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[发明专利]单晶硅锭及晶圆的形成方法-CN201610224914.5在审
发明人：肖德元 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅锭及晶圆的形成方法，采用区熔法形成单晶硅锭时，对熔融区中的硅通入含有氘元素的气体，使氘元素存储在单晶硅锭的间隙中，降低碳元素及其他杂质的含量；采用单晶硅锭形成晶圆后，在晶圆上形成器件时
单晶硅形成方法

[发明专利]制备具有均匀热过程的单晶硅的方法-CN00812335.7无效
发明人：小岛诚;石井安弘 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2000-08-11 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种生产单晶硅锭的Czochralski法具有一均匀的热过程。在该方法中,在晶锭的主体和尾锥生长的整个过程中使加到侧面加热器上的功率保持基本上恒定,而在主体的第二个一半和尾锥生长过程中逐渐增加加到底部加热器上的功率。本方法能得到一种晶锭,使从该晶锭生产出的晶片具有较少超过约0.2微米的光点缺陷,同时具有改善的栅氧化层完整性。
制备具有均匀过程单晶硅方法

[实用新型]一种晶体生长炉的称重结构-CN202122964272.1有效
发明人：郑丽霞;陆关斌;郑坚超;叶钢飞;叶雷江;梁晋辉 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C30B15/28 文献下载
摘要：本申请涉及晶体生长领域，尤其是涉及一种晶体生长炉的称重结构，包括：称重机构，称重机构设置于炉本体外部的顶部，称重机构包括：称重件，称重件作用于晶锭，用于对晶锭称重；加料机构，加料机构设置于炉本体外部的侧边本申请中通过称重机构对晶锭进行重量检测，在一定时间内晶锭的增加量即为熔体的减少量，通过第一电机和丝杆驱动开合板，使得料斗的料口打开，原料从料斗中进入到坩埚进行加料，通过控制开合板的敞开程度和敞开时间实现定量加料，从而使得坩埚内的熔体的液面高度保持相对稳定，从而达到稳定长晶的效果。
一种晶体生长称重结构

[发明专利]铸锭坩埚、晶硅锭及其制备方法、方硅锭的制备方法-CN201910851957.X在审
发明人：姚铮;白超;毛亮亮;吴坚;蒋方丹 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种铸锭坩埚、晶硅锭及其制备方法、方硅锭的制备方法，铸锭坩埚，包括坩埚体、位于所述坩埚体内的若干组预制棒，每组所述预制棒包括沿第一直线间隔设置的若干预制棒。本发明通过铸锭坩埚制备晶硅锭，再由晶硅锭制备方硅锭、由方硅锭制备的硅片具有导槽，基于该硅片制备的电池片，其主栅至少一端具有引导槽；可采用普通焊带将若干所述电池片串联成电池串，且至少部分所述焊带位于所述引导槽内
铸锭坩埚晶硅锭及其制备方法方硅锭

[发明专利]硅单晶长晶方法-CN201911151325.9有效
发明人：陈俊宏;王兴邦;徐文庆;李依晴 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C30B15/16 文献下载
摘要：本发明公开一种硅单晶长晶方法及硅单晶长晶设备，所述硅单晶长晶方法包括：提供炉体、不会相对于炉体转动的支撑座与坩埚、及设置于支撑座外围的加热模块；在坩埚内的硅熔汤液面实施固化以形成晶体后，逐次调降加热模块的加热功率而对坩埚的外周围区域进行适当的温度调节，并有效控制坩埚周围热场的温度梯度，借以得到由所述硅熔汤固化形成的一硅单晶晶锭。
硅单晶长晶方法

[实用新型]一种宝石切割用夹具-CN202320955829.1有效
发明人：宋学瑞;林盛然 -专利权人：合肥先端晶体科技有限责任公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种宝石切割用夹具，涉及宝石加工技术领域。夹具包括基座，基座的一侧连接有横杆，横杆上沿其长度方向可活动的设置有安装座，安装座上设置有用于横杆穿过的通孔A、且安装座上还设置有羊角螺栓A；基座的顶部设置有支臂，支臂的端部设置有夹块B；安装座的顶部设置有伸缩机构本实用新型通过设置安装座沿横杆长度方向可活动安装、以及利用伸缩机构带动一夹块B移动，在保持伸缩机构处于最大行程为夹紧状态时，通过移动安装座来调整当伸缩机构处于最大行程时，夹块B和夹块A之间的间隙，从而满足对多种不同尺寸的晶棒/晶锭进行夹持。
一种宝石切割夹具

