“环形半导体”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1135640个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]图像传感器及用于形成图像传感器的方法-CN202110918224.0在审
发明人：王子睿;山下雄一郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：所述像素包括具有第一掺杂类型的第一半导体区。第二半导体区直接位于所述第一半导体区上方。所述第二半导体区具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，并且在p‑n结处与所述第一半导体区交汇。环形第三半导体区在侧向上围绕所述第一半导体区及所述第二半导体区。所述环形第三半导体区具有所述第一掺杂类型。环形第四半导体区在侧向上围绕所述环形第三半导体区。所述环形第四半导体区具有所述第二掺杂类型。环形第五半导体区直接位于所述环形第三半导体区上方，并具有所述第二掺杂类型。
图像传感器用于形成方法

[发明专利]环形半导体器件及其制作方法-CN200710094480.2有效
发明人：崔崟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种环形半导体器件的制作方法，包括如下步骤：确定待形成的环形半导体器件的内径与外径的尺寸；在半导体衬底上形成半导体器件层；去除内径尺寸以内的半导体器件层，形成第一开口；采用第一介质层填充第一开口，且研磨平至高出半导体器件层部分；去除外径尺寸以外的半导体器件层，保留内外径之间的半导体器件层；沉积第二介质层，且研磨第二介质层至与半导体器件层相齐平，形成环形半导体器件。通过先蚀刻环形半导体器件的内径，填充以第一介质层，然后去除环形半导体器件外径以外的部分并沉积第二介质层填充，形成环形半导体器件，实现减小驱动过电流，降低功耗的目的。
环形半导体器件及其制作方法

[实用新型]一种环形脆性半导体零件加工装置-CN202321136259.X有效
发明人：邓南翔 -专利权人：无锡沃尼克半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种环形脆性半导体零件加工装置，涉及到半导体材料加工技术领域，包括底座，底座的顶面安装有承载平台，底座一侧安装有支撑座，支撑座一侧安装有悬置于承载平台上方的钻头组件，承载平台顶面安装有安装座，安装座一侧安装有内托组件，内托组件的环面套设有环形脆性半导体零件，环形脆性半导体零件内侧壁与内托组件环面贴合；本实用新型对环形脆性半导体零件进行开槽钻孔时,由于内托环外侧环面与环形脆性半导体零件的内侧壁紧密贴合，对环形脆性半导体零件各个位置进行支撑，大大降低当刀具对环形脆性半导体零件进行加工时，环形脆性半导体零件破损的概率，实现了非激光且高效率的加工环形脆性半导体零件。
一种环形脆性半导体零件加工装置

[发明专利]影像感测器及其制造方法-CN201910299928.7有效
发明人：李柏叡 -专利权人：晶相光电股份有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：影像感测器包括半导体基板、第一环形掺杂区、第二环形掺杂区、环形隔离区、光电转换区、电压转换区以及栅极结构。第一环形掺杂区设置在半导体基板中，并且包括第一类型掺杂物。第二环形掺杂区设置在半导体基板中，并且在第一环形掺杂区上方，第二环形掺杂区包括第二类型掺杂物。环形隔离区设置在半导体基板中，并且在第二环形掺杂区上方。光电转换区设置在环形隔离区内的半导体基板中。电压转换区设置在环形隔离区内的半导体基板中。栅极结构设置在半导体基板上。
影像感测器及其制造方法

[发明专利]一种存储器及其制造方法-CN202010386254.7在审
发明人：崔延光 -专利权人：济南南知信息科技有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器及其制造方法，其具有第一半导体层和环形半导体层组成的有源区部分，并且利用存储栅结构和控制栅结构对所述有源区进行导通传输；在制造方法上，分别制造第一半导体层和环形半导体层，然后在环形半导体层中形成存储栅结构，在所述环形半导体层外形成控制栅结构，方法极为简单，且能够实现较大的存储密度。
一种存储器及其制造方法

