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[发明专利]具有电介质多层膜结构的红外线遮蔽膜-CN201380036763.5在审
发明人：齐藤真纪子;中岛彰久 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： G02B5/26 文献下载
摘要：本发明提供夏季的隔热效果和冬季的保温效果优异的红外线反射膜。进一步提供通过防止膜的发热而降低热破裂的风险并且能够简单地贴合的红外线遮蔽膜。该红外线遮蔽膜具有电介质多层膜(A)、电介质多层膜(B)和配置在上述电介质多层膜(A)与上述电介质多层膜(B)之间的非干涉层，上述电介质多层膜(A)在900～1100nm的波长区域具有反射率为50％以上的反射极大值，上述电介质多层膜(B)在1200～2100nm的波长区域具有反射极大值，在上述电介质多层膜(A)和上述电介质多层膜(B)以外的任一层含有红外线吸收剂，将层叠有上述电介质多层膜(A)的面以朝向屋外侧的方式设置
具有电介质多层膜结构红外线遮蔽

[发明专利]光学滤波器-CN202211213659.6在审
发明人：三宅雅章;龙冈直人 -专利权人： AGC株式会社;日本真空光学株式会社
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种光学滤波器，具备基材和层叠于所述基材的两主面侧的第一电介质多层膜及第二电介质多层膜，其中，所述第一电介质多层膜和第二电介质多层膜分别是低折射率膜、中折射率膜和高折射率膜层叠一层以上而成的层叠体，所述第一电介质多层膜和第二电介质多层膜分别具有两层以上的所述中折射率膜，所述第一电介质多层膜和第二电介质多层膜分别具有按低折射率膜、中折射率膜、高折射率膜的顺序层叠而成的构造，所述光学滤波器满足下述全部分光特性
光学滤波器

[发明专利]光学滤波器部件以及具备该光学滤波器部件的摄像装置-CN201380033913.7有效
发明人：中尾贵博 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：光学滤波器部件包含由透光性材料构成的基体(31)、和设于基体(31)的表面的光学膜。光学膜包含层叠各自折射率不同的多个电介质层的第1、第2以及第3电介质多层膜(32～34)。第1电介质多层膜(32)具有可见光的波长范围中的第1光透过范围(W1)。第2电介质多层膜(33)具有包含在第1光透过范围(W1)内的第2光透过范围(W2)，并具有高于第1电介质多层膜(32)的平均折射率。第3电介质多层膜(34)包含第2光透过范围(W2)，使第2光透过范围(W2)的中心波长的2倍的波长的光截止。第2电介质多层膜(33)与第1电介质多层膜(32)或者所述第3电介质多层膜(34)一起设置在基体的相同的主面侧。
光学滤波器部件以及具备摄像装置

[发明专利]一种抗静电的宽带高透射减反射膜-CN201910412625.1有效
发明人：金波;艾曼灵;吴江波;顾培夫;李冰霞 -专利权人：杭州科汀光学技术有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G02B1/116 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗静电的宽带高透射减反射膜，包括基底以及设置在所述基底上的多层膜；所述的多层膜包括一层透明导电膜以及高折射率电介质膜、中间折射率电介质膜、次低折射率电介质膜和低折射率电介质膜，或者，所述的多层膜包括一层透明导电膜以及高折射率电介质膜、中间折射率电介质膜和低折射率电介质膜；所述的透明导电膜为半导体薄膜，为氧化铟膜、氧化锡膜，氧化锌膜或铟锡氧化物膜等。这种可见区的减反射膜不仅具有很好的抗静电功能，而且具有很高的透射率，在投影显示等光学、光电仪器中具有重要的应用价值。
一种抗静电宽带透射减反射膜

[发明专利]闪烁器面板、放射线图象传感器和它们的制造方法-CN01815482.4有效
发明人：本目卓也 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2001-09-11 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：本发明提供一种闪烁器面板(1)，它包括：具有耐热性的放射线透射衬底(5)；形成在放射线透射衬底(5)上的作为光反射膜的电介质多层膜镜(6)；形成在电介质多层膜镜(6)上，把入射到放射线透射衬底(5)且通过电介质多层膜镜因为放射线透射衬底(5)具有耐热性，所以电介质多层膜镜(6)能进行高温蒸镀，其结果，能以光反射率高的状态形成。另外，电介质多层膜镜(6)不会象金属膜那样与闪烁器(10)反应而腐蚀。
闪烁面板放射线图象传感器它们制造方法

