专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]适应多种植物种植的培养装置-CN202011113492.7在审
  • 李明贵 - 李明贵
  • 2020-10-17 - 2021-01-05 - A01G9/16
  • 本发明公开了适应多种植物种植的培养装置,包括用于放置植物培养腔室、设置在培养腔室内以检测植物的生长阶段以及培养环境数据检测模块主控模块与数据库、选择模块、培养设备,主控模块与检测模块电性连接以接收生长阶段以及培养环境数据,数据库用于分类储存有基于不同植物类型的各个生长阶段的标准培养环境参数;选择模块与主控模块连接以设定所需培养的植物类型;培养设备用于调节培养腔室内培养条件,主控模块与培养设备电性连接以根据在该植物类型的不同生长阶段下培养环境数据与标准培养环境参数调节培养设备运行;本设计形成反馈调节,合理地控制植物的种植环境,模拟出外界自然环境的生态条件,使得蔬菜等植物的生长质量大大提高。
  • 适应多种植物种植培养装置
  • [外观设计]电脑的查看生长周期图形用户界面-CN201930712894.0有效
  • 刘波;张哲维;李积祥;刘嘉铿 - 广州极飞科技有限公司
  • 2019-12-19 - 2020-06-26 - 14-02
  • 1.本外观设计产品的名称:电脑的查看生长周期图形用户界面。2.本外观设计产品的用途:本产品用于运行程序。3.本外观设计产品的设计要点:在于屏幕中的图形用户界面的界面内容,其余部分为惯常设计。5.图形用户界面的用途:本图形用户界面的设计点在于用户可以通过该设计筛选出不同的生长周期及阶段所对应的农作物,并且可以在地块上显示当前农作物的状态。主视图为选择生长周期中的苗期阶段的状态界面,右边地图上高亮显示的地块处于苗期生长状态。用户可以选择左边区域的生长周期的任意阶段,右侧界面用来显示筛选出的处于该阶段对应状态的地块,如界面变化状态图所示。
  • 电脑查看生长周期图形用户界面
  • [发明专利]一种植物照明装置的频闪方法-CN201810017006.8有效
  • 李成宇;张洪杰;王森 - 中科稀土(长春)有限责任公司
  • 2018-01-08 - 2020-06-19 - A01G7/04
  • 本发明涉及一种植物照明装置的频闪方法,包括:设置驱动电路的照明组件网络与用于接收恒定电压的一组输入端子连接以接收周期性的脉冲电压,驱动电路调节输入的脉冲电压并且将一个脉冲周期切分为至少两个阶段,至少一个阶段为电压值从设定值变化至零伏电压的变压阶段,一个阶段为无电压阶段,照明组件响应于变压阶段的电压和/或电流变化调整发光时长、发光强度、发光光谱和/或发光曲线的变化规律以发出可控光,照明组件响应于无电压阶段的无电压状态而产生发光强度/亮度接近或等于零坎德拉的可控光,基于植物位置参数、生长阶段特征和/或生长元素特征来选择对应的照明控制方案,使得照明组件的周期性光变化与植物的生长需求匹配。
  • 一种植物照明装置方法
  • [发明专利]一种低位错密度的碳化硅单晶生长方法-CN202210214553.1有效
  • 王蓉;徐所成;皮孝东;许彬杰;王亚哲;陈鹏磊;杨德仁 - 浙江大学杭州国际科创中心
  • 2022-03-07 - 2022-05-17 - C30B29/36
  • 本发明公开了一种低位错密度的碳化硅单晶生长方法,包括以下几个步骤:将碳化硅籽晶粘接于石墨托后放入生长腔室内,进行碳化硅第一阶段生长,形成带贯穿型位错的碳化硅晶体;将生长腔室加热,压强降低,加入含碳气体,通过低速台阶流生长模式进行碳化硅第二阶段生长,在碳化硅表面形成第一缓冲层;停止加入含碳气体,生长腔室内载气恢复至初始状态,提高腔室内压强,进行碳化硅第三阶段生长,第一缓冲层表面形成第二缓冲层;调整腔室压强,进行碳化硅单晶生长生长完成后,降温、降压,获得低位错密度的碳化硅单晶,本发明通过缓冲层迭代方法调控碳化硅单晶生长过程中的位错演变,降低碳化硅单晶中的位错密度,实现高质量碳化硅单晶的生长
  • 一种低位密度碳化硅生长方法

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