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[发明专利]包括电介质扩散阻挡的薄膜晶体管及其形成方法-CN202210119192.2在审
发明人：蔡武卫;陈海清;杨世海;林佑明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及包括电介质扩散阻挡的薄膜晶体管及其形成方法。一种半导体器件包括：绝缘层，嵌有栅极电极并覆盖衬底；覆盖栅极电极的顶表面的以下项的堆叠：包括栅极电介质材料的栅极电介质、包括电介质扩散阻挡材料的电介质扩散阻挡衬里、以及有源层；以及源极电极和漏极电极，接触有源层的顶表面的相应部分电介质扩散阻挡材料不同于栅极电介质材料并选自电介质金属氧化物材料和硅电介质化合物，并且抑制随后的退火工艺中金属元素的损失。
包括电介质扩散阻挡薄膜晶体管及其形成方法

[发明专利]带连接器的电介质波导线路-CN201880033882.8有效
发明人：吉本洋之;深见大;山中拓;池田友宏;堀部雅弘;加藤悠人 -专利权人：大金工业株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01P5/08 文献下载
摘要：提供能够容易地将电介质波导线路与对方部件连接，并且可形成高频信号的传送损失和反射损失小的连接结构的带连接器的电介质波导线路。一种带连接器的电介质波导线路，其具有电介质波导线路和连接器，其特征在于，上述电介质波导线路由电介质波导线路主体和电介质波导线路端部构成，上述电介质波导线路端部的截面积比上述电介质波导线路主体的截面积小。
连接器电介质波导线路

[发明专利]存储设备中的双层电介质-CN201680068358.5有效
发明人： M·J·伯恩哈特;Y·金;D·S·弗罗斯特;T·E·艾伦三世;K·L·贝克尔;K·亚斯特列贝内特斯凯;R·A·威默尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：填充区域可以包括第一电介质层和设置在第一电介质层上的第二电介质层。第一电介质层可以包括有机(例如，基于碳的)旋涂电介质材料(CSOD)。例如，第二电介质层可以包括与第一电介质层不同的电介质材料，诸如无机电介质材料。描述和/或要求保护了其他实施例。
存储设备中的双层电介质

[发明专利]具有隧道电介质的太阳能电池-CN201910114397.X有效
发明人：戴维·D·史密斯 -专利权人：迈可晟太阳能有限公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池可具有第一电介质，所述第一电介质形成在硅基板的第一掺杂区上方。所述太阳能电池可具有第二电介质，所述第二电介质形成在所述硅基板的第二掺杂区上方，其中所述第一电介质是与所述第二电介质不同类型的电介质。掺杂半导体可形成在所述第一电介质和所述第二电介质上方。
具有隧道电介质太阳能电池

[发明专利]防止电荷丢失的存储器单元-CN201280072831.9有效
发明人： C-S.何;R.维拉维勒兹;X.P.曹 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种存储器单元包括基板、第一电介质层、浮置栅极、第二电介质层以及控制栅极。基板包括位于漏极区与源极区之间的沟道区。第一电介质层位于沟道区上面且浮置栅极通过第一电介质层而被电容耦合到沟道区。第二电介质层位于浮置栅极上面且控制栅极通过第二电介质层而被电容耦合到浮置栅极。电介质氮化物层位于浮置栅极与第二电介质层之间以防止从浮置栅极到第二电介质层的电荷丢失。
防止电荷丢失存储器单元

[发明专利]具有隧道电介质的太阳能电池-CN201580007956.7有效
发明人：戴维·D·史密斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池可具有第一电介质，所述第一电介质形成在硅基板的第一掺杂区上方。所述太阳能电池可具有第二电介质，所述第二电介质形成在所述硅基板的第二掺杂区上方，其中所述第一电介质是与所述第二电介质不同类型的电介质。掺杂半导体可形成在所述第一电介质和所述第二电介质上方。
具有隧道电介质太阳能电池

[发明专利]多模式腔体滤波器-CN201480009834.7有效
发明人： P.B.科宁格顿;D.R.亨德里;S.J.库珀 -专利权人：梅萨普莱克斯私人有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：一种多模式腔体滤波器，包括：至少两个电介质谐振器主体，第一电介质谐振器主体并入电介质材料的片段，所述电介质材料的片段具有使得其能够支持至少第一谐振模式和至少第二大幅退化的谐振模式的形状；第二电介质谐振器主体也包括电介质材料的片段，其电介质属性、形状和尺寸可以不同于第一电介质谐振器主体的那些；所述电介质材料的第二片段具有使得其能够支持至少第一谐振模式的形状；与两个电介质谐振器主体接触并且对其进行覆盖的导电材料层；出现在第一电介质谐振器主体和第二电介质谐振器主体的界面处的一个或多个导电材料层中的至少一个孔，以用于以下中的至少一个：从第二电介质谐振器主体向第一电介质谐振器主体传递信号，从第一电介质谐振器主体向第二电介质谐振器主体传递信号，以及从第一电介质谐振器主体输出信号，所述至少一个孔被布置用于以下中的至少一个：并行地将信号直接耦合到第一电介质谐振器内存在的第一谐振模式和第二大幅退化的谐振模式，以及并行地从第一电介质谐振器内存在的第一谐振模式和第二大幅退化的谐振模式直接耦合信号。
电介质谐振器谐振模式电介质材料导电材料层腔体滤波器传递信号直接耦合多模式退化并行电介质输出信号主体接触界面处覆盖

