专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶圆封装方法-CN201310461788.1在审
  • 丁万春 - 南通富士通微电子股份有限公司
  • 2013-09-30 - 2014-01-01 - H01L25/16
  • 本发明涉及一种晶圆封装方法,包括:提供承载板,并在承载板的一面上设置芯片和封料,并使封料表面裸露出芯片的连接部件;在所述封料上形成与所述连接部件电连接的金属再布线;在所述金属再布线上形成保护膜,并形成露出金属再布线的开口;在所述开口内形成与金属再布线连接的金属,并在金属上形成金属;本发明提供的晶圆封装方法可对多个芯片进行封装,具有较高的集成度和整合度。
  • 封装方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201510448508.2有效
  • 黄春福 - 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
  • 2015-07-28 - 2019-03-01 - H01L23/488
  • 本发明之一实施例提供一种半导体装置,该半导体装置包括一基板,其中该基板包含一接垫;以及一钝化配置于该基板上方,其中该钝化层系局部覆盖该接垫:一金属,配置于该基板上方,其中该金属层系与该接垫耦合;一导电凸块,配置于该金属之上方,其中该导电凸块,包含:一柱体,系连接该金属;一帽体,配置于该柱体的顶部,其中,该帽体包含一底部截面积系大于该柱体的截面积,该帽体之底部距离该钝化之上表面具有一间隔;以及一焊,系包覆该导电凸块。
  • 半导体装置
  • [发明专利]晶圆封装结构-CN201310462968.1无效
  • 丁万春 - 南通富士通微电子股份有限公司
  • 2013-09-30 - 2014-01-01 - H01L25/065
  • 本发明涉及一种晶圆封装结构,包括:承载板,所述承载板的一面上设有芯片以及封料,所述封料表面裸露出芯片的连接部件;形成于所述封料上的与所述连接部件连接的金属再布线;形成于所述金属再布线上的保护膜,所述保护膜具有露出所述金属再布线的开口;形成于所述开口内与所述金属再布线连接的金属;形成于所述金属上的金属;本发明提供的晶圆封装结构可对多个芯片进行封装,具有较高的集成度和整合度。
  • 封装结构
  • [发明专利]具有金属柱结构的芯片-CN200910211805.X有效
  • 罗健文;陈建汎 - 日月光半导体制造股份有限公司
  • 2009-10-30 - 2011-05-11 - H01L23/485
  • 本发明是关于一种具有金属柱结构的芯片。该芯片包括一芯片本体、至少一芯片焊垫、一第一保护、一金属及至少一金属柱结构。该芯片本体具有一主动面。该芯片焊垫位于该主动面。该金属层位于该芯片焊垫上。该金属柱结构位于该金属上,且包括一金属柱及一焊料。该金属柱位于该金属上。该焊料位于该金属柱上,且该焊料所形成的最大直径小于或等于该金属柱的直径。藉此,当该芯片中二个相邻金属柱结构之间距为微间距时,可避免焊料桥接的问题,以提升良率。
  • 具有金属结构芯片
  • [发明专利]芯片封装方法-CN201010534406.X有效
  • 石磊;陶玉娟;高国华;舜田直实;目黑弘一 - 南通富士通微电子股份有限公司
  • 2010-11-05 - 2011-04-27 - H01L21/50
  • 本发明提供了一种芯片封装方法,包括步骤:提供半封装晶圆,所述办封装晶圆上具有切割道以及芯片的金属焊垫;采用选择性形成工艺在所述金属焊垫上形成金属电极;在晶圆上、金属电极以外区域形成保护,且所述保护覆盖于所述切割道上;在所述金属电极上形成焊;沿切割道对晶圆进行划片。本发明能够使得切割道内的金属在制作金属电极时不受到影响,且在切割后能够保护分立芯片的侧面,工艺流程简单,提高了封装效率以及成品率。
  • 芯片封装方法
  • [发明专利]半导体封装-CN201911088966.4在审
  • 朴正镐;金钟润;裵珉准 - 三星电子株式会社
  • 2019-11-08 - 2020-06-26 - H01L23/498
  • 一种半导体封装包括:重分配基底,具有彼此相对的第一表面与第二表面,且包括绝缘构件、多个重分配及重分配通孔,所述多个重分配在所述绝缘构件中位于不同的水平层级上,所述重分配通孔具有在第一方向上从所述第二表面朝所述第一表面变窄的形状;多个金属(UBM),各自包括金属焊盘及金属通孔,所述金属焊盘位于所述重分配基底的所述第一表面上,所述金属通孔具有在与所述第一方向相反的第二方向上变窄的形状;以及至少一个半导体芯片,位于所述重分配基底的所述第二表面上,且具有多个接触焊盘,所述多个接触焊盘电连接到所述多个重分配中与所述第二表面相邻的重分配
  • 半导体封装
  • [发明专利]晶圆封装方法-CN201310462970.9有效
  • 丁万春 - 南通富士通微电子股份有限公司
  • 2013-09-30 - 2014-03-19 - H01L21/60
  • 本发明涉及一种晶圆封装方法,包括:提供基板,并在基板的一面上形成沟槽,将芯片贴于所述沟槽内;在基板上形成封料,并裸露出芯片的连接部件;在所述封料上形成与所述连接部件电连接的布线;在所述布线上形成保护膜,并形成露出布线的开口;在所述开口内形成与布线连接的金属,并在金属上形成金属;本发明提供的晶圆封装方法可对多个芯片进行封装,具有较高的集成度和整合度。
  • 封装方法

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