“漏极线 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1983245个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]驱动背板及发光基板-CN202011268398.9有效
发明人：许勇;温旺林 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种驱动背板及发光基板，该驱动背板用于驱动外置的LED灯发光，驱动背板包括基底、多个驱动薄膜晶体管、多条第一漏极走线以及多条第二漏极走线；每一驱动薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；第一漏极走线设置在基底上，第一漏极走线的接入端与对应的驱动薄膜晶体管的漏极电性连接；第二漏极走线设置在基底上，且与第一漏极走线异层设置，第二漏极走线的接入端电连接于对应的第一漏极走线的输出端，第二漏极走线的输出端电连接于对应的外置的LED灯，第二漏极走线于基底所在平面的正投影与第一漏极走线于基底所在平面的正投影至少部分重叠。
驱动背板发光

[发明专利]用于制造具有存储器单元的集成电路的方法-CN201710543004.8有效
发明人： L·罗;康愉劲;汪大祥;F·张;岑栢湛;李平辉;Z·张;陈元文;谢素云;P·K·梁 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种示范方法包括：图案化源极线光阻掩模以覆于衬底的源极线区上，同时暴露出漏极线区。该源极线区在第一及第二存储器单元之间，以及该漏极线区在该第二及第三存储器单元之间。源极线形成于该源极线区中。在形成覆于漏极线区上的漏极线电介质时，同时形成覆于该源极线上的源极线电介质。图案化漏极线光阻掩模以覆在活性区段中的该源极线上，同时暴露出在搭接区段中的该源极线，以及同时暴露出该漏极线区。移除在该漏极线区上面的该漏极线电介质，同时减少该源极线电介质在该搭接区段中的厚度。
用于制造具有存储器单元集成电路方法

[发明专利]一种EEPROM存储阵列结构及其制造方法-CN201310060636.0有效
发明人：胡剑;杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种EEPROM存储阵列结构，包括多个存储单元，存储单元包括N阱、漏极、源极、漏极浮栅、漏极控制栅、源极浮栅、源极控制栅和选择栅，N阱底部接阱端；按列方向交替排列的漏极选择线和源极选择线，每个漏极选择线和源极选择线分别将列方向的每个存储单元的漏极和源极连接，漏极选择线和源极选择线分别接漏信号和源信号；按行方向排列的字线选通信号线，每个字线选通信号线将行方向的每个存储单元的选择栅连接，字线选通信号线接字线选通信号；按行方向排列的控制栅线，每个控制栅线将行方向的每个存储单元的漏极控制栅和源极控制栅连接，控制栅线接控制栅信号，以实现在较低的各信号下不断反复编程和擦除动作而不损失阵列结构。
一种 eeprom 存储阵列结构及其制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管、栅极行驱动电路及阵列基板-CN202310540545.0在审
发明人：王利忠;宁策;胡合合;周天民;宋吉鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开提供一种薄膜晶体管、栅极行驱动电路及阵列基板，该薄膜晶体管包括：源极，包括源极走线和多个源极分支；漏极，包括漏极走线和多个漏极分支；栅极；半导体层；多个源极分支、多个漏极分支与半导体层接触，分为多个单元；源极走线和漏极走线平行且间隔设置；多个单元设置在源极走线与相邻的漏极走线之间的区域，单元的源极分支与同一根源极走线电连接，单元的漏极分支与同一根漏极走线电连接；栅极在衬底基板上的正投影与时钟脉冲信号走线在衬底基板上的正投影不重叠，栅极上连接有栅极走线。本公开提供的薄膜晶体管、栅极行驱动电路及阵列基板，解决薄膜晶体管源、漏极分支高聚集布置导致热量聚集的问题。
一种薄膜晶体管栅极驱动电路阵列

[发明专利]三维存储器及其操作方法-CN201710645400.1在审
发明人：陈江宏;蔡耀庭;洪文;廖祐楷 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L27/11548 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器及其操作方法，包括：衬底、多条源极线、多个隔离结构、多条漏极线、多个位线、多个电荷存储结构以及多个导体层。源极线位于衬底上。隔离结构分别位于源极线之间，以电性隔离源极线。漏极线位于源极线上。漏极线与源极线的延伸方向不同。位线自源极线延伸至漏极线。电荷存储结构分别围绕位线。导体层分别覆盖沿各源极线排列的电荷存储结构的表面。
源极线漏极线电荷存储结构三维存储器隔离结构导体层衬底极线位线电性隔离个位延伸条源自源覆盖

