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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基于空腔包围结构的环形栅场效应晶体管及制备方法-CN202010850781.9在审
发明人：刘强;俞文杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种基于空腔包围结构的环形栅场效应晶体管及制备方法，场效应晶体管包括依次层叠的基底、绝缘层及半导体顶层，半导体顶层上设置有呈环形的环形栅极，半导体顶层中形成有第一极与第二极，第一极位于环形栅极内侧并被环形栅极包围，第二极位于环形栅极外侧并包围环形栅极，绝缘层中形成有环形空腔，环形空腔在垂直投影方向上包围第一极，且环形空腔在垂直投影方向上与环形栅极具有交叠。本发明在源区或漏区下方引入环型空腔，并且将栅极设置成与所述环型空腔对应的环形栅极结构，可以彻底消除绝缘层导电沟道重叠构成的侧边结构，消除漏电通道，可大大提高抗总剂量辐照性能。
基于空腔包围结构环形场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种可变间距的压电栅极-CN202010087501.3有效
发明人：朱悉铭;孟圣峰;宋田举;王彦飞;习薇;于达仁 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： F03H1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种可变间距的压电栅极，包括带有卡头的屏栅极、带有卡头的环形隔热绝缘陶瓷套、环形隔热绝缘陶瓷片、环形压电陶瓷、压电陶瓷驱动电源和加速栅极，环形隔热绝缘陶瓷套套设在屏栅极上，且环形隔热绝缘陶瓷套的卡头与屏栅极的卡头相配合，环形压电陶瓷套设在环形隔热绝缘陶瓷套上，环形隔热绝缘陶瓷片设置在环形压电陶瓷的顶部，环形压电陶瓷的底端与环形隔热绝缘陶瓷套的卡头固定，环形压电陶瓷的顶端与环形隔热绝缘陶瓷片固定，并在两端的高温固化导电胶中各加入一根导线本发明利用压电陶瓷来改变栅极之间的距离，匹配因推力改变所需的电压变化，从而保持栅极的离子光学束流聚焦状态。
一种可变间距压电栅极

[发明专利]高电子迁移率晶体管器件及制作高电子迁移率晶体管的方法-CN202111656493.0在审
发明人：阿布舍克·班纳吉;皮特·莫昂;赫伯特·德维利斯古威尔;彼得·科庞 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明描述了高电子迁移率晶体管器件及制作高电子迁移率晶体管的方法，该高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有环形栅极、设置在环形栅极内的漏极区以及设置在环形栅极周围的环形源极区。环形栅极和环形源极区可以形成完整的圆圈。
电子迁移率晶体管器件制作方法

[发明专利]一种可多方向采集的阻滞势分析仪-CN202110367483.9有效
发明人：杨祖仪;霍亮 -专利权人：江苏深蓝航天有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G01M15/14 文献下载
摘要：本公开涉及一种可多方向采集的阻滞势分析仪，入口栅极、电子屏蔽栅极、离子能量扫描栅极均为半球形的球壳结构、且三者的球心重合；入口栅极底部嵌设在外壳与第一环形绝缘套之间，电子屏蔽栅极底部嵌设在第一环形绝缘套与第二环形绝缘套之间、且位于入口栅极内侧，离子能量扫描栅极底部嵌设在第二环形绝缘套与第三环形绝缘套之间、且位于电子屏蔽栅极内侧，收集极固装在第三环形绝缘套内、且位于离子能量扫描栅极内侧；入口栅极、电子屏蔽栅极、离子能量扫描栅极均具有若干通孔本申请由于半球形栅极的结构特性，可以诊断来自多个方向离子能量的分布，解决了测量方向单一的问题。
一种多方采集阻滞分析

[发明专利]一种环形栅结构的高电子迁移率晶体管-CN202010640079.X有效
发明人：吴少兵;张亦斌;陈韬;刘世郑;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种环形栅结构的高电子迁移率晶体管，包括源极、漏极和栅极，栅极为环形结构，高电子迁移率晶体管包括两种基础结构：第一种基础结构为，源极为圆形结构，漏极为环形结构，且源极位于所述栅极的内圈，漏极位于栅极的外圈，源极和漏极分别与栅极存在间隙；第二种基础结构为，漏极为圆形结构，源极为环形结构，且漏极位于栅极的内圈，源极位于漏极的外圈，源极和漏极分别与栅极存在间隙。本发明通过将栅极由直线型转变为环形结构，使其结构稳定，保障器件的稳定性和低寄生电容。
一种环形结构电子迁移率晶体管