[实用新型]一种适用于通过铸锭方法生产单晶硅锭的铸锭炉-CN201220282936.4有效
发明人：甘大源;陈文杰;刘坤 -专利权人：甘大源
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于通过铸锭方法生产单晶硅锭的铸锭炉，包括炉体、所述炉体内的硅熔融锅，所述炉体上方设置旋转丝杆伸入所述硅熔融锅内，所述旋转丝杆底部安装仔晶，所述旋转丝杆上设置距离传感装置，传感所述旋转丝杆底部到所述硅熔融锅内熔融硅液面的距离本实用新型的优点是在铸锭炉内生产出单晶硅锭和类单晶硅锭，仅需要一块仔晶，无需在铸锭炉底部铺设仔晶，制得的产品主要为单晶硅锭，只有边缘为类单晶硅锭，制作成电池片的转换效率较高，综合成本低于通过直拉法制作的单晶硅锭和通过铸锭的方式生产的多晶硅锭
一种适用于通过铸锭方法生产单晶硅

[发明专利]具有基本上没有氧化诱生堆垛层错的空位为主的芯的低缺陷密度硅-CN200710165044.X无效
发明人： C·B·金;S·L·金贝尔;J·L·利伯特;M·巴南 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2002-01-22 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备单晶硅锭的方法，以及涉及晶锭或由晶锭产生的晶片。该方法包括控制(i)生长速度v，(ii)平均轴向温度梯度Go，及(iii)晶体从固化到约750℃的冷却速率，以便形成一个晶段，所述晶段具有一个第一轴向上对称的区域和一个第二轴向上对称的区域，上述第一轴向上对称的区域从晶锭的侧表面径向上向内延伸，其中硅自填隙是主要的本征点缺陷，而上述第二轴向上对称的区域从第一轴向上对称的区域径向上向内和朝晶锭的中心轴线延伸。所述方法的特征在于：对v、Go和冷却速率都进行控制，以防止在第一区域内形成附聚的本征点缺陷，同时进一步控制冷却速率，以便在晶片经受另外适合于形成氧化诱生堆垛层错的氧化处理时，限制在由这个晶段所得到的晶片中形成氧化诱生堆垛层错
具有基本上没有氧化堆垛空位为主缺陷密度

[发明专利]具有基本上没有氧化诱生堆垛层错的空位为主的芯的低缺陷密度硅-CN02805098.3无效
发明人： C·B·金;S·L·金贝尔;J·L·利伯特;M·巴南 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2002-01-22 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备单晶硅锭的方法，以及涉及晶锭或由晶锭产生的晶片。该方法包括控制(i)生长速度v，(ii)平均轴向温度梯度Go，及(iii)晶体从固化到约750℃的冷却速率，以便形成一个晶段，所述晶段具有一个第一轴向上对称的区域和一个第二轴向上对称的区域，上述第一轴向上对称的区域从晶锭的侧表面径向上向内延伸，其中硅自填隙是主要的本征点缺陷，而上述第二轴向上对称的区域从第一轴向上对称的区域径向上向内和朝晶锭的中心轴线延伸。所述方法的特征在于：对v、Go和冷却速率都进行控制，以防止在第一区域内形成附聚的本征点缺陷，同时进一步控制冷却速率，以便在晶片经受另外适合于形成氧化诱生堆垛层错的氧化处理时，限制在由这个晶段所得到的晶片中形成氧化诱生堆垛层错
具有基本上没有氧化堆垛空位为主缺陷密度

[发明专利]一种表征铸锭长晶界面的方法-CN201710458233.X有效
发明人：王双丽;游达;黄春来 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种表征铸锭长晶界面的方法，检测小方锭的电阻率并记录电阻率在小方锭上的高度位置，建立电阻率的高度位置的数据矩阵，根据数据矩阵表征铸锭平行于长晶方向的任一横截面的长晶界面形状，或表征铸锭的同一电阻率的二维或三维界面；由于硅锭中的电阻率与掺杂剂的浓度正相关，因此电阻率的分布反应了硅锭中掺杂剂浓度大小，即在同一时刻同一固液界面完成长晶的多晶硅具有相同的掺杂剂浓度和电阻率值，因此通过获得电阻率的分布特点，能够较准确的得到长晶界面形状，进而揭示多晶硅铸锭过程的长晶行为。
一种表征铸锭界面方法

