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[发明专利]一种碲化铋基织构化块体热电材料的制备方法-CN201910194959.6在审
发明人：蒋俊;王鸿翔;罗国强;胡皓阳 -专利权人：浙江赛美克电子科技有限公司
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化铋基块体热电材料的制备方法，该方法将磁场辅助区熔工艺、逐层覆盖加压且振动辅助取向工艺、冷等静压工艺、真空烧结工艺以及热等静压工艺相结合，以高纯碲、铋、锑、硒等为原料，首先采用区熔法制备碲化铋晶锭，然后将晶锭粉碎、研磨、过筛，再利用逐层覆盖加压且振动辅助取向工艺将过筛粉料压制成块体材料，最后采用冷等静压工艺、真空烧结工艺和热等静压工艺相结合，制备具有良好取向性且接近完全致密的织构化块体热电材料；本发明可显著提高碲化铋晶粒取向性，获得的碲化铋基块体材料兼具良好的热电性能和机械加工性能，是一种材料利用率高、简单易行、制备效率高，具有良好应用前景的制备方法。
一种碲化铋基织构化块体热电材料制备方法

[发明专利]一种晶锭生长炉及生长碲化铋晶锭的方法-CN201910161377.8有效
发明人：金应荣;贺毅;张勤勇;廖榆文;陈巧;彭潘;王浚臣;王梦嘉;杜辉;杨阳;陈英 -专利权人：西华大学
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶锭生长炉及生长碲化铋晶锭的方法，涉及材料工程技术领域，该晶锭生长炉包括低温管式加热装置、端面加热装置以及高温管式加热装置，端面加热装置具有相对的加热侧和冷却侧，加热侧设置有加热件，高温管式加热装置设置在加热侧通过对高温管式加热装置和低温管式加热装置分别设置不同温度，同时辅以端面加热装置对加热侧的空间进行加热，使得低温管式加热装置与端面加热装置之间温差较大，距离较短，大大提高了制备晶锭时固液界面处的温度梯度，使得凝固速度加快，避免了形核过程，进而提高了碲化铋晶锭的制备速度。
一种生长碲化铋晶锭方法

[发明专利]一种提高n型碲化铋基热电材料电性能的方法-CN202210604945.9有效
发明人：苏紫珊;蔡新志;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10N10/852 文献下载
摘要：本发明属于碲化铋基热电材料技术领域，公开了一种提高n型碲化铋基热电材料电性能的方法。本发明提供一种提高n型碲化铋基热电材料电性能的方法包括以下步骤：以名义组分为Bi2Te3‑xSex的晶棒为原料，打磨表面，清洗干燥得洁净晶棒；所述x＝0.2～0.5；取所得洁净晶棒，破碎，投入熔炼坩埚底部，进行磁悬浮熔炼至破碎晶棒完全熔化；精炼，快速浇铸，冷却得n型碲化铋基合金；取所得n型碲化铋基合金，粉碎，筛分得n型碲化铋基合金粉体；取所得n型碲化铋基合金粉体，置于模具中烧结，即得。本发明的方法可制得到沿(00l)方向择优取向的n型碲化铋基热电材料，其电性能得到较大的提升。
一种提高型碲化铋基热电材料性能方法

[发明专利]一种基于铜辅助挤出成形的p型碲化铋基超细晶热电材料的制备方法-CN202210837601.2在审
发明人：胡晓明;韩学武;胡浩;樊希安 -专利权人：湖北赛格瑞新能源科技有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明属于碲化铋基热电材料技术领域，特别是一种基于铜辅助挤出成形的p型碲化铋基超细晶热电材料的制备方法。本发明提供了一种通过铜掩体辅助挤出成形技术制备p型碲化铋基超细晶热电材料的方法，利用高强度高延展性铜掩体为材料施加轴向约束，有效避免高速大形变热挤压过程碲化铋脆性开裂，缓解热挤压过程的不均匀变形，同时充分累计形变能诱导再结晶细化晶粒，晶粒在定向变形的方向产生择尤取向，能提高载流子迁移率，碲化铋材料在约束下变形，可诱导孪生并产生共格孪晶界，从而同时大幅强化p型碲化铋基热电材料的力学和热电性能。
一种基于辅助挤出成形型碲化铋基超细晶热电材料制备方法

[发明专利]一种基于铜辅助挤出成形的n型碲化铋基超细晶热电材料的制备方法-CN202210836850.X有效
发明人：胡晓明;韩学武;胡浩;樊希安 -专利权人：湖北赛格瑞新能源科技有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明属于碲化铋基热电材料技术领域，特别是一种基于铜辅助挤出成形的n型碲化铋基超细晶热电材料的制备方法。本发明提供了一种通过铜掩体辅助挤出成形技术制备n型碲化铋基超细晶热电材料的方法，能有效避免高速大形变热挤压过程碲化铋脆性开裂，缓解热挤压过程的不均匀变形，同时充分累计形变能诱导再结晶细化晶粒，晶粒在定向变形的方向产生择尤取向能显著提高载流子迁移率，碲化铋材料在约束下变形可诱导孪生并产生共格孪晶界，提高塞贝克系数和电导率、降低热导率，从而同时大幅强化n型碲化铋基热电材料的力学和热电性能。
一种基于辅助挤出成形型碲化铋基超细晶热电材料制备方法