[发明专利]用于高压操作的GAA LDMOS结构-CN202210857161.7在审
发明人：吴宏祥;吴国铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)型的栅极全环绕(GAA)高压晶体管具有设置为低于半导体衬底的表面的环形栅极电极。该环形栅极电极围绕由第一源极/漏极区域、主体区域和扩散区域形成的竖直沟道。环形浅沟槽隔离(STI)区域围绕环形栅极电极。扩散区域从环形栅极电极的内侧开始，在环形栅极电极和环形STI区域下方延伸，并且上升到环形STI区的外侧以与第二源极/漏极区域相连。
用于高压操作 gaa ldmos 结构

[发明专利]金属栅极的形成方法-CN201210322184.4有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-03 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成若干平行的环形牺牲栅极，所述环形牺牲栅极具有第一子牺牲栅极、和第一子牺牲栅极平行的第二子牺牲栅极、以及位于第一子牺牲栅极和第二子牺牲栅极两端的第三子牺牲栅极；在所述半导体衬底上形成第一介质层，所述第一介质层的表面与环形牺牲栅极的顶部表面平齐；刻蚀部分所述第一子牺牲栅极和第二子牺牲栅极，在第一子牺牲栅极和第二子牺牲栅极中形成沿长度方向分布的若干分立的凹槽；在凹槽中填充满金属，形成若干分立的金属栅极。本发明金属栅极的形成方法，节省了工艺步骤，节约了成本。
金属栅极形成方法

[发明专利]环形离子推力器栅极组件-CN201910321224.5有效
发明人：龙建飞;孙明明 -专利权人：南华大学
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： F03H1/00 文献下载
摘要：环形离子推力器栅极组件，包括屏栅、加速栅、第一绝缘陶瓷环、第二绝缘陶瓷环、组合式屏栅支撑结构及组合式加速栅支撑结构。屏栅和加速栅均为环形，其端面的横截面均为凸起的弧形；组合式屏栅支撑结构包括外环、内环、弧形加强筋及耳片；组合式加速栅支撑结构包括外环、内环、弧形加强筋及凸片，凸片与耳片的位置相对应。本发明的栅极组件重量轻、强度大、抗热形变能力强，能够有效抑制栅极组件表面出现的翘曲、褶皱等现象，提高环形离子推力器的性能。
环形离子推力栅极组件

[发明专利]环形显示面板及其制造方法、环形显示装置-CN201910538628.X有效
发明人：陈刚;孙贺;王志会;胡伟;唐秀珠;王广;赵彦礼;王玉;王迪;刘棵菓;刘小龙 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本申请公开一种环形显示面板及其制造方法、环形显示装置，属于显示技术领域。环形显示面板具有显示区和两个栅极驱动电路区，两个栅极驱动电路区位于显示区的两侧，两个栅极驱动电路区叠加构成结合区，结合区的宽度小于或等于栅极驱动电路区的宽度，结合区的厚度等于显示区的厚度，环形显示面板的厚度方向与环形显示面板的轴线垂直，环形显示面板的轴线与环形显示面板的数据线扫描方向平行。本申请有助于实现环形显示面板窄边界显示。本申请用于环形显示面板制造。
环形显示面板及其制造方法显示装置

[发明专利]LDMOS晶体管及其形成方法-CN201310231955.3有效
发明人：邱慈云;吕瑞霖;蔡建祥 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOS晶体管及其形成方法，其中LDMOS晶体管包括具有阱区的衬底；位于阱区内的漏区；位于阱区内、环绕所述漏区的环形源区；位于所述衬底上的环形栅介质层、位于环形栅介质层上的环形栅极，漏区位于所述栅极内侧，源区位于所述栅极外侧；还包括位于所述栅极内侧阱区内的漂移区，漏区位于所述漂移区内，所述漂移区和所述栅极内侧边缘部分在垂直衬底表面方向上具有环形叠置部分；位于所述漂移区内的至少一个环形隔离结构，所述隔离结构环绕所述漏区，最外圈所述隔离结构和所述栅极内侧边缘部分在垂直衬底表面方向上具有环形叠置部分。
ldmos 晶体管及其形成方法