[发明专利]一种弯式射频三同轴电连接器-CN201010203825.5有效
发明人：席永军 -专利权人：贵州航天电器股份有限公司
申请日： 2010-06-21 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01R24/02 文献下载
摘要：一种弯式射频三同轴电连接器，包括锁紧套、外导体、外介质体、中间导体、内介质体、内导体、密封垫、卡圈、弹性垫圈、挡圈、后介质体、绝缘垫片、挡块、介质体和压套；在外导体上依次设有密封垫、卡圈、弹性垫圈和挡圈；后介质体前端面压在内导体和内介质体尾端，其内设有一个直通槽和槽；在后介质体与挡块之间设有绝缘垫片；所述的中间导体尾端焊接导线，内腔设有一个供焊接用的槽A，其下方设有一槽B；在所述外介质体的尾端设有一个槽
一种射频同轴连接器

[发明专利]三同轴转接接触件-CN201010130003.9无效
发明人：席永军 -专利权人：贵州航天电器股份有限公司
申请日： 2010-03-23 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01R31/06 文献下载
摘要：一种三同轴转接接触件，由中心导体、内介质体、中间导体、外介质体和外导体组成，中心导体外圆周中部设有环形凹槽，内介质体、中间导体中部设有径向通孔，同时中间导体外圆周还设有环形凹槽，外介质体与中间导体的环形凹槽对应位置设有径向分布的通孔，同时外介质体外圆周一端设有凹槽，通过在凹槽、通孔处灌封环氧胶将中心导体、内介质体、中间导体、外介质体固定，外介质体和外导体翻铆固定。
同轴转接接触

[实用新型]一种电子设备-CN202020522189.1有效
发明人：王珅 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电子设备，包括：金属壳体、金属凹槽体、天线介质体、馈电探针和射频芯片，金属壳体上开设有容置凹槽；金属凹槽体设置于容置凹槽内；天线介质体至少部分设置于金属凹槽体内；馈电探针插入天线介质体内这样，天线介质体和馈电探针均设置于容置凹槽内，从而避免了电子设备的其他部件对天线介质体发射的辐射信号的阻挡，增强了天线介质体的辐射性能；同时，金属凹槽体可以保证天线介质体的辐射信号朝向金属凹槽体的开口方向辐射，从而进一步增强天线介质体的辐射性能。
一种电子设备

[发明专利]半导体器件-CN202210472083.9在审
发明人：小清水亮;中柴康隆 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体器件包括半导体衬底、形成在半导体衬底上的栅极电介质膜、形成在栅极电介质膜上的栅极电极、与栅极电极一体形成的场板部、与场板部接触的阶梯电介质膜、以及高电介质常数膜，该高电介质常数膜与阶梯电介质膜接触并且具有高于硅的电介质常数
半导体器件

[发明专利]在堆叠的量子计算装置中的集成电路元件-CN201780088460.6在审
发明人： J.S.凯莉;J.Y.穆图斯 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：一种堆叠的量子计算装置包括：第一芯片，包括第一电介质基板和在第一电介质基板上的超导量子比特；以及第二芯片，接合到第一芯片并包括第二电介质基板、在第二电介质基板上的量子比特读出元件、在第二电介质基板上的控制线、覆盖控制线的电介质层以及覆盖电介质层的屏蔽层。
电介质基板电介质层量子计算芯片控制线堆叠集成电路元件超导量子读出元件接合屏蔽层覆盖量子

[发明专利]电介质瓷器组合物和电子部件-CN200810183711.1有效
发明人：阿满三四郎;宫内真理;关秀明 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2008-12-11 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供电介质瓷器组合物和电子部件，所述电介质瓷器组合物含有BaTiO₃和BaZrO₃，该电介质瓷器组合物的特征在于，由2个以上的电介质粒子(20)和晶界相(30)构成，设以BaTiO₃为主成分的电介质粒子(20)为第1电介质粒子(21)、以BaZrO₃为主成分的电介质粒子(20)为第2电介质粒子(22)、第1电介质粒子(21)的平均结晶粒径为D1、第2电介质粒子(22)的平均结晶粒径为D2时，D2与D1之比(D2/D1)为0.04～0.33、D2为0.02μm～0.25μm、第2电介质粒子(22)的总个数与第1电介质粒子根据本发明，能够提供击穿电压良好、适合用于额定电压高(例如100V以上)的中高压用途的电介质瓷器组合物。
电介质瓷器组合电子部件

[实用新型]一种电容器-CN201120388035.9有效
发明人：马年元 -专利权人：马年元
申请日： 2011-10-13 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01G5/013 文献下载
摘要：本实用新型涉及照明灯具领域，尤其为一种电容器，包括电极体、介质体以及电机，所述电极体包括两个对称的电容电极，所述介质体设置于电极体两电极之间，所述电机轴与所述介质体连接，转动电机，则介质体转动，所述介质体上不同部分设有不同介质
一种电容器

[发明专利]等离子显示器中用于电介质的印刷电路基板及其制造方法-CN200510110943.0无效
发明人：安正植;赵润熙 -专利权人：乐金电子（南京）等离子有限公司
申请日： 2005-11-30 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01J17/02 文献下载
摘要：本发明是关于等离子显示器中用于电介质的印刷电路基板及其制造方法，依据本发明的等离子显示器中用于电介质的印刷电路基板具有由以下几个部分构成的特征：形成电介质层的电介质材料；在电介质材料的上部或下部形成的保护薄膜在这里，电介质材料包括上部电介质材料和下部电介质材料。本发明的方法缩短等离子显示器的制造周期，减少其制造成本。
等离子显示器用于电介质印刷路基及其制造方法