“源极电位”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果968421个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]单极性电平转移电路及半导体装置-CN201980068258.6在审
发明人：高桥圭;冈本佑树;石津贵彦;伊藤港 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种能够使用n沟道型晶体管向负电位方向进行电平转换的半导体装置。半导体装置包括第一源极跟随器、第二源极跟随器及比较器。第一源极跟随器被供应第二高电源电位及低电源电位，第二源极跟随器被供应第一高电源电位及低电源电位，第一源极跟随器被输入使用第二高电源电位及第一高电源电位表示高电平或低电平的数字信号。在此，第二高电源电位比第一高电源电位高，第一高电源电位比低电源电位高。比较器对第一源极跟随器与第二源极跟随器的输出电位进行比较并输出使用第一高电源电位及低电源电位表示高电平或低电平的数字信号。
极性电平转移电路半导体装置

[发明专利]半导体装置和显示装置-CN201910149889.2在审
发明人：木下智豊 -专利权人：株式会社日本有机雷特显示器
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本技术提供一种半导体装置，其具备：基板，包含树脂材料，并且具有对置的第一面和第二面；晶体管，设置在基板的第一面，并且具有半导体层和一对源·漏电极，一对源·漏电极与半导体层电连接且以分别被施加源极电位、漏极电位的方式构成；导电膜，设置在基板的第二面；以及电压施加部，构成为：向导电膜供给等于源极电位的电位、等于漏极电位的电位或源极电位与漏极电位之间的电位中的任何一个。
电位漏极电位源极电位基板半导体装置第二面漏电极半导体层电电压施加部半导体层树脂材料显示装置向导电膜导电膜晶体管对置施加

[发明专利]二次电池的异常检测装置以及半导体装置-CN201980077052.X在审
发明人：松崎隆德;高桥圭;石津贵彦;冈本佑树;伊藤港 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：半导体装置包括第一源极跟随器、第二源极跟随器、晶体管、电容器及比较器。半导体装置被供应二次电池的负极电位及正极电位，第一源极跟随器被输入第一电位，第二源极跟随器被输入第二电位。晶体管的栅极被输入控制晶体管的导通状态的信号，进行与二次电池的正极‑负极间的电位关联的第一源极跟随器的输出电位的采样。比较器通过对比被采样电位和第二源极跟随器的输出电位，也可以应对充放电引起正极和负极间的电位的变动的二次电池。
二次电池异常检测装置以及半导体

[发明专利]用于PMOS管的反向电流抑制电路-CN202110934157.1有效
发明人：沈华 -专利权人：无锡市晶源微电子有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于PMOS管的反向电流抑制电路，包括栅极驱动单元，第一PMOS管源极电位小于漏极电位时，所述栅极驱动单元使所述第一PMOS管栅极电位等于漏极电位，所述第一PMOS管处于反向电流抑制状态；包括衬底切换单元，所述第一PMOS管源极电位小于漏极电位时，所述衬底驱动单元将所述第一PMOS管衬底与漏极短接。本发明当PMOS管源极电位小于漏极电位时，可控制PMOS管工作反向电流抑制状态，有效保护PMOS管。
用于 pmos 反向电流抑制电路

[发明专利]半导体存储器件-CN200610106445.3无效
发明人：黑田直喜;广濑雅庸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-07-24 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：存储单元排列(110)，以相对于相互相邻的两行存储单元一个的比例，设置源极线(SN0～SNk)。再有，对应于各源极线设置向各源极线提供比接地电位高而比电源电位低的源极偏压电位的源极偏压控制电路(121)。由源极偏压控制电路(121)，在待机期间，控制各源极线为被提供给上述源极偏压电位的状态的同时，在有效期间，控制与读出对象的存储单元非连接的源极线为被提供给上述源极偏压电位的状态。
半导体存储器件

[发明专利]像素电路及其外部补偿方法-CN202111145282.0有效
发明人：窦维;黄泰钧 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种像素电路及其外部补偿方法，该外部补偿方法通过n次迭代侦测驱动晶体管的实时源极电位，以人为可以设定的单次迭代侦测时间来限制每次迭代侦测驱动晶体管的实时源极电位所用的时间，直至驱动晶体管的实时源极电位等于目标源极电位
像素电路及其外部补偿方法

[发明专利]显示装置及其驱动电路和驱动方法-CN200780047502.8无效
发明人：今井雅博;中根范之 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-11-20 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：当偶数帧中垂直扫描期间开始时，源极电位(VS)的电位下降有效扫描期间中振幅的一半。该下降后的源极电位(VS)维持一个水平扫描期间，然后，源极总线成为高阻抗状态。当奇数帧中垂直扫描期间开始时，源极电位(VS)的电位上升有效扫描期间中振幅的一半。该上升后的源极电位(VS)维持一个水平扫描期间，然后，源极总线成为高阻抗状态。
显示装置及其驱动电路方法

[发明专利]读出放大器电路和半导体存储器件-CN96100422.3无效
发明人：筑出正树;有本和民 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1996-01-11 - 公布日： 1999-10-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：在读出操作启动之前，将ｎ沟道读出放大器晶体管（２２４ｃ,２２４ｄ）的背栅极电位设置到大于操作电源电位和地电位之间的中间电位的背栅极预充电电位，然后在读出操作期间，背栅极电位随着ｎ型公共源极节点电位（ＣＳＮｎ型公共源极节点（２２１ｂ）预充电到该中间电位。设置背栅极预充电电位，使其不大于中间电位加上一个ｐｎ结扩散电位之和的电位，从而抑制了自每个读出放大器晶体管的背栅极至源极或漏极的漏电流。
读出放大器电路半导体存储器件