[实用新型]一种绝缘陶瓷和半导体一体结构的半导体电嘴-CN202223216841.5有效
发明人：薛继军 -专利权人：西咸新区腾焰燃控科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： F02P3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绝缘陶瓷和半导体一体结构的半导体电嘴，包括壳体、绝缘陶瓷体、中心电极和内含高温熔融剂的环形半导体块，所述环形半导体块设置在所述绝缘陶瓷体的放电端，环形半导体块的内侧壁与中心电极外壁贴合，环形半导体块的厚度为2mm～3mm；绝缘陶瓷体的放电端具有被所述高温熔融剂渗透后的高温熔结层；绝缘陶瓷体的放电端具有用于卡接环形半导体块的台阶面。本实用新型通过在绝缘陶瓷体的放电端设置环形半导体块，漏电可能性小，使用寿命更长，内含的高温熔融剂能够在高温下使环形半导体块和绝缘陶瓷体热熔为一体，一体性更好，从而简化加工步骤，降低加工成本，且成品率高，
一种绝缘陶瓷半导体一体结构

[发明专利]制造半导体装置的设备和方法-CN201210067387.3有效
发明人：田中阳子 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的目的是提供制造半导体装置的方法和设备，其中半导体晶片在磨薄之后可从卡吸台安全和可靠地被拾取并传送到下一步骤。在本发明的方法和设备中，通过抽吸将半导体晶片正面吸引到卡吸台的附连板表面，半导体晶片背面被磨削以形成具有凹入构造的内部区域，在半导体晶片的外周缘部留下环形加强部。运输具有环形加强部的半导体晶片的流程包括如下步骤：在与半导体晶片保持位置不同的位置从半导体晶片的背面向正面按压半导体晶片，在保持具有环形加强部的半导体晶片之前进行按压半导体晶片的步骤；通过向卡吸台上供应正压来解除半导体晶片正面通过抽吸的附连；解除在与半导体晶片保持位置不同的位置从半导体晶片背面向其正面对半导体晶片的按压；和在保持半导体晶片的同时，从卡吸台拾取具有环形加强部的半导体晶片。
制造半导体装置设备方法

[发明专利]包括变压器或天线的半导体封装-CN200610149499.8有效
发明人：崔允硕;李稀裼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-21 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体封装，该半导体封装包括封装板和顺序堆叠在封装板上的多个半导体芯片。各半导体芯片均包括半导体基底和形成在该半导体基底上的开环形芯片线。开环形芯片线具有第一端部和第二端部。开环形芯片线的第一端部和第二端部通过连接件互相电连接，所述连接件和所述开环形芯片线构成螺旋形天线。
包括变压器天线半导体封装

[发明专利]一种热电器件-CN202111655972.0在审
发明人：高海淇;林宇昊;张云波;吴小平;王朋;何炎冰;胡启航;王文航 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L35/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种热电器件，P型半导体的上端与N型半导体的上端通过上电极连接，上电极包括中间部和两端部，两端部分别凹入P型半导体的上端与N型半导体的上端；中间连接部设置在环形结构内部并连接环形结构的相对的两端通过上述的设置，可以使电极直接凹入半导体内，进而使器件薄型化。且采用端部为环形结构，可以使半导体的端部直接漏出，使半导体端部直接与热源或冷源接触，进而提高热电转换效果；此外在环形中间设置连接环形结构相对的两端得到中间连接部，可以避免环形结构易损坏的缺点，提高电极结构的稳固性
一种热电器件

[实用新型]一种用于半导体反应腔室的防护条及半导体反应腔室-CN202222780279.2有效
发明人：周煜;白帆 -专利权人：日月科技（辽阳）有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于半导体反应腔室的防护条及半导体反应腔室，包括半导体反应腔室本体，所述半导体反应腔室本体的顶部固定安装有四个固定块，四个所述固定块呈环形分布，所述固定块上固定安装有两个对称分布的凸起，所述半导体反应腔室本体的上方设置有用于对半导体反应腔室本体的顶部进行防护的保护机构；本实用新型涉及半导体制造技术领域；该用于半导体反应腔室的防护条及半导体反应腔室，通过设置的固定块搭配环形安装块使用能够方便对环形防护条进行更换，从而能够避免环形防护条长期使用后表面出现磨损，无法提供有效防护，能够更好的对半导体反应腔室提供防护。
一种用于半导体反应防护