[发明专利]一种薄膜晶体管、栅极行驱动电路及阵列基板-CN202010598519.X有效
发明人：王利忠;宁策;胡合合;周天民;宋吉鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开提供一种薄膜晶体管、栅极行驱动电路及阵列基板，该薄膜晶体管包括：源极，包括源极走线和多个源极分支；漏极，包括漏极走线和多个漏极分支；栅极；半导体层，包括多个半导体分支；多个源极分支、多个漏极分支与多个半导体分支接触，分为多个单元；源极走线和漏极走线平行间隔设置，源极走线和漏极走线中的一个的数量m为大于或等于2的整数，另一个的数量n为大于或等于1的整数；多个单元排列为至少两个单元行，每一单元行内的源极分支连接同一根源极走线，每一单元行内的漏极分支连接同一根漏极走线。本公开提供的薄膜晶体管、栅极行驱动电路及阵列基板，解决薄膜晶体管源、漏极分支高聚集布置导致热量聚集的问题。
一种薄膜晶体管栅极驱动电路阵列

[发明专利]一种提高功率芯片表面电流均匀性的打线方法-CN202010557344.8在审
发明人：朱袁正;周锦程;朱久桃;丛微微 -专利权人：无锡电基集成科技有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高功率芯片表面电流均匀性的打线方法，可有效抑制功率芯片源极边缘位置的温度上升，避免雪崩击穿时局部过热问题产生，包括功率芯片、源极金属引脚、栅极金属引脚、栅极金属线、源极金属线、漏极金属引脚、漏极金属垫片，功率芯片表面设置有源极、栅极、漏极，功率芯片的源极通过源极金属线与源极金属引脚连接，功率芯片的栅极通过栅极金属线与栅极金属引脚连接，功率芯片底端的漏极与漏极金属垫片焊接，漏极金属引脚从漏极金属垫片上引出，功率芯片的源极上设置有金属电流桥，金属电流桥为点状或线状。
一种提高功率芯片表面电流均匀方法

[实用新型]一种提高功率芯片表面电流均匀性的打线结构-CN202021142127.4有效
发明人：朱袁正;周锦程;朱久桃;丛微微 -专利权人：无锡电基集成科技有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高功率芯片表面电流均匀性的打线结构，可有效抑制功率芯片源极边缘位置的温度上升，避免雪崩击穿时局部过热问题产生，包括功率芯片、源极金属引脚、栅极金属引脚、栅极金属线、源极金属线、漏极金属引脚、漏极金属垫片，功率芯片表面设置有源极、栅极、漏极，功率芯片的源极通过源极金属线与源极金属引脚连接，功率芯片的栅极通过栅极金属线与栅极金属引脚连接，功率芯片底端的漏极与漏极金属垫片焊接，漏极金属引脚从漏极金属垫片上引出，功率芯片的源极上设置有金属电流桥，金属电流桥为点状或线状。
一种提高功率芯片表面电流均匀结构

[发明专利]闪存的程序化验证方法-CN200410002265.1有效
发明人：周铭宏;何信义 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2004-01-15 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：当读取闪存的存储单元时，施加于存储单元的漏极的电压为读取漏极电压。首先致能字符线，施加一确认闸极电压。致能第一位线，第一位线是与存储单元的漏极电性连接，并施加一确认漏极电压于第一位线，其中确认漏极电压是大于读取漏极电压。致能第二位线，将之接地。致能第三位线，施加一确认隔离电压。然后，感测第一位在线的漏极电流，其中漏极电流是流经第一位线、存储单元及第二位线。最后，依据漏极电流判断存储单元是否程序化成功。
闪存程序化验证方法