[发明专利]一种p型碲化铋基合金材料及其制备方法-CN202110490905.1有效
发明人：苏紫珊;蔡新志;朱刘;童培云;肖惠云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种p型碲化铋基合金材料及其制备方法，属于热电材料技术领域。本发明所述择优取向的p型碲化铋基合金材料的制备方法，包括如下步骤：(1)将p型碲化铋基合金前驱体进行区域熔炼，得到p型碲化铋基合金晶棒；(2)将步骤(1)得到的p型碲化铋基合金晶棒投入锤磨筛分机中进行锤击、筛分，即得p型碲化铋基合金材料。本发明采用区域熔炼和锤击筛分相结合的制备方法，所制备的p型碲化铋基合金材料在(00l)晶面方向具有高取向性，可以为应用粉末冶金工艺研究提高p型碲化铋基热电材料提供高取向性原料进行实验开发，易于提升材料的热电性能和机械性能
一种型碲化铋基合金材料及其制备方法

[发明专利]一种去除碲化铋加工废材镀镍镀锡层的清洁液、应用及制备碲化铋晶棒的方法-CN202211025443.7在审
发明人：李明;翟仁爽;崔博然;唐泽丰 -专利权人：杭州大和热磁电子有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C23F1/28 文献下载
摘要：本发明涉及碲化铋加工废材的回收技术领域，公开一种去除碲化铋加工废材镀镍镀锡层的清洁液，包括脱镀层液，以100%计，所述脱镀层液含有以下质量占比的各组分：硝酸5%～60%、氢氟酸5%～30%、硫酸5%～20%本发明提供的清洁液能够有效脱除碲化铋废材表面的锡、镍，且不引入材质，回收的材料干净，完全不同于传统的湿法冶金进行单个元素分离提纯的方法，回收工艺简单；且回收的碲化铋加工废材可以直接用于制备碲化铋晶棒，所得碲化铋晶棒的性能较佳，能够满足使用需求，提高了碲化铋材料的利用率，降低了生产成本。
一种去除碲化铋加工废材镀镍镀锡清洁应用制备碲化铋晶棒方法

[发明专利]一种大高度截面积比碲化铋温差电元件切割方法-CN201010604928.2有效
发明人：张丽丽;任保国;刘佳林 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种大高度截面积比碲化铋温差电元件切割方法，步骤包括：(1)：将碲化铋锭块加工出高度尺寸的两平面，一平面粘贴在一个平板料托上；(2)：用圆切片机将锭块切成多片与长度尺寸相同的薄片；(3)：将用丙酮中将薄片与料托分离；(4)：用双面胶将多片薄片粘结在一起；(5)：用圆切片机将(4)中粘结在一起的薄片切割成宽度尺寸的薄片；(6)：将用丙酮中将薄片与料托分离；(7)：剔除胶带，将切割好的碲化铋温差电元件在去离子水中浸泡0.5h-1h，使碲化铋温差电元件间相互分离，用电吹风吹干，即完成大高度截面积比碲化铋温差电元件的切割。
一种高度截面碲化铋温差元件切割方法

[发明专利]一种高热电性能p型碲化铋基热电材料及其制备方法和应用-CN202210604944.4有效
发明人：苏紫珊;蔡新志;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明属于碲化铋基热电材料技术领域，公开了一种高热电性能p型碲化铋基热电材料及其制备方法和应用。本发明的高热电性能p型碲化铋基热电材料的制备方法包括：以名义组分为BixSb2‑xTe3晶棒为原料，打磨表面，清洗干燥，得洁净晶棒；破碎，投入熔炼坩埚底部，进行磁悬浮熔炼至破碎晶棒完全熔化；精炼，快速浇铸，冷却，得p型碲化铋基合金；粉碎，筛分，得p型碲化铋基合金粉体；置于模具中烧结本发明可得到沿(00l)方向择优取向的p型碲化铋基热电材料，其电性能得到较大的提升；操作简单，制备周期短，适用于商业化大规模生产和应用。
一种热电性能型碲化铋基材料及其制备方法应用

[发明专利]一种n型碲化铋基合金粉体及其制备方法-CN202110494317.5有效
发明人：苏紫珊;蔡新志;朱刘;童培云;肖惠云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型碲化铋基合金粉体及其制备方法，涉及热电材料技术领域。本发明所述n型碲化铋基合金粉体的制备方法包括如下步骤：(1)以Bi、Te、Se单质为原料，按照名义组分Bi2Te3‑xSex化学计量比称取原料，其中，0.3≤x≤1；(2)在摇摆炉中进行熔炼；(3)区域熔炼，得到n型碲化铋基合金晶棒；(4)对n型碲化铋基合金晶棒进行锤磨筛分，得到所述n型碲化铋基合金粉体。n型碲化铋基合金材料无法兼顾热电性能和力学性能的问题。
一种型碲化铋基合金粉及其制备方法

