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[发明专利]一种电池管理系统-CN201910430324.1在审
发明人：李胜;刘凤荣;李海洋;刘天洪;安冬 -专利权人：南阳天一航天科技有限公司;河南天一航天科技有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电池管理系统，属于电池管理技术领域，主要解决的是现有电池管理系统均衡电流较小而不能满足超级电容均衡的技术问题，所述电池管理系统包括控制芯片、温度传感器、通信芯片、电容均衡芯片、电容检测芯片、存储芯片，所述控制芯片分别连接所述温度传感器、通信芯片、电容均衡芯片、电容检测芯片、存储芯片，所述电容均衡芯片的通信端对应连接所述电容检测芯片的通信端，所述电容检测芯片的输入端、电容均衡芯片的输入端用于分别连接各超级电容单体的输出端本发明能主动进行均衡，均衡电流大，能有效满足超级电容均衡。
电池管理系统电容检测芯片电容均衡芯片温度传感器超级电容存储芯片均衡电流控制芯片通信芯片输入端通信端均衡超级电容单体电池管理输出端

[实用新型]一种电池管理系统-CN201920745248.9有效
发明人：李胜;刘凤荣;李海洋;刘天洪;安冬 -专利权人：南阳天一航天科技有限公司;河南天一航天科技有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电池管理系统，属于电池管理技术领域，主要解决的是现有电池管理系统均衡电流较小而不能满足超级电容均衡的技术问题，所述电池管理系统包括控制芯片、温度传感器、通信芯片、电容均衡芯片、电容检测芯片、存储芯片，所述控制芯片分别连接所述温度传感器、通信芯片、电容均衡芯片、电容检测芯片、存储芯片，所述电容均衡芯片的通信端对应连接所述电容检测芯片的通信端，所述电容检测芯片的输入端、电容均衡芯片的输入端用于分别连接各超级电容单体的输出端本实用新型能主动进行均衡，均衡电流大，能有效满足超级电容均衡。
电池管理系统电容检测芯片电容均衡芯片本实用新型温度传感器超级电容存储芯片均衡电流控制芯片通信芯片输入端通信端均衡超级电容单体电池管理输出端

[发明专利]一种半导体芯片寄生电容的测试方法及装置-CN202110027707.1有效
发明人：黄寓洋 -专利权人：苏州苏纳光电有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片寄生电容的测试方法及装置，所述方法包括：测试芯片的总电容，测试芯片内部的Pad寄生电容，测试芯片的有源区电容，根据总电容、Pad寄生电容和有源区电容，计算芯片的爬坡寄生电容。本发明可以有效地计算出芯片的爬坡寄生电容，从而可以对该电容进行具体调整，进而减小该电容对高速芯片带宽的影响。
一种半导体芯片寄生电容测试方法装置

[发明专利]一种电容隔离芯片静电可靠性测试方法及系统-CN202210658166.7在审
发明人：熊素琴;李求洋;邹和平;李扬;赵兵;林繁涛;杨君中;杨森;成达;高天予;陈思禹;许佳佳;李龙涛;赵越;岳云奇;赵立涛;杨巍 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国网江苏省电力有限公司泰州供电分公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容隔离芯片静电可靠性测试方法及系统。其中，电容隔离芯片静电测试方法，其特征在于，包括：通过外观检测装置对待测试的电容隔离芯片进行检测；在电容隔离芯片外观正常的情下，通过电性检测工具对电容隔离芯片进行电性经测试；在电容隔离芯片电性正常的情下，利用预先设置的电容隔离芯片静电测试系统对电容隔离芯片进行静电测试，确定电容隔离芯片的电流‑电压曲线；根据电流‑电压曲线，判定电容隔离芯片是否损伤；在电容隔离芯片在没有损伤的情况下，通过外观检测装置对电容隔离芯片进行二次外观检测，生成电容隔离芯片的静电可靠性测试报告。
一种电容隔离芯片静电可靠性测试方法系统