[发明专利]一种地震地电观测中偶极干扰源定位方法及系统-CN201910116344.1在审
发明人：张宇;王兰炜;胡哲;张兴国;张世中;朱旭;王子影 -专利权人：中国地震局地壳应力研究所
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G01V3/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种地震地电观测中偶极干扰源定位方法及系统，该方法包括：将漏电干扰源视为地表偶极源，建立地表偶极源对地电观测影响模型；测量地表偶极源在不同测点所产生的电位；根据任意两个测点之间的电位差，推算出所述地表偶极源的位置坐标本发明提供的技术方案，通过将漏电干扰源视为地表偶极源，建立所述地表偶极源对地电观测影响模型，测量所述地表偶极源在不同测点所产生的电位，根据任意两个测点之间的电位差，推算出所述地表偶极源的位置坐标，不仅能够大大减少以往干扰源排查所述耗费的人力和物力，还能实现快速、准确定位，将干扰源圈定在小区域范围内，解决了现有技术中漏电干扰源定位耗时长、效率不高、准确率不高的问题。
偶极源地表干扰源测点地电干扰源定位漏电观测电位差电位位置坐标影响模型偶极推算地震测量地表准确定位小区域准确率排查耗时测量

[发明专利]显示装置及其显示控制方法和显示控制装置-CN201910087202.7在审
发明人：张春恒;韩屹湛;汪俊;孙建伟;周留刚 -专利权人：合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明提出一种显示装置及其显示控制方法和显示控制装置，其中，显示装置包括多个像素行和多个像素列，多个像素列分别与多条源极信号线连接，同一像素列中的多个像素单元均连接同一源极信号线，显示控制方法包括：确定并存储目标像素电位数据，其中，目标像素电位数据包括多条源极信号线中每个源极信号线的目标像素电位；在相邻两帧画面之间的间隔时间区域，将每条源极信号线的电位配置为相应的目标像素电位，以便在下一帧画面显示前将第一像素行中每个像素单元的像素电位控制到相应的目标像素电位
目标像素电位显示控制显示装置条源显示控制装置源极信号线像素单元像素电位像素列像素行信号线画面显示效果信号线连接存储目标电位配置电位数据时间区域同一像素相邻两帧行像素帧画面

[发明专利]高压元件电路及其电压过低锁定电路-CN201110244733.6有效
发明人：李秋平 -专利权人：原景科技股份有限公司
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H02H3/24 文献下载
摘要：一种电压过低锁定电路，应用于高压元件电路中，包含：具有接收第一供应电压的第一端的负载模块、参考电位高压晶体管、偏压电流源模块、比较电流源模块以及比较高压晶体管。参考电位高压晶体管的栅极接收参考预设电位，源极连接负载模块第二端。偏压电流源模块连接于参考电位高压晶体管的漏极及负接地电位间。比较高压晶体管的输入栅极连接参考电位高压晶体管的漏极，输出漏极连接于比较电流源模块。当第一供应电压提升至特定高电平，使比较高压晶体管的电流汲取能力大于比较电流源模块的电流供应能力，且使输出漏极产生电源启动信号。
高压元件电路及其电压锁定

[发明专利]半导体集成电路装置及其设计装置与程序-CN200610058988.2有效
发明人：山本宽 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-03-09 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：输入在衬底表面具有分别供给形成有源元件的阱的电位的抽头、和导电型与阱相反的源极扩散区的单元，将单元的抽头转换成与源极扩散区相同的导电型，作为源极区，自由地将单元的阱电位设定为任意电位。当单元中存在抽头和源极的短路部，并且短路部为导电型与抽头相同的扩散区时，将短路部转换成与源极扩散区相同的导电型，作为源极区。
半导体集成电路装置及其设计程序

[发明专利]非易失性半导体存储器件-CN200710109029.3无效
发明人：菅原宽 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：根据本发明的非易失性半导体存储器件设有多个场效应晶体管型的存储单元、源极偏置控制电路和漏极偏置控制电路。在写操作的时候，该源极偏置控制电路可变地设置源极线的电位，该源极线共同地连接到多个存储单元的源极。在写操作的时候，漏极偏置控制电路可根据源极线的电位，可变地设置多个存储单元的漏极的电位。
非易失性半导体存储器件

[发明专利]半导体存储器件-CN201110219399.9有效
发明人：白滨政则;县泰宏;山本安卫;菊川博仁 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-03-01 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：在具有电阻变化型存储元件的半导体存储器件中，不需要负电位发生电路，并且缩短数据读出时间。在准备时，电阻变化型存储元件(403)的两端、即位线(BL)和源极线(SL)由位线和源极线的各预充电电路(402)设定为预充电电位Vp。在置位时，位线(BL)由位线写入偏置发生电路(401)设置为比上述预充电电位Vp高的设定电位Vd，源极线(SL)由源极线写入偏置发生电路接地。在复位时，与置位时相反，位线(BL)接地，源极线(SL)被设定为设定电压Vd。在数据读出时，例如将位线(BL)保持为上述预充电电位Vp，由读出偏置电路(405)将源极线(SL)接地。
半导体存储器件

[发明专利]半导体存储装置-CN202210624580.6在审
发明人：日冈健 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供能够适当地调整源极线层的电位的半导体存储装置。半导体存储装置(2)具备：取得电路，取得源极线层(320)的电位；以及第一调整电路，将源极线层(320)的电位调整为规定的目标电位。在取得电路中包括虚设柱(DP)，该虚设柱(DP)贯通多个布线层(332)，是端部与源极线层(320)连接的柱状体，且与布线层(332)交叉的部分作为晶体管发挥功能。
半导体存储装置

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条