[发明专利]制造微波电路的方法-CN200410037202.X无效
发明人：约翰·F·凯西;刘易斯·R·达夫;玲·刘;詹姆斯·R·德雷赫莱;小弗雷德里克·R·劳;罗斯玛丽·O·约翰逊 -专利权人：安捷伦科技有限公司
申请日： 2004-04-22 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：本发明公开了使用厚膜元件制造微波电路的方法，所述厚膜元件包括：沉积在接地面上的第一多层厚膜电介质；沉积在所述第一厚膜电介质上的厚膜导体；沉积在所述第一电介质和所述导体上以密封所述导体的第二多层厚膜电介质；沉积在所述第一和第二电介质上的厚膜接地防护层；和沉积在所述第一和第二电介质附近的厚膜电阻器。
制造微波电路方法

[实用新型]一种投影显示系统-CN201920709920.9有效
发明人：金波;艾曼灵;吴江波;顾培夫;李冰霞 -专利权人：杭州科汀光学技术有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： G02B1/116 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种采用抗静电的宽带高透射减反射膜的投影显示系统，包括基底以及设置在所述基底上的多层膜；所述的多层膜包括一层透明导电膜以及高折射率电介质膜、中间折射率电介质膜、次低折射率电介质膜和低折射率电介质膜，或者，所述的多层膜包括一层透明导电膜以及高折射率电介质膜、中间折射率电介质膜和低折射率电介质膜；所述的透明导电膜为半导体薄膜，为氧化铟膜、氧化锡膜，氧化锌膜或铟锡氧化物膜等。这种可见区的减反射膜不仅具有很好的抗静电功能，而且具有很高的透射率，在投影显示等光学、光电仪器中具有重要的应用价值。
一种投影显示系统

[发明专利]薄层电容结构、薄层电容结构的制造方法及电子设备-CN202011140791.X在审
发明人：梁时元;崔栽荣;贺晓彬;李亭亭;杨涛;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄层电容结构、薄层电容结构的制造方法及电子设备，该薄层电容结构在上部电极和下部电极之间配置多层电介质膜的电介质层，多层电介质膜中任意相邻两层电介质膜的形成材料不相同，且每层电介质膜是根据该电介质膜具有的消光系数和折射率计算得到的膜厚沉积得到，以使得任意相邻两层电介质膜表面的反射光线相互抵消。对于每层电介质膜的膜厚由该电介质膜的固有属性消光系数和折射率计算得到，而不是每层电介质膜均采用相同膜厚沉积。对于根据消光系数和折射率决定的膜厚形成相应的电介质膜，可使得光线在每层电介质膜表面产生的反射光线相互抵消，由此可将多层电介质膜的反射光线累积降为最低，减小光刻对准失败的几率。
薄层电容结构制造方法电子设备

[发明专利]层叠体、电子设备的制造方法、层叠体的制造方法-CN201780050408.1有效
发明人：宫越达三;藤原晃男 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： B32B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种层叠体，依次具备支撑基材、密合层以及基板，所述基板在其表面上具备交替层叠折射率不同的电介质层而成的电介质多层膜，具备所述电介质多层膜的所述基板以所述电介质多层膜可剥离地与所述密合层密合的方式配置在所述密合层上
层叠电子设备制造方法

[发明专利]一种制作磁性随机存储器顶电极孔的方法-CN201710443581.X在审
发明人：张云森;肖荣福;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种制作磁性随机存储器顶电极孔的方法，包括：在表面抛光的CMOS基底上形成底电极，并在底电极上形成包括硬掩膜层的磁性隧道结多层膜；在硬掩膜层上图形化定义磁性隧道结图案，利用硬掩膜层对磁性隧道结多层膜和底电极进行图案刻蚀；在刻蚀后的底电极和磁性隧道结多层膜及硬掩膜周围和顶部沉积一层电介质覆盖层；对电介质覆盖层进行平坦化处理，使平坦化处理处理之后的电介质覆盖层顶部和硬掩膜层顶部之间的距离处于预定范围；沉积顶电极通孔电介质层，对顶电极通孔电介质层进行图形化和刻蚀以形成顶电极通孔，刻蚀最终停止在电介质覆盖层顶部；再次进行刻蚀完全去掉硬掩膜上的电介质覆盖层和硬掩膜氧化层，从而形成高电导通的顶电极通孔。
电介质顶电极覆盖层刻蚀磁性隧道结硬掩膜层底电极通孔多层膜磁性随机存储器平坦化处理电介质层硬掩膜沉积硬掩膜氧化层图案图形化定义表面抛光高电导图形化基底制作