[实用新型]一种零序相序陶瓷电容芯片集成的一体化结构-CN202120352686.6有效
发明人：杨斌;刘兴书;张西鹏;王一搏;陈榆秀;李治 -专利权人：西安市西无二电子信息集团有限公司;麦克奥迪（厦门）智能电气有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种零序相序陶瓷电容芯片集成的一体化结构，包括相序陶瓷电容芯片、零序陶瓷电容芯片；所述相序陶瓷电容芯片及零序陶瓷电容芯片的两端端面分别涂布有导电层，在所述导电层上分别焊接有电极；在所述相序陶瓷电容芯片和零序陶瓷电容芯片的两端的电极上分别设置有覆盖端面并与所在端面平行的导电圆片；所述相序陶瓷电容芯片与零序陶瓷电容芯片串联连接；所述相序陶瓷电容芯片和零序陶瓷电容芯片连接端间共用一导电圆片；在所述相序陶瓷电容芯片和零序陶瓷电容芯片连接端间共用的导电圆片上安装有导电安装支架。
一种零序相序陶瓷电容芯片集成一体化结构

[实用新型]用于3D逻辑芯片功能模块的电容电路、设备及芯片-CN202022850567.1有效
发明人：于国庆;王嵩 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H03K19/0948 文献下载
摘要：本申请实施例通过提供一种用于3D逻辑芯片功能模块的电容电路、设备及芯片，其中，上述用于3D逻辑芯片功能模块的电容电路包括：逻辑芯片功能电路和存储芯片复用电容，上述存储芯片复用电容设置在上述逻辑芯片上，可以用于为上述逻辑芯片功能电路的耗电元件提供电荷，上述存储芯片复用电容的引脚连接于上述耗电元件或连接于靠近上述逻辑芯片功能电路的上述逻辑芯片表面，其中，上述存储芯片复用电容还可以用于与存储芯片相连接，并为存储芯片功能电路提供电荷。由于逻辑芯片使用了存储芯片中的电容，作为复用电容为逻辑芯片自身的耗电元件提供电荷。非常好的解决了，片上电容单位面积电容值有限的问题。
用于逻辑芯片功能模块电容电路设备

[发明专利]3D逻辑芯片电容电路、存储芯片电容电路及相关设备-CN202011385335.1有效
发明人：于国庆;王嵩 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C5/10 文献下载
摘要：本申请实施例通过提供一种3D逻辑芯片电容电路、存储芯片电容电路及相关设备，其中，上述逻辑芯片电容电路包括：逻辑芯片功能电路和存储芯片复用电容，上述存储芯片复用电容设置在上述逻辑芯片上，可以用于为上述逻辑芯片功能电路的耗电元件提供电荷，其中，上述存储芯片复用电容还可以用于与存储芯片相连接，并为存储芯片功能电路提供电荷。由于逻辑芯片使用了存储芯片中的电容，作为复用电容为逻辑芯片自身的耗电元件提供电荷。非常好的解决了，片上电容单位面积电容值有限的问题，同时节省了原件成本并改善了电源信号的响应及其他功能电路的功能实现。
逻辑芯片电容电路存储相关设备

[发明专利]3D逻辑芯片电容电路、逻辑芯片及电子设备-CN202011389073.6在审
发明人：于国庆;王嵩 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请实施例通过提供一种3D逻辑芯片电容电路、逻辑芯片及电子设备，解决了逻辑芯片片上电容单位面积电容值有限，片外电容成本高、结构复杂的问题。其中，上述逻辑芯片电容电路可以包括：逻辑芯片功能电路和存储芯片借用电容。上述存储芯片借用电容设置在上述逻辑芯片上，用于为上述逻辑芯片功能电路的耗电元件提供电荷。
逻辑芯片电容电路电子设备

[实用新型]用于3D逻辑芯片功能模块的电容电路、设备及芯片-CN202022842835.5有效
发明人：于国庆;王嵩 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于3D逻辑芯片功能模块的电容电路、设备及芯片，解决了逻辑芯片片上电容单位面积电容值有限，片外电容成本高、结构复杂的问题。其中，用于3D逻辑芯片功能模块的电容电路包括：逻辑芯片功能电路和存储芯片借用电容；存储芯片借用电容设置在所述逻辑芯片上，用于为所述逻辑芯片功能电路的耗电元件提供电荷，存储芯片借用电容的引脚连接于所述耗电元件或连接于靠近逻辑芯片功能电路的逻辑芯片表面
用于逻辑芯片功能模块电容电路设备

[发明专利]一种芯片安装定位设备-CN202010691901.5在审
发明人：曹建宝 -专利权人：曹建宝
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片安装定位设备，包括定位模块、执行模块和芯片电容。本发明通过设置执行模块，可以将芯片电容吸附在吸附管本装置上，避免了夹具夹持芯片电容而导致芯片电容与夹具本身产生滑动的现象，并且通过加热丝和辅助加热架，可以对芯片电容两侧的焊锡进行加热融化，从而使得芯片电容的安装变得更加简易，通过设置定位模块，可以稳定的调节芯片电容在高度上的垂直距离，从而保证了芯片电容的安装精度。
一种芯片安装定位设备

