专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种环形压控振荡器的版图结构-CN202020145436.0有效
  • 屈河锦 - 重庆芯龙科技有限公司
  • 2020-01-22 - 2020-12-04 - H03L7/099
  • 本实用新型公开了一种环形压控振荡器的版图结构,包含第一增益版图区域、第二增益版图区域、第三增益版图区域、第四增益版图区域,其所述第一增益版图区域、第二增益版图区域、第三增益版图区域、第四增益版图区域依次串行布局连接;所述第一增益版图区域、第二增益版图区域、第三增益版图区域、第四增益版图区域均包含NMOS管和PMOS管,第一增益版图区域的PMOS管与第二增益版图区域的PMOS管相邻呈一字排列,第三增益版图区域、第四增益版图区域的元器件版图位置与第一增益版图区域、第二增益版图区域的元器件版图位置相同。本实用新型解决了环形压控振荡器现有的版图结构寄生参数较大和版图面积较大的问题。
  • 一种环形压控振荡器版图结构
  • [发明专利]一种温度补偿时钟芯片的版图结构-CN201210411953.8无效
  • 不公告发明人 - 北京七芯中创科技有限公司
  • 2012-10-25 - 2013-02-13 - H01L27/02
  • 本发明公开了一种温度补偿时钟芯片的版图结构,属于集成电路设计技术领域。所述时钟芯片版图由第1版图区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区、第6版图区、第7版图区、第8版图区和第9版图区组成;第1版图区与其他所有版图区都相连,第2版图区与1、4、8、9版图区都相连,第3版图区与1、4、5、6、8、9版图区都相连,第4版图区与其他所有版图区都相连,第5版图区与1、3、4、6、8、9版图区都相连,第6版图区与1、3、4、5、8、9版图区都相连,第7版图区与1、2、4、6、8、9版图区都相连,第8版图区与所有版图区都相连,第9版图区分布在版图的上、下、右三个方向。本发明时温补钟芯片各个版图区位置固定,优化了温度补偿芯片版图的设计,减少了数字噪声对温度检测/模拟电路的干扰。
  • 一种温度补偿时钟芯片版图结构
  • [发明专利]一种温度补偿时钟芯片的版图结构-CN201210411977.3无效
  • 不公告发明人 - 北京七芯中创科技有限公司
  • 2012-10-25 - 2013-02-13 - H01L27/02
  • 本发明公开了一种温度补偿时钟芯片的版图结构,属于集成电路设计技术领域。所述时钟芯片版图由第1版图区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区、第6版图区、第7版图区、第8版图区和第9版图区组成;第1版图区与其他所有版图区都相连,第2版图区与1、4、8、9版图区都相连,第3版图区与1、4、5、6、8、9版图区都相连,第4版图区与其他所有版图区都相连,第5版图区与1、3、4、6、8、9版图区都相连,第6版图区与1、3、4、5、8、9版图区都相连,第7版图区与1、2、4、6、8、9版图区都相连,第8版图区与所有版图区都相连,第9版图区分布在版图的上、下、右三个方向。本发明时温补钟芯片各个版图区位置固定,优化了温度补偿芯片版图的设计,减少了数字噪声对温度检测/模拟电路的干扰。
  • 一种温度补偿时钟芯片版图结构
  • [发明专利]一种采用PNP晶体管实现的高精度测温芯片版图结构-CN201410653753.2有效
  • 不公告发明人 - 北京七芯中创科技有限公司
  • 2014-11-18 - 2015-04-01 - G06F17/50
  • 本发明公开了采用PNP晶体管实现的高精度测温芯片版图结构(如图1),属于集成电路设计技术领域。所述的测温芯片版图由第1版图区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区、第6版图区、第7版图区、第8版图区和第9版图区组成;第1版图区与2、5、9版图区都相连,第2版图区与1、3、5版图区都相连,第3版图区与2、5版图区都相连,第4版图区与5、6、7版图区都相连,第5版图区与1、2、3、4、6、8、9版图区都相连,第6版图区与4、5、7、8版图区都相连,第7版图区与4、6、8版图区都相连,第8版图区与5、6、7、9都相连,第9版图区与1、5、8版图区都相连。本发明具有测温芯片的各个版图区位置固定,优化了采用PNP晶体管高精度测温芯片版图的设计。
  • 一种采用pnp晶体管实现高精度测温芯片版图结构
  • [发明专利]相变存储器芯片版图结构-CN201010107872.X有效
  • 王倩;陈后鹏;蔡道林;宋志棠 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2010-02-09 - 2010-08-11 - H01L27/24
  • 本发明揭示了一种相变存储器芯片版图结构,所述相变存储器芯片版图包括第一版图区、第二版图区、第三版图区、第四版图区、第五版图区和第六版图区;第一版图区、第二版图区、第三版图区和第四版图区位于相变存储器芯片版图的中央;第一版图区与第二版图区相连,第二版图区与第三版图区相连,第二版图区与第四版图区相连,第三版图区与第四版图区相连;第五版图区覆盖版图中央、除第一版图区、第二版图区、第三版图区和第四版图区外的其他空白区域;第六版图区均匀分布在相变存储器芯片版图的四周和四角。本发明提出的相变存储器芯片版图结构,芯片版图布局合理,有效减小了压控振荡器噪声以及数字电路的噪声对模拟电路和存储阵列的干扰。