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板-CN202011258312.4有效
发明人：曹志浩 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：阵列基板包括第一源漏极层、第二源漏极层和金属连接层，所述第一源漏极层包括第一源漏极走线，所述第二源漏极层包括第二源漏极走线，所述金属连接层包括金属桥接线和阳极，所述金属桥接线一端与所述第一源漏极走线连接的第一接触孔，所述金属桥接线另一端与所述第二源漏极走线连接的第二接触孔，所述阳极与所述源极或漏极连接的第三接触孔；其中，所述第一接触孔、第二接触孔和所述第三接触孔为一体成型结构。本申请实施例中设置不同位置的接触孔，使得金属桥接线两端能够连接第一源漏极走线与第二源漏极走线，满足双层走线以平衡阻抗，减少使用光罩，能够节约成本与提升产能。
阵列及其制备方法显示面板

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010723363.3在审
发明人：严章英;王新泳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司;台积电（中国）有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件包括衬底、有源区域、隔离结构、第一金属线、栅极结构、源极/漏极区域、源极/漏极接触件和第二金属线。有源区域从衬底的顶表面突出。隔离结构在衬底之上并且横向围绕有源区域。第一金属线在隔离结构中。栅极结构在有源区域之上。源极/漏极区域在有源区域中。源极/漏极接触件在有源区域之上并且电连接到源极/漏极区域。第二金属线在栅极结构和源极/漏极接触件之上，其中，第二金属线与第一金属线垂直地重叠。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]液晶显示装置的阵列面板及其制造方法-CN02120973.1有效
发明人：金容完;朴东振 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2002-06-06 - 公布日： 2003-04-30 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种液晶显示装置的阵列面板，包括基板；位于基板上的栅极线和栅极，其中栅极线与栅极连接；位于栅极线和栅极上的栅绝缘层；位于栅绝缘层上的有源层；位于有源层上的欧姆接触层；位于欧姆接触层上的数据线、源极和漏极，其中数据线、源极和漏极由钼形成；位于数据线、源极和漏极上的钝化层；和位于钝化层上的像素电极，其中欧姆接触层具有与数据线、源极和漏极相同的形状，而除了位于源极与漏极之间的沟道区域以外，有源层具有与数据线、源极、漏极相同的形状，该沟道区域具有“U”形。
液晶显示装置阵列面板及其制造方法

[发明专利]像素模块及显示装置-CN200710003611.1无效
发明人：余良彬;王涌锋;廖智良;黄添钧;李奕纬 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-01-18 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：第一晶体管耦接一第一栅极线、一源极线以及一第一漏极线。第二晶体管耦接一第二栅极线、该源极线以及一第二漏极线。连接导线重叠部分第一及第二漏极线，并与第一及第二漏极线绝缘。
像素模块显示装置

[发明专利]柔性显示面板及其制作方法-CN202010341431.X有效
发明人：赵慧慧 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性显示面板及其制作方法，柔性显示面板包括衬底基板、无机层、有机填充层、源漏极金属层走线以及平坦层，源漏极金属层走线包括位于弯折区的第一源漏极金属层走线和位于非弯折区的第二源漏极金属层走线，第一源漏极金属层走线为弯曲状走线；使得柔性显示面板在进行弯折时，源漏极金属层走线交替受到压应力和张应力，并可实现压应力和张应力的中和抵消，降低应力，从而可减小弯折所带来的源漏极金属层走线的电阻变化，进而降低因电阻变化而导致的光学变化；同时能够降低源漏极金属层走线发生断裂的风险，提升了柔性显示面板的产品性能。
柔性显示面板及其制作方法

[发明专利]显示面板及显示终端-CN202210775484.1在审
发明人：余文强;王超 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种显示面板及显示终端，显示面板包括：基底；第一金属层，设置于基底上；第二金属层，设置于第一金属层上；第一金属层包括沿第一方向延伸的多条数据线和薄膜晶体管的源极，源极与数据线电连接，第二金属层包括薄膜晶体管的漏极，漏极位于相邻的两数据线之间。在本申请实施例中，数据线、源极与漏极分别位于第一金属层和第二金属层，漏极位于相邻的两数据线之间，漏极与数据线位于不同层，相比漏极与数据线位于同层的现有技术不会存在刻蚀工艺限制的问题，使得漏极与数据线之间的间距得到减小，同时还减小了漏极与数据线之间的寄生电容，可以设置相邻的两数据线更近，子像素的尺寸可以变得更小，从而提升显示面板的分辨率。
显示面板终端

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条