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- [发明专利]粉末冶金方法-CN202010691452.4有效
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毛咏发;李忠军;张允继;毛桂江;李文涛
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歌尔光学科技有限公司
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2020-07-17
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2022-04-05
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B22F3/22
- 本发明公开了一种粉末冶金方法,该方法包括:将金属粉末成型为坯料;对坯料进行脱脂处理;在烧结炉内对坯料进行烧结,所述烧结包括:第一次烧结:将烧结炉内抽真空,将烧结炉升温至900℃~1050℃;第二次烧结:在第一氮气条件下,将烧结炉升温至1100℃~1150℃;第三次烧结:在第二氮气条件下,将烧结炉升温至1250℃~1350℃;降温渗氮:在第三氮气条件下,将烧结炉降温至1180℃~1050℃,以增加坯料中的氮含量,所述第三氮气条件下的氮气压力大于所述第二氮气条件下的氮气压力。根据本公开的一个实施例,通过对烧结后的坯料进行降温渗氮,提高坯料的表层含氮量,以提高材料的耐点蚀电位。
- 粉末冶金方法
- [发明专利]一种碳化硅功率芯片与引线框架键合的新型方法-CN202210844624.6在审
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孔国艳
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孔国艳
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2022-07-19
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2022-11-01
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H01L23/495
- 本发明涉及一种碳化硅功率芯片与引线框架键合的新型方法,烧结前工艺处理对于“每一种标准型号的SiC功率芯片及其引线框架”准备若干种待烧结样品,对于每一种待烧结样品均为其配置个性化的烧结条件;通过不同种烧结样品进行压银烧结,并且统计在粘接剂残余量达到阈值且银膏烧结完成度达到阈值时最短的烧结时间;建立在粘接剂残余量达到阈值且银膏烧结完成度达到阈值条件下烧结条件参数与最短烧结时间的函数f(A),通过“烧结条件参数中每一种参数对函数f(A)单向影响的函数”计算不同参数组合对函数f(A)的影响结果;选择让烧结时间最短的一种或几种参数组合作为最优的一种或几种参数组合配置具体的烧结工艺,能够提高烧结的效率且确保了烧结的效果。
- 一种碳化硅功率芯片引线框架新型方法
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