[发明专利]存储单元及存储器-CN201710541217.7在审
发明人：苏志强;刘璐 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种存储单元及存储器，包括：圆柱状半导体衬底，所述衬底包括圆柱状栅极区域、圆柱状源极区域和圆柱状漏极区域，所述圆柱状源极区域和所述圆柱状漏极区域分别位于所述圆柱状栅极区域两侧；环形栅极结构，所述环形栅极结构包裹所述栅极区域；环形源极结构，所述环形源极结构包裹所述圆柱状源极区域；环形漏极结构，所述环形漏极结构包裹所述圆柱状漏极区域。
圆柱状存储器存储单元漏极区域源极区域圆柱状栅极环形栅极漏极结构环形源衬底圆柱状半导体栅极区域集成度

[发明专利]功率芯片-CN202111539430.7在审
发明人：姚尧;罗海辉;肖强;梁利晓;刘葳;管佳宁;覃荣震 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率芯片，包括芯片本体，包括由多个元胞组成的至少一个有源区；与所述有源区对应设置的发射极焊盘；栅极焊盘，设置在所述芯片本体上，且与所述发射极焊盘位于同侧；环形的栅极总线，设置在所述有源区周围，且与所述发射极焊盘位于同侧；片上栅极电阻，分别与所述环形的栅极总线以及所述栅极焊盘连接；其中，所述环形的栅极总线的宽度与距离所述栅极焊盘的距离成反比。即：栅极总线离栅极焊盘越远，栅极总线的宽度越小。这样，改善了栅极信号在栅极总线上传输的一致性，从而提高了距离栅极焊盘远、近不同的元胞之间的开关一致性，进而改善了元胞均流，提高了功率芯片工作的鲁棒性与可靠性。
功率芯片

[发明专利]阵列基板及采用该阵列基板的显示装置-CN201811214286.8有效
发明人：刘杰 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及采用该阵列基板的显示装置，所述阵列基板包括栅极线；栅极绝缘层，覆盖于所述栅极线上；有源层，设于所述栅极绝缘层上；环形源极线，设于所述有源层上；圆形漏极线，设于所述有源层上，所述圆形漏极线的圆心与所述环形源极线的中心重合；垫高层，其中具有环形垫高块和圆形垫高块；所述环形垫高块支撑于所述环形源极线和有源层之间，所述圆形垫高块支撑于所述圆形漏极线和有源层之间。本发明的有益效果在于采用封闭环形的栅极和有源层，保证输出电流稳定，同时采用凹凸的源漏电极设计，减小源漏电极与栅电极的寄生电容，具有更高的可控性。
阵列采用显示装置

[实用新型]存储单元及存储器-CN201720804189.9有效
发明人：苏志强;刘璐 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种存储单元及存储器，包括圆柱状半导体衬底，所述衬底包括圆柱状栅极区域、圆柱状源极区域和圆柱状漏极区域，所述圆柱状源极区域和所述圆柱状漏极区域分别位于所述圆柱状栅极区域两侧；环形栅极结构，所述环形栅极结构包裹所述栅极区域；环形源极结构，所述环形源极结构包裹所述圆柱状源极区域；环形漏极结构，所述环形漏极结构包裹所述圆柱状漏极区域。
存储单元存储器

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202110592362.4在审
发明人：钱忠健;陈晓亮;陈天;孙涛 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件及其制备方法，其中半导体器件包括半导体基底、环形隔离结构及栅极结构，半导体基底包括有源区，栅极结构位于有源区上，环形隔离结构位于有源区上并环绕栅极结构。环形隔离结构外围的有源区内包括第一导电类型掺杂的体区，栅极结构两侧的有源区内包括第二导电类型掺杂的源漏区，且栅极结构两侧的源漏区通过栅极结构实现间隔设置；体区与源漏区通过环形隔离结构实现电隔离。通过环形隔离结构可以使源漏区和体区间隔开以相互独立，避免直接接触，从而源漏区和体区后续可设置独立的接触结构，保证接触效果，提高半导体器件的可靠性；同时，环形隔离结构的设置实现源漏区和体区之间的电隔离性能
半导体器件及其制备方法

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