[发明专利]集成片、集成片的制作方法及半导体随机激光器-CN202310546996.5在审
发明人：邓建成;郝沁汾 -专利权人：无锡芯光互连技术研究院有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明属于半导体激光技术领域，公开了一种集成片、集成片的制作方法及半导体随机激光器，集成片包括环形镜，环形镜包括环形镜波导和定向耦合器，环形镜波导的两端分别与定向耦合器对应侧的端口连接，环形镜的数量设置为多个，多个环形镜依次连接，提供随机反馈，相邻两个环形镜之间通过连接波导连通，位于其中一端部的环形镜于远离相邻环形镜的一侧连通有输光波导；半导体随机激光器包括上述集成片，还包括半导体光放大器，半导体光放大器与集成片的输光波导连通，半导体光放大器的输出端设有与输光波导相对应的反射结构。本发明提供的集成片，其作为半导体随机激光器的反馈结构，结构简单，集成性强，并具有更大的反射带宽和更高的反馈强度。
集成制作方法半导体随机激光器

[发明专利]使半导体晶片变薄的方法-CN200910151326.3有效
发明人： M·J·瑟登;F·J·卡尔尼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种用于制造薄的半导体晶片的方法。将半导体晶片从其后侧削薄，然后在半导体晶片后侧的中心区形成腔。形成腔时在半导体晶片外围区也形成环形支撑结构。至少在腔内形成导电层。将半导体的前侧设置在连接膜层框架的带上。将半导体晶片的环形支撑结构变薄以形成变薄的半导体晶片。将后侧带连接到半导体晶片和膜层框架上并且除去连接到半导体晶片前侧的带。将变薄的半导体晶片进行分割。
半导体晶片变薄方法

[发明专利]一种用于半导体设备的直流电极-CN200710175746.6有效
发明人：刘利坚;彭宇霖 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2007-10-11 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于半导体设备的直流电极，包括至少两个分支电极，其中，第一分支电极包括中心导体和环形导体，其余分支电极包括环形导体，第一分支电极的环形导体与其余分支电极的环形导体间隔设置。所述中心导体的面积与每个环形导体的面积相等或大致相等。本发明提供的用于半导体设备的直流电极，其能够获得较为均匀的静电电荷分布，并因此而产生较为均匀的静电引力，进而能够在半导体加工/处理工艺中保证晶片等半导体器件的加工/处理质量。
一种用于半导体设备直流电极

[发明专利]一种半导体器件和电子装置-CN201510245546.8有效
发明人：钟雷;李宏伟;陈光;王京京;程惠娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件和电子装置，涉及半导体技术领域。所述半导体器件包括：P型半导体衬底；一可控硅整流器，形成于所述P型半导体衬底上，所述可控硅整流器为环形；一二极管串，位于所述环形的可控硅整流器以内区域的所述P型半导体衬底上，与所述可控硅整流器彼此间隔，该二极管串包含若干个环形的二极管，其中位于外侧的环形的二极管包围其内侧的环形的二极管并互相间隔，且所述环形的二极管从外到内宽度逐渐减小。本发明的半导体器件为一种改进了的环形二极管辅助激发SCR器件，其具有高的触发电压以及相对较小的衬底面积消耗，因此该半导体器件可实现优异的ESD保护性能。
一种半导体器件电子装置

[发明专利]接合支撑结构、多个半导体晶圆及其接合方法-CN201910537975.0有效
发明人：李昇展;周正贤;蔡正原;黄志辉;吴国铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：在一些实施例中，提供了用于接合半导体晶圆的方法。方法包括在第一半导体晶圆的中心区域上方形成第一集成电路(IC)。第一环形接合支撑结构形成在第一半导体晶圆的环形周边区域上方，其中，第一半导体晶圆的环形周边区域围绕第一半导体晶圆的中心区域。第二半导体晶圆接合至第一半导体晶圆，使得布置在第二半导体晶圆上的第二IC电连接至第一IC。本发明的实施例还提供了接合支撑结构和多个半导体晶圆。
接合支撑结构半导体及其方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条