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[发明专利]一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构-CN202010325086.0在审
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明提供了一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构，属于光电技术领域。本复合结构包括若干电介质层一、若干电介质层二和一个石墨烯层，复合结构由其一侧面至另一侧面的堆叠规律如下：电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二；电介质层一的材料为MgF2晶体，电介质层二的材料为ZnS晶体。
一种序列电介质石墨复合结构

[实用新型]一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构-CN202020623495.4有效
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构，属于光电技术领域。本复合结构包括若干电介质层一、若干电介质层二和一个石墨烯层，复合结构由其一侧面至另一侧面的堆叠规律如下：电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二；电介质层一的材料为MgF2晶体，电介质层二的材料为ZnS晶体。
一种序列电介质石墨复合结构

[发明专利]半导体结构-CN202010805569.0在审
发明人：林佳桦;张耀文;吴启明;蔡正原;逸群·陈;蔡子中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种半导体结构。所述半导体结构包含金属化结构、多个导电垫及电介质层。所述多个导电垫在所述金属化结构上方。所述电介质层在所述金属化结构上且覆盖所述导电垫。所述电介质层包含第一电介质膜、第二电介质膜及第三电介质膜。所述第一电介质膜在所述导电垫上。所述第二电介质膜在所述第一电介质膜上。所述第三电介质膜在所述第二电介质膜上。所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。
半导体结构

[发明专利]电介质电极组合件及其制造方法-CN201780027057.2有效
发明人：迈克尔·W·默里 -专利权人：奥罗玛技术有限责任公司D/B/A大通激光公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01S3/038 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质电极组合件及其制造方法(600)，其包含：电介质管(226)，其具有圆柱形横截面及相对电介质常数ε2，所述电介质管(226)填充有具有相对电介质常数ε1的气体；结构电介质(225)，且具有相对电介质常数ε3且围绕所述电介质管(226)；金属电极(224)，其位于所述结构电介质(225)的对置侧上，所述金属电极(224)具有扁平横截面几何形状；且所述结构电介质(225)由选定材料制成，使得所述结构电介质(225)、所述电介质管(226)及所述气体的所述相对电介质常数相关，且当电力经施加到所述金属电极(224)时在所述电介质管(226)内生成均匀电场。
电介质电极组合及其制造方法

[发明专利]附着至基板的电磁电介质结构及其制造方法-CN201980029549.4在审
发明人：史蒂芬·奥康纳;詹尼·塔拉斯基;克里斯托弗·布朗;克里斯季·潘采;卡尔·施普伦托尔;布鲁斯·菲茨;迪尔克·巴尔斯;威廉·布拉休斯;穆拉利·塞瑟马达范;罗申·罗斯·乔治;迈克尔·S·怀特;迈克尔·伦特;萨姆·亨森;约翰·多布里克 -专利权人：罗杰斯公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：在实施方式中，电磁设备包括：基板，该基板包括电介质层和第一导电层；至少一个电介质结构，该电介质结构包括至少一种非气态电介质材料，该非气态电介质材料形成从基板的第一侧向外延伸的第一电介质部分以及延伸到可选的过孔中的可选的第二电介质部分，第一电介质部分具有平均介电常数。所述至少一个电介质结构通过以下至少一者结合到基板：由于包括有逆行表面的至少一个互锁槽而形成的第二电介质部分与基板之间的机械互锁；具有粗糙化表面的位于基板与电介质结构之间的中间层；或者位于电介质结构与基板之间的粘合材料制造该设备的方法可以包括：将电介质复合物注塑模制到基板上以形成电介质基板。
附着至基板电磁电介质结构及其制造方法

[发明专利]半导体衬底结构、半导体封装及其制造方法-CN201510196538.9有效
发明人：陈天赐;陈光雄;王圣民;李育颖 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体衬底结构、半导体封装及其制造方法。所述半导体衬底结构包含导电结构和电介质结构。所述导电结构具有第一导电表面和与所述第一导电表面相对的第二导电表面。所述电介质结构遮盖所述导电结构的至少一部分，且具有第一电介质表面和与所述第一电介质表面相对的第二电介质表面。所述第一导电表面并非从所述第一电介质表面突出，且所述第二导电表面从所述第二电介质表面凹进。所述电介质结构包含光敏树脂或由其形成，且所述电介质结构界定在所述第二电介质表面中的电介质开口以暴露所述第二导电表面的一部分。
半导体衬底结构封装及其制造方法

[发明专利]具有包括蚀刻停止/场控制层的多层栅极电介质层的功率半导体装置及形成此装置的方法-CN202180048427.7在审
发明人： D·J·里克腾沃纳 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：包含碳化硅的半导体层结构；在半导体层结构上的栅极电介质层，该栅极电介质层包括在半导体层结构上的基部栅极电介质层和与半导体层结构相对地在基部栅极电介质层上的盖帽栅极电介质层；以及与半导体层结构相对地在栅极电介质层上的栅极电极盖帽栅极电介质层的介电常数高于基部栅极电介质层的介电常数。
具有包括蚀刻停止控制多层栅极电介质功率半导体装置形成方法

[实用新型]半导体衬底结构、半导体封装-CN201520250903.5有效
发明人：陈天赐;陈光雄;王圣民;李育颖 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体衬底结构、半导体封装及其制造方法。所述半导体衬底结构包含导电结构和电介质结构。所述导电结构具有第一导电表面和与所述第一导电表面相对的第二导电表面。所述电介质结构遮盖所述导电结构的至少一部分，且具有第一电介质表面和与所述第一电介质表面相对的第二电介质表面。所述第一导电表面并非从所述第一电介质表面突出，且所述第二导电表面从所述第二电介质表面凹进。所述电介质结构包含光敏树脂或由其形成，且所述电介质结构界定在所述第二电介质表面中的电介质开口以暴露所述第二导电表面的一部分。
半导体衬底结构封装