[实用新型]一种串并联式芯片电容器-CN201920973547.8有效
发明人：牟舜禹;杨金勇;邓佳文;杨航 -专利权人：成都宏科电子科技有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01G4/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子元件技术领域，公开了一种串并联式芯片电容器，包括第一多层芯片电容器组以及与第一多层芯片电容器组并联连接的第二多层芯片电容器组，所述第一多层芯片电容器组和第二多层芯片电容器组均设置有上电极和下电极，所述第一多层芯片电容器组和第二多层芯片电容器组的下电极连接为整体作为接地电极，所述第一多层芯片电容器组和第二多层芯片电容器组的上电极分别引出作为正极和负极。本实用新型将两只或者多只多层芯片电容器集成于一只芯片电容器中，通过上电极的图形化导线连接，在一只芯片电容器中实现多只电容器组成的串并联功能，降低安装面积，缩小占用空间，提高安装后性能的一致性。
多层芯片电容器组芯片电容器电极本实用新型下电极电容器正极电容器组并联电子元件技术电容器组成负极串并联式导线连接接地电极占用空间串并联图形化

[发明专利]一种实现触控芯片初始校准的方法-CN201310102989.2有效
发明人：杨坤 -专利权人：苏州瀚瑞微电子有限公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现触控芯片初始校准的方法，所述触控芯片的内部电路产生的电容包括内部砝码电容、内部补偿电容、引脚电容，其中所述触控芯片的部分引脚与触控屏的引脚相连接，剩余引脚处于悬空状态，当所述触控芯片的内部砝码电容与待测电容之间具有差值时，由所述触控芯片剩余引脚的电容进行补偿。通过上述方法，本发明充分利用触控芯片的剩余引脚实现对触控芯片的初始校准，增大了触控芯片的补偿电容范围，进而扩大了触控芯片的电容测量范围，节约了触控芯片的面积。
一种实现芯片初始校准方法

[发明专利]集成MIM电容的扇出型系统封装及方法-CN202210822359.1在审
发明人：宋航;田陌晨;温德鑫;祝俊东;徐健;王德军 -专利权人：奇异摩尔（上海）集成电路设计有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成MIM电容的扇出型系统封装及方法。其包括基芯片、功能芯片组以及引出连接单元，功能芯片组内的功能芯片与基芯片对应互联且通过塑封层塑封在基芯片上；在所述塑封层内设置MIM电容组，MIM电容组包括若干MIM电容；MIM电容包括电容第一极板以及与所述电容第一极板正对应的电容第二极板，电容第一极板以及电容第二极板均埋设于塑封层内，电容第一极板、电容第二极板通过塑封层间隔，且电容第一极板、电容第二极板与基芯片上相应的基片电容连接焊盘单元电连接；引出连接单元用于将基芯片、功能芯片组以及MIM电容组形成的封装体引出。本发明有效实现将大电容系统集成，与现有工艺兼容，降低封装成本，安全可靠。
集成 mim 电容扇出型系统封装方法

[发明专利]用于在多芯片模块中提供电容的设备及方法-CN201380006969.3有效
发明人：蒂莫西·M·霍利斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明揭示在多芯片模块中为电力供应电压提供电容的设备、多芯片模块、电容芯片及方法。在实例性多芯片模块中，信号分布组件可经配置以提供电力供应电压。电容芯片可耦合到所述信号分布组件且包含多个电容单元。所述电容芯片可经配置以为所述电力供应电压提供电容。所述多个电容单元可由存储器单元电容器形成。
用于芯片模块提供电容设备方法

[实用新型]一种双Y型陶瓷电容器-CN202222520454.4有效
发明人：赵光涛 -专利权人：东莞市纬迪实业有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01G4/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种双Y型陶瓷电容器，涉及电子元器件领域，尤其涉及是一种双Y型陶瓷电容器；包括：第一电容芯片、第二电容芯片、导通片、第一引出片、第二引出片和塑模；第一引出片和第一电容芯片连接；第二引出片与第二电容芯片连接；第一电容芯片和第二电容芯片通过导通片串联；第一电容芯片、第二电容芯片、导通片、第一引出片及第二引出片通过塑模封装固定；两个电容芯片采用串联作业，确保一个产品失效后不会出现击穿，造成人体伤害的现象。
一种陶瓷电容器

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