[发明专利]一种电阻法碳化硅晶体生长用坩埚-CN201910124304.1在审
发明人：张岩;赵然;董伟;付吉国;周卫东;曾蕾 -专利权人：国宏中晶集团有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种电阻法碳化硅晶体生长用坩埚，包括顶盖、上籽晶片架、上压片、上籽晶压环、上籽晶片、晶锭、下籽晶压环、下籽晶片架、下压片、坩埚底筒和下籽晶片，所述坩埚底筒内侧底部安置有下籽晶片架，且下籽晶片架正中心处放置有下籽晶片，所述下籽晶片上方放置有下压片，所述下籽晶压环上放置有横截面与坩埚底筒内部横截面完全相同的晶锭，所述晶锭上方压有上籽晶压环，且上籽晶压环上方放置有上压片，所述上压片上方放置有上籽晶片，且上籽晶片上方放置有上籽晶片架
下籽晶坩埚籽晶片压环上压片底筒晶锭片架籽晶碳化硅晶体顶盖电阻法下压片底筒顶部生长正中心胶粘螺丝外设安置

[发明专利]一种切割不规则半导体晶体的预处理方法-CN202211497487.X在审
发明人：王守志;曹文豪;张雷;王国栋;俞娇仙;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：将模具加热后，用石蜡将模具内壁均匀涂覆，然后在空气中冷却至室温，石蜡完全凝固形成石蜡缓冲层；在模具内放入体块状晶锭，在晶锭与石蜡层之间灌注改性丙烯酸酯或其他高强度胶黏剂，静置使胶黏剂凝固；将灌胶后的模具加热使石蜡熔化，完成脱模；将脱模后的晶锭粘接到石墨块上，石墨块再粘接到切割机料板上，进行后续的切割工作。
一种切割不规则半导体晶体预处理方法

[发明专利]一种多线切割机线网张力测量装置及方法-CN201510391150.4有效
发明人：黎振;王敏杰;蔡玉俊;倪永明;李敬财;田慧卿;王海瑞 -专利权人：天津职业技术师范大学;大连理工大学
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：在多线切割机加工晶锭过程中张力是一个重要的参数，线网上的张力是变化的并且难以通过普通的张力检测工具测量。所述测量装置的测量原理是根据被测线在竖直方向力达到平衡，利用可测的重力等效于被测线所受晶锭的压力，从而计算出线的张力，装置包括测量支柱、T型连接杆、压力传感器、连接线、长形盒、配重液、万用表以及中间夹着导电薄片的晶锭构成
一种切割机张力测量装置方法

[发明专利]一种晶锭生长炉及生长碲化铋晶锭的方法-CN201910161377.8有效
发明人：金应荣;贺毅;张勤勇;廖榆文;陈巧;彭潘;王浚臣;王梦嘉;杜辉;杨阳;陈英 -专利权人：西华大学
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶锭生长炉及生长碲化铋晶锭的方法，涉及材料工程技术领域，该晶锭生长炉包括低温管式加热装置、端面加热装置以及高温管式加热装置，端面加热装置具有相对的加热侧和冷却侧，加热侧设置有加热件，高温管式加热装置设置在加热侧通过对高温管式加热装置和低温管式加热装置分别设置不同温度，同时辅以端面加热装置对加热侧的空间进行加热，使得低温管式加热装置与端面加热装置之间温差较大，距离较短，大大提高了制备晶锭时固液界面处的温度梯度，使得凝固速度加快，避免了形核过程，进而提高了碲化铋晶锭的制备速度。
一种生长碲化铋晶锭方法

[发明专利]晶锭线切割装置-CN201210473704.1无效
发明人：郡司拓;贺贤汉 -专利权人：上海汉虹精密机械有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及晶锭线切割装置，包括：线切割摇动部；切割线导轮，所述切割线导轮设置在所述线切割摇动部上，所述线切割导轮的数量为两个，在所述切割线导轮的表面附有多个线槽；切割线，所述切割线卡在所述线槽内，所述切割线连接在两个所述线切割导轮之间；所述切割线的摇动轴中心和晶锭切断部处于同一水平面上。本发明晶锭线切割装置将切割线的摇动部分上所设置的表面附有很多线槽的切割线导轮进行重新布置，切割线的摇动轴中心和晶锭切断部处于同一水平。这样，摇动时切割线的上下移动就会消失，能够保持长时间和晶锭接触，能够提高切断效率；同时，就算缩短停止时间，切断效率也不会降低，切屑也能更有效地排出，能够更有效地提高切断效率。
晶锭线切割装置