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[发明专利]一种可调双通道光子滤波器-CN202110996072.6在审
发明人：赵东 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：包括五个第一电介质层和三个第二电介质层，第一电介质层和第二电介质层由入射方向至出射方向排列顺序为：第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不同的均匀电介质；第一电介质层和第二电介质层的厚度分别为各自折射率对应的1/4光学波长；相邻第一电介质层的分界处或第一电介质层与第二电介质层的分界处分别嵌入有一石墨烯单层
一种可调双通道光子滤波器

[实用新型]一种可调双通道光子滤波器-CN202122054134.X有效
发明人：赵东 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：包括五个第一电介质层和三个第二电介质层，第一电介质层和第二电介质层由入射方向至出射方向排列顺序为：第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不同的均匀电介质；第一电介质层和第二电介质层的厚度分别为各自折射率对应的1/4光学波长；相邻第一电介质层的分界处或第一电介质层与第二电介质层的分界处分别嵌入有一石墨烯单层
一种可调双通道光子滤波器

[发明专利]半导体结构-CN202010805569.0在审
发明人：林佳桦;张耀文;吴启明;蔡正原;逸群·陈;蔡子中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：所述半导体结构包含金属化结构、多个导电垫及电介质层。所述多个导电垫在所述金属化结构上方。所述电介质层在所述金属化结构上且覆盖所述导电垫。所述电介质层包含第一电介质膜、第二电介质膜及第三电介质膜。所述第一电介质膜在所述导电垫上。所述第二电介质膜在所述第一电介质膜上。所述第三电介质膜在所述第二电介质膜上。所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。
半导体结构

[发明专利]固体电解电容器及其制造方法-CN201210089312.5有效
发明人：光山知宏;加藤俊幸 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01G9/15 文献下载
摘要：固体电解电容器的电介质层具有：与阳极相接的第一电介质层；和覆盖第一电介质层并且与上述电解质层相接的第二电介质层，第一电介质层包括由非晶态成分构成的阳极1的氧化物，第二电介质层由具有比第一电介质层的介电常数高的介电常数的电介质粒子构成，并且电介质粒子包括：与第一电介质层相接的第一电介质粒子和与第一电介质层不相接的第二电介质粒子，第一电介质粒子的平均粒径比第二电介质粒子的平均粒径小。
固体电解电容器及其制造方法

[发明专利]包括场效应晶体管（FET）的半导体结构及其方法-CN201310134217.7有效
发明人： H·杰加纳森;P·C·杰米森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-04-17 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：分层的栅极电介质叠层包括包含第一高介电常数（高k）电介质材料的第一高k栅极电介质、包含具有与第一高k电介质材料不同的带隙的电介质材料的带隙干扰电介质以及包含第二高k电介质材料的第二高k栅极电介质。带隙干扰电介质包括电介质材料的至少一个连续原子层。因此分层的栅极电介质叠层包括第一高k栅极电介质和带隙干扰电介质之间的第一原子界面，以及通过带隙干扰电介质的电介质材料的至少一个连续原子层与第一原子界面分隔的第二高k栅极电介质和带隙干扰电介质之间的第二原子界面带隙干扰电介质的插入导致更低的栅极泄露，而不会导致阈值电压特性和有效氧化物厚度的任何显著变化。
包括场效应晶体管 fet 半导体结构及其方法

[实用新型]一种金刚石线锯生产线电介质回收用装置-CN201821571984.9有效
发明人：赵鹏 -专利权人：杨凌美畅新材料股份有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C25D7/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及金刚石线锯生产线电介质回收用装置技术领域，且公开了一种金刚石线锯生产线电介质回收用装置，包括电介质储液箱和电介质过渡槽，所述电介质储液箱通过导电介质回流管与电介质过渡槽连通，所述电介质储液箱的左侧连通有连通管本实用新型解决了现有的金刚石线生产加工中易出现电介质液回收不彻底和内部遗留残渣造成浪费的问题，本实用新型通过设置有电介质储液箱和电介质过渡槽，并且设置有导电介质回流管和导电介质循环磁力泵能够将回流的电介质进行循环使用，能够增加电介质的使用效率，导电介质流量调节阀能够调节流量，当母线传送较快时，能够调节介质流量调节阀增大流通的流量，满足加工的需要。
电介质导电介质储液箱本实用新型金刚石线锯过渡槽回收回流管连通装置技术领域流量调节阀循环磁力泵电介质液介质流量金刚石线生产加工使用效率连通管母线传送遗留流通加工

[发明专利]异质电介质键合方案-CN202210116113.2在审
发明人：余振华;邱文智;杨固峰;钟明慈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本公开涉及异质电介质键合方案。一种方法包括：将第一封装组件置为与第二封装组件接触。第一封装组件包括第一电介质层，该第一电介质层包括第一电介质材料，并且第一电介质材料是基于氧化硅的电介质材料。第二封装组件包括第二电介质层，该第二电介质层包括第二电介质材料，该第二电介质材料不同于第一电介质材料。第二电介质材料包括硅和另外的元素，该元素选自由以下项组成的组：碳、氮、及其组合。执行退火工艺以将第一电介质层与第二电介质层进行键合。
电介质方案