[发明专利]一种制作磁性随机存储器顶电极沟槽的方法-CN201710447873.0在审
发明人：肖荣福;郭一民;陈峻;张云森 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种制作磁性随机存储器顶电极沟槽的方法，包括：在表面抛光的CMOS基底上形成底电极，并在底电极上形成包括硬掩膜层的磁性隧道结多层膜；在硬掩膜层上图形化定义磁性隧道结图案，利用硬掩膜层对磁性隧道结多层膜和底电极进行图案刻蚀；在刻蚀后的底电极和磁性隧道结多层膜及硬掩膜周围和顶部沉积一层电介质覆盖层；对电介质覆盖层进行平坦化处理，使平坦化处理处理之后的电介质覆盖层顶部和硬掩膜层顶部之间的距离处于预定范围；沉积顶电极通孔电介质层，对顶电极电介质层进行图形化和刻蚀以形成顶电极沟槽，刻蚀最终停止在电介质覆盖层顶部；再次进行刻蚀完全去掉硬掩膜上的电介质覆盖层和硬掩膜氧化层，从而形成高电导通的顶电极线条。
电介质顶电极覆盖层刻蚀磁性隧道结硬掩膜层底电极多层膜磁性随机存储器平坦化处理电介质层硬掩膜沉积硬掩膜氧化层图案图形化定义表面抛光高电导图形化基底通孔制作线条

[发明专利]防反射膜及光学部件-CN201880091646.1有效
发明人：中村诚吾;前原佳纪;吉弘达矢;梅田贤一;板井雄一郎;山中英生 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本发明提供一种环境耐久性优异的防反射膜及光学部件。防反射膜具备配置于基材侧的电介质多层膜及层叠设置于电介质多层膜的以水合氧化铝为主要成分的微细凹凸层。电介质多层膜由具有相对高的折射率的高折射率层和具有相对低的折射率的低折射率层的交替层构成，电介质多层膜作为高折射率层及低折射率层中的1个层而包含由氮化硅构成的阻挡层，阻挡层的密度为2.7g/cm
反射光学部件

[发明专利]波长合波分波器-CN200480001485.0有效
发明人：柳泽雅弘;小口泰介;井上靖之;日比野善典;肥田安弘;石井元速 -专利权人：日本电信电话株式会社
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：并且，在相互交差的2条光波导路的交差部设置电介质多层膜，从而将入射到上述电介质多层膜的光分离为透过光和反射光。其中，从上述电介质多层膜的光入射侧的多层膜表面至上述交差的2条光波导路中心的交点的距离X按照0≤X≤d/2形的式进行设定，d为上述电介质多层膜的厚度。
波长合波分波器

[发明专利]透镜、透镜单元和摄像装置-CN201880052189.5有效
发明人：江口阳明;中山隆司 -专利权人：日本电产株式会社
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G02B1/18 文献下载
摘要：本发明的一个方式的透镜具备透镜主体、设置于透镜主体的表面的电介质多层膜、以及设置于电介质多层膜上的疏液膜。疏液膜的表面的算术平均粗糙度Ra为2nm以下。
透镜单元摄像装置

[发明专利]发光元件的制造方法-CN201810077704.7有效
发明人：井上直人;住友新隆 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：发光元件的制造方法包含：工序(A)，准备晶圆(100W)，该晶圆(100W)包含具有第一以及第二主面的基板(110)、设置在第一主面(110a)上的电介质多层膜(120)、设置在第二主面(110b)上的半导体构造(130)；工序(B)，经由电介质多层膜向基板的内部会聚激光，在基板的内部形成改性区域(110s)，并从改性区域至电介质多层膜地产生龟裂；工序(C)，在工序(B)之后，去除电介质多层膜中的、包含龟裂的区域
发光元件制造方法

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