[发明专利]一种高织构化纳米晶碲化铋的制备方法-CN202111068225.7有效
发明人：耿慧远;祝昊 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：一种高织构化纳米晶碲化铋的制备方法，涉及一种纳米晶碲化铋的制备方法。为了解决现有方法得到的碲化铋中织构与纳米晶不能共存的问题。base:Sub>3‑y的化学计量比称取原料，原料熔炼后熔融旋淬制备薄带，将薄带状材料沿同一方向堆叠排列，然后置于石墨模具中，利用热压炉在惰性气体保护下进行热压，得到高织构化纳米晶碲化铋基材料本发明采用熔融旋淬法制备薄带原材料产生纳米级别的晶粒，薄带中的晶粒基本为沿薄带厚度方向生长的柱状晶引入了织构，对薄带进行堆叠热压烧结，能够保证织构的完整性，实现纳米级晶粒与织构同时保留。本发明适用于制备高织构化纳米晶碲化铋。
一种高织构化纳米晶碲化铋制备方法

[发明专利]一种分级结构的碲化铋纳米晶及其制备方法-CN201310016348.5无效
发明人：邹勃;肖冠军 -专利权人：吉林大学
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明的一种分级结构的碲化铋纳米晶及其制备方法属于纳米材料及其合成方法的技术领域。首先将醋酸铋，油酸和十八烯装入容器中并伴随着磁力搅拌，在氮气的保护下逐步升温至醋酸铋完全溶解。随后逐渐降至室温。在室温下将事先配制的碲的三辛基膦溶液加入到容器中，在140~240℃下反应并保温0.5~6小时。本发明利用溶胶–凝胶法制备出分级结构的碲化铋纳米晶，并可以通过改变反应温度和时间，实现碲化铋纳米晶尺寸、形貌的控制。
一种分级结构碲化铋纳米及其制备方法

[发明专利]热电晶棒挤压工艺-CN202211377804.4在审
发明人：温汉军 -专利权人：浙江万谷半导体有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C30B28/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种挤压晶棒工艺，包括以下步骤：S1：原料选取，取硒、碲、铋和氯化铋配置N挤压晶棒，取锑、碲和铋配置P挤压晶棒；S2：混合原料，将S1步骤中的N挤压晶棒原料和P挤压晶棒原料混合真空封装；S3：高温融化原料，随后将真空封装中的原料使用高频炉进行加热熔炼，从而使原料融化成碲化铋合金；S4：冷却粉碎，之后将碲化铋合金进行冷却，然后放置到粉碎机进行粉碎；S5：加热成型，将粉碎之后的碲化铋合金碎片放置到热挤压装置中进行加热挤压
热电挤压工艺

[发明专利]碲化铋复合合金粉体、其块体合金及其制造方法-CN201310368199.9有效
发明人：谢慧霖;黄菁仪 -专利权人：中国钢铁股份有限公司
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明是有关于一种碲化铋复合合金粉体、其块体合金及其制造方法，在排除使用预熔步骤、真空熔炼步骤、急冷步骤及/或磨碎步骤的情况下，利用多个高能量球磨步骤制得碲化铋复合合金粉体，再将其经真空热压步骤成型，即可制得碲化铋复合块体合金上述的碲化铋复合合金粉体与其块体合金具有均匀掺杂的非晶合金微粒，而所得的碲化铋复合块体合金于500K至600K具有优异的热电优值(ZT值)。
碲化铋复合合金粉块体合金及其制造方法

[发明专利]一种碲化铋基块体纳米晶热电材料的制备方法-CN201010029018.6无效
发明人：樊希安;李光强;鲍思前;宋新莉;朱诚意;薛正良;王炜 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2010-01-19 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： B22F3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲化铋基块体纳米晶热电材料及其制备方法。第一步以质量百分含量大于99.99％的单质粉末为原料，按(SbxBi1-x)2Te3或Bi2(SeyTe1-y)3化学式配料，其中0.75≤x≤0.85，0.04≤y≤0.06，混合均匀，再采用球磨机进行球磨处理，制得碲化铋基合金纳米粉末第二步将第一步所得碲化铋基合金纳米粉末装入石墨模具或陶瓷模具后置于微波辐照加压烧结设备中进行烧结：在对粉末施加压力为10～40MPa的条件下升温至300～550℃，然后在对粉末施加压力为30～60MPa的条件下保温10～60min，获得碲化铋基块体纳米晶热电材料。本发明具有投资省、生产成本低、工艺简单、周期短的特点，所制得的碲化铋基块体纳米晶热电材料性能高。
一种碲化铋基块体纳米热电材料制备方法

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