  • 相变存储器芯片版图结构
  • [发明专利]版图处理方法、版图处理系统及电子设备-CN202210117799.7在审
  • 徐帆 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-02-08 - 2022-05-10 - G06F30/392
  • 本公开提供一种版图处理方法、版图处理系统及电子设备,涉及半导体技术领域,用于解决版图可扩展性弱的技术问题,该版图处理方法包括:根据若干个版图参数生成标准单元版图,标准单元版图包括第一反相器版图,用于形成一个第一反相器,第一反相器版图包括一个第一NMOS管版图和一个第一PMOS管版图版图参数包括第一NMOS管版图和第一PMOS管版图的栅极图案之间的距离;根据若干个电路参数和标准单元版图,生成结果版图;输出结果版图的数据库格式文件调整版图参数以调整第一NMOS管版图和第一PMOS管版图的栅极图案彼此靠近的一端的长度,调整电路参数以调整标准单元版图所形成的电路结构,提高版图的可扩展性。
  • 版图处理方法系统电子设备
  • [发明专利]遮光带版图绘制方法、光罩版图绘制方法及光罩版图-CN202110254749.9有效
  • 王悦 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2021-03-05 - 2023-07-25 - G06F30/392
  • 本申请实施例公开了一种遮光带版图绘制方法、光罩版图绘制方法及光罩版图。遮光带版图绘制方法包括:获取遮光带版图的绘制配置信息,绘制配置信息包括绘制原始版图标识、遮光带版图的绘制范围的尺寸信息;调用版图数据库,版图数据库包括至少一绘制原始版图和与绘制原始版图对应的绘制原始版图标识;根据绘制原始版图标识在版图数据库中确定绘制原始版图;根据绘制原始版图设定第一空心阵列组;根据第一空心阵列组、绘制范围的尺寸信息确定绘制范围;根据第一空心阵列组和绘制范围生成遮光带版图。本申请实施例可以自动化快速绘制遮光带版图,减小了现有遮光带版图绘制中的繁琐步骤。
  • 遮光版图绘制方法
  • [发明专利]IP核检测版图版图设计系统及版图设计方法-CN201210396347.3有效
  • 许丹 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2012-10-17 - 2018-07-31 - G06F17/50
  • 一种IP核检测版图版图设计系统及版图设计方法,所述IP核检测版图,包括:IP核版图,所述IP核版图中位于中间位置的版图被去除,只保留IP核版图中位于边缘区域的版图,使得所述IP核检测版图的形状为环形,且所述IP核检测版图内圈边缘到IP核检测版图外圈边缘的间距范围大于或等于当前不同电路结构之间的最大间距设计规则。利用所述IP核检测版图和周围电路版图相结合进行设计规则检测,如果发现IP核检测版图和周围电路版图有冲突,可以立即对周围电路版图进行修改,节省了片上系统的设计时间,且IP核用户只能获得边缘区域的版图,无法通过所述IP核检测版图获得整个IP核的电路或版图,依然利于保护IP核的知识产权。
  • ip检测版图设计系统方法
  • [实用新型]射频低噪声放大器的版图结构-CN201620270944.5有效
  • 刘文永;叶鹏 - 江苏卓胜微电子有限公司
  • 2016-04-01 - 2016-10-05 - H01L27/02
  • 本实用新型涉及一种射频低噪声放大器的版图结构,其特征是:包括第一版图区域、第二版图区域、第三版图区域、第四版图区域、第五版图区域、第六版图区域、第七版图区域、第八版图区域和第九版图区域;所述第二版图区域和第三版图区域位于中心位置,第一版图区域位于第二版图区域和第三版图区域的下方,第八版图区域位于第二版图区域的左方,第九版图区域位于第三版图区域的右方,第六版图区域位于第八版图区域和第二版图区域的上方。所述第一版图区域、第二版图区域和第六版图区域构成信号通路,第五版图区域、第九版图区域、第二版图区域和第八版图区域构成电源通路。本实用新型兼顾LNA性能,合理分配信号通路,优化版图布局,降低芯片成本。
  • 射频低噪声放大器版图结构
  • [发明专利]一种高压多路复用器芯片的版图结构-CN202010965711.8在审
  • 吕江萍 - 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
  • 2020-09-15 - 2020-12-22 - G06F30/392
  • 本发明公开了一种高压多路复用器芯片的版图结构,第一版图区与第二版图区和第四版图区相连,第二版图区与第三版图区相连,第三版图区与第六版图区相连相连;第五版图区与第一、二、三、四、六版图区均相连;第一版图区为输入整形电路版图区;第二版图区为电平转换电路版图区;第三版图区为译码电路版图区;第四版图区为输入接口版图区;第五版图区为输出接口版图区;第六版图区为多路复用器电路版图区。本发明的版图结构,各版图区布局合理、紧凑,面积达到最优化,降低了芯片成本;同时,不同电压阈电路模块、数字模块和模拟模块之间有效隔离,提高通道一致性和抗闩锁能力。
  • 一种高压多路复用芯片版图结构

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