[发明专利]电介质电极组合件及其制造方法-CN201780027057.2有效
发明人：迈克尔·W·默里 -专利权人：奥罗玛技术有限责任公司D/B/A大通激光公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01S3/038 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质电极组合件及其制造方法(600)，其包含：电介质管(226)，其具有圆柱形横截面及相对电介质常数ε2，所述电介质管(226)填充有具有相对电介质常数ε1的气体；结构电介质(225)，且具有相对电介质常数ε3且围绕所述电介质管(226)；金属电极(224)，其位于所述结构电介质(225)的对置侧上，所述金属电极(224)具有扁平横截面几何形状；且所述结构电介质(225)由选定材料制成，使得所述结构电介质(225)、所述电介质管(226)及所述气体的所述相对电介质常数相关，且当电力经施加到所述金属电极(224)时在所述电介质管(226)内生成均匀电场。
电介质电极组合及其制造方法

[发明专利]电介质元件、压电元件、喷墨头和喷墨记录装置-CN200510052152.7有效
发明人：伊福俊博;松田坚义;青木活水;武田宪一;和佐清孝 -专利权人：佳能株式会社;和佐清孝
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质元件、压电元件、喷墨头和喷墨记录装置，该电介质元件在上部电极层和下部电极层之间设置有电介质层，电介质层具有组成相互不同的第一电介质层和第二电介质层，在第一电介质层和第二电介质层的边界附近，第一电介质层的至少一种成分的组成在第一电介质层的厚度方向上发生变化。
电介质元件压电喷墨记录装置

[发明专利]弯曲可靠性得到改善的柔性电路板以及其制造方法-CN201980076652.4在审
发明人：金相弼;金炳悦;金益洙;郑熙锡 -专利权人：吉佳蓝科技股份有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明涉及弯曲可靠性得到改善的柔性电路板的制造方法，包括：第一电介质，沿着水平方向长长地形成；第二电介质，位于所述第一电介质的上方；第三电介质，与所述第二电介质在水平方向隔开而位于所述第一电介质的上方；第一覆盖层，位于所述第一电介质的上方，并且覆盖所述第二电介质和所述第三电介质之间的所述第一电介质上方；第一焊接片，位于所述第一电介质和所述第二电介质之间，并覆盖所述第一覆盖层的一端的上方；以及第二焊接片，位于所述第一电介质和所述第三电介质之间，并覆盖所述第一覆盖层的另一端的上方，所述第一覆盖层的一端延伸而介于所述第一电介质和所述第二电介质之间，所述第一覆盖层的另一端延伸而介于所述第一电介质和所述第三电介质之间
弯曲可靠性得到改善柔性电路板及其制造方法

[实用新型]天线模组及电子设备-CN202022820139.4有效
发明人：王义金;简宪静;邾志民 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：天线模组包括：第一金属板、第一绝缘介质体、第二绝缘介质体、金属介质体和馈电针，所述第一金属板上开设有馈电通孔，所述第一绝缘介质体设置在所述第一金属板和所述第二绝缘介质体的第一表面之间，所述金属介质体设置在所述第二绝缘介质体的第二表面上，且所述金属介质体在所述第二表面上的正投影的面积小于或等于所述第二表面的面积，所述第二绝缘介质体的介电常数大于所述第一绝缘介质体的介电常数，所述馈电针通过所述馈电通孔穿入所述第一绝缘介质体内，在所述馈电针输入的激励信号的作用下，所述第一绝缘介质体发生电磁辐射。
天线模组电子设备

[发明专利]膜电容器-CN201510701262.5在审
发明人：长谷康平;济藤孝博 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01G4/06 文献下载
摘要：在金属化膜的每一者中，在电介质膜的表面上形成金属电极。电介质膜包括高电介质层和低电介质层，高电介质层具有相对高的高电介质填料含量，低电介质层具有相对低的高电介质填料含量或者不包含高电介质填料。低电介质层被设置在以下位置的至少一者上：即，位于高电介质层与金属电极之间的位置，以及位于高电介质层的与金属电极相反的一侧的位置。
电容器

[发明专利]一种图厄-摩尔斯序列多层电介质与石墨烯的复合结构-CN202110518851.5在审
发明人：张亚平 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种图厄‑摩尔斯序列多层电介质与石墨烯的复合结构，属于全光通信系统技术领域。包括两个对称分布的复合组件，复合组件包括一个石墨烯层、若干第一电介质层和若干第二电介质层，复合组件中的石墨烯层、第一电介质层和第二电介质层三者的排布规律为：由外侧向内依次为第一电介质层、第二电介质层、石墨烯层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层和第二电介质层。
一种摩尔序列多层电介质石墨复合结构

[发明专利]具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法-CN200510092232.5无效
发明人：郑镛国;元皙俊;权大振;宋珉宇;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：在具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法中，混合电介质层包含按顺序堆迭的下电介质层、中间电介质层和上电介质层。下电介质层包含铪(Hf)或锆(Zr)。上电介质层也包含Hf或Zr。中间电介质层由具有比下电介质层的低的依赖于电压的电容变化的材料层形成。
具有混合电介质半导体集成电路器件及其制造方法

[发明专利]一种竖状结构介质双工器-CN202210677058.4在审
发明人：丁超超;高飞;陈卫平 -专利权人：浙江嘉康电子股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：一种竖状结构介质双工器，包括至少两个长条状的陶瓷介质体，每一陶瓷介质体上沿长度方向分布有若干谐振腔，陶瓷介质体水平放置，谐振腔以相对陶瓷介质体的放置方向垂直的方向贯穿陶瓷介质体；至少两个陶瓷介质体并列设置，两个陶瓷介质体的第一端连接，且于连接处贯穿开设有第一孔状端口；两个陶瓷介质体的第二端均贯穿开设有第二孔状端口；两个陶瓷介质体之间于连接处以外的部分形成有间槽；两个陶瓷介质体的第一端共用第一孔状端口作为输入端口或输出端口
一种结构介质双工器