[发明专利]具有电介质栅极墙和电介质栅极插塞的集成电路结构-CN202211005222.3在审
发明人： M·K·哈兰;M·哈桑;T·加尼;A·S·默西 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述了具有电介质栅极墙和电介质栅极插塞的集成电路结构，以及制造具有电介质栅极墙和电介质栅极插塞的集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括具有突出于浅沟槽隔离(STI)结构上方的部分的子鳍。栅极电介质材料层在子鳍的突出部分之上，在STI结构之上，并围绕水平堆叠的纳米线。导电栅极层在栅极电介质材料层之上。导电栅极填充材料在导电栅极层之上。电介质栅极墙与子鳍和多个水平堆叠的纳米线横向间隔开，电介质栅极墙在STI结构上。电介质栅极插塞在电介质栅极墙上。
具有电介质栅极集成电路结构

[发明专利]一种超构表面光学透镜和成像装置-CN202011240953.7在审
发明人：胡跃强;张建;段辉高;李苓;宋强;马国斌;徐晓波 -专利权人：湖南大学;深圳珑璟光电科技有限公司;湖南大学深圳研究院
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种超构表面光学透镜，包括介质衬底和设置于介质衬底的电介质纳米结构，其中，电介质纳米结构包括至少两个呈圆形排列的电介质纳米结构阵列，电介质纳米结构阵列包括至少一个电介质纳米柱，同一所述电介质纳米结构阵列中的电介质纳米柱的结构一致、同一所述电介质纳米结构阵列中的电介质纳米柱的长轴尺寸和短轴一致、同一所述电介质纳米结构阵列中的电介质纳米柱在介质衬底表面的面内角度一致。
一种表面光学透镜成像装置

[实用新型]半导体衬底结构及半导体封装-CN201520258369.2有效
发明人：陈天赐;陈光雄;王圣民;李育颖;蔡丽娟;李志成 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2015-04-27 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体衬底结构及一种半导体封装。所述半导体衬底结构包含导电结构及电介质结构。所述导电结构具有第一导电表面及第二导电表面。所述电介质结构具有第一电介质表面及第二电介质表面。所述第一导电表面不从所述第一电介质表面突出。所述第二导电表面从所述第二电介质表面凹进。所述电介质结构的材料是固化光敏树脂。
半导体衬底结构封装

[发明专利]包含层压间隔件结构的设备、存储器装置、电子系统及方法-CN202010311532.2在审
发明人： S·博尔萨里;S·E·伍德;李皓玉;王宜平 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本专利申请案涉及包含层压间隔件结构的设备、存储器装置、电子系统及方法。一种设备包括导电结构、另一导电结构及在第一方向上插入于所述导电结构与所述另一导电结构之间的层压间隔件结构。所述层压间隔件结构包括电介质间隔件结构、另一电介质间隔件结构及插入于所述电介质间隔件结构与所述另一电介质间隔件结构之间的额外电介质间隔件结构。所述额外电介质间隔件结构包括至少一个电介质材料及分散于所述至少一个电介质材料内的气窝。
包含层压间隔结构设备存储器装置电子系统方法

[发明专利]电介质纳米砖阵列结构及其用作高反膜和高透膜的应用-CN201710942306.2有效
发明人：郑国兴;戴琦;李子乐;邓联贵;邓娟;刘勇;毛庆洲;何平安;李松 -专利权人：武汉大学
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电介质纳米砖阵列结构及其用作高反膜和高透膜的应用，所述电介质纳米砖阵列结构，包括衬底和衬底上的电介质纳米砖阵列；其中，电介质纳米砖阵列由电介质纳米砖周期性排列构成；电介质纳米砖为正四棱柱形将该电介质纳米砖阵列结构用作高反膜时，优化电介质纳米砖阵列结构的结构参数，使得工作波长下s波和p波入射时均能产生Mie谐振；将该电介质纳米砖阵列结构用作高透膜时，优化电介质纳米砖阵列结构的结构参数，使得混合层的等效折射率介于混合层周围介质的折射率和衬底折射率之间本发明基于电介质纳米砖阵列结构的高反膜和高透膜在整个通信波段内均具有较高的工作效率。
电介质纳米阵列结构及其用作高反膜高透膜应用

[发明专利]半导体装置和包括其的半导体封装件-CN201910835996.0在审
发明人：崔朱逸;姜泌圭;金会哲;罗勋奏;朴宰亨;孙成旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：半导体装置包括第一电介质层上的第一缓冲电介质层；按次序布置在第一缓冲电介质层上的第二电介质层和第二缓冲电介质层，第二缓冲电介质层与第一缓冲电介质层接触；以及焊盘互连结构，其穿过第一缓冲电介质层和第二缓冲电介质层，其中焊盘互连结构包括铜和锡。
半导体装置包括封装

[发明专利]半导体器件-CN202310390280.0在审
发明人：朴正敏;林汉镇;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：单元电容器，所述单元电容器设置在衬底上并且包括第一电极、电介质层结构和第二电极。所述电介质层结构包括：第一电介质层，所述第一电介质层设置在所述第一电极上并且包括铁电材料；第二电介质层，所述第二电介质层设置在所述第一电介质层上并且包括反铁电材料；以及电介质颗粒，所述电介质颗粒分散在所述第一电介质层或所述第二电介质层中的至少一者中并且包括顺电材料
半导体器件

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