配置以在空穴从所述主体区到所述电荷存储材料的注入期间补充所述主体区内的空穴。所述空穴再充电布置包含异质结构作用区，所述异质结构作用区包括具有与所述主体区不同的组合物的至少一个源极/漏极区，及/或包含将所述主体区与空穴储存区耦合的延伸部。字线与所述导电栅极耦合。第一比较数字线与所述源极/漏极区中的一者耦合，且第二比较数字线与所述源极/漏极区中的另一者耦合。
集成存储器

[发明专利]存储器单元及竖向延伸的存储器单元串阵列-CN202010332824.4在审
发明人： A·夏尔马;刘海涛;A·法鲁辛;合田晃;K·M·考尔道 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器单元及竖向延伸的存储器单元串阵列。存储器单元包括沟道材料、绝缘电荷通道材料、可编程材料、控制栅极，及所述可编程材料与所述控制栅极之间的电荷阻挡材料。所述电荷阻挡材料包括非铁电绝缘体材料及包括铪、锆及氧的铁电绝缘体材料。揭示其它实施例。
存储器单元竖向延伸阵列

[发明专利]非易失性存储器装置的存取线的顺序电压斜降-CN201911072556.0在审
发明人： A·法鲁辛;A·毕维努提;合田晃;L·罗伦;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本申请涉及非易失性存储器装置的存取线的顺序电压斜降。一些实施例包含设备及操作设备的方法。设备中的一者包含：存储器单元串，其具有第一、第二、第三、第四及第五存储器单元；存取线，其包含分别耦合到第一、第二、第三、第四及第五存储器单元的第一、第二、第三、第四及第五存取线；及模块。第一存储器单元介于第二与第三存储器单元之间。第二存储器单元介于第一与第四存储器单元之间。第三存储器单元介于第一与第五存储器单元之间。模块在存储器操作的第一时间将第一存取线耦合到接地节点、在操作的在第一时间之后的第二时间将第二及第三存取线耦合到接地节点，且在操作的在第二时间之后的第三时间将第四及第五存取线耦合到接地节点。
非易失性存储器装置存取顺序电压

[发明专利]存储器单元及形成存储器单元的方法-CN201811588942.0在审
发明人：刘海涛;K·M·卡尔达;A·法鲁辛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L27/11502 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器单元及形成存储器单元的方法。可编程电荷存储晶体管包括沟道材料、绝缘电荷通道材料、电荷存储材料、控制栅极，及所述电荷存储材料与所述控制栅极之间的电荷阻挡材料。所述电荷阻挡材料包括非铁电绝缘体材料及铁电绝缘体材料。揭示存储器单元的竖向延伸的存储器单元串阵列，包含形成此存储器单元的竖向延伸的存储器单元串阵列的方法。揭示其它实施例，包含方法。
存储器单元存储器单元串电荷存储材料电荷阻挡材料控制栅极竖向延伸电荷存储晶体管电绝缘体材料铁电绝缘体电荷通道沟道材料可编程申请案非铁绝缘

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