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- [发明专利]半导体集成电路-CN201880016167.3有效
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广濑雅庸
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株式会社索思未来
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2018-02-22
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2022-10-28
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G11C5/14
- 在采用了电源门控的半导体集成电路中，控制输入信号(SLP)经由传输路径(11)传输到电源开关(10)，并经由传输路径(21)传输到电源开关(20)。恢复判断电路(40)接收传输路径(11)的信号(SLP_H)和传输路径(21)的信号(SLP_V)，并生成控制输出信号(SLP_O)。当控制输入信号(SLP)进行恢复转变时，恢复判断电路(40)按照信号(SLP_H、SLP_V)的恢复转变较晚的时刻，使控制输出信号(SLP_O)进行恢复转变。
- 半导体集成电路
- [发明专利]半导体存储器件-CN200780011729.7无效
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广濑雅庸
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松下电器产业株式会社
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2007-03-30
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2009-04-22
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H01L21/8242
- 本发明提供一种半导体存储器件。作为一个例子的半导体存储器件在每个形成在半导体衬底上的一处N型扩散层(OD)上，在其与字线(WL)或者位线选择线(KS)的交叉位置，形成有2个存储单元门(TG)或者位线连接门(SW)。N型扩散层(OD)的中间部附近被作为2个栅极共用的源极/漏极区域，而两端部附近被作为各门各自的源极/漏极区域。源极/漏极区域经由存储接点(CA)而连接到存储单元电容的存储电极(SN)上，或者经由子位线接点(CH)和金属布线的导通孔而连接到子位线、或者主位线上。存储单元门(TG)和位线连接门(SW)被配置成4个为单位重复相同的图形。
- 半导体存储器件
- [发明专利]半导体存储装置-CN200810168949.7有效
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广濑雅庸;饭田真久
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松下电器产业株式会社
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2008-09-26
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2009-04-08
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G11C29/42
- 在半导体存储装置中，相对于与字线正交的方向形成的数据线，在沿数据线的延伸方向上，列状地邻接配置数据锁存器(300)、多路转换器(601、602)、ECC电路部(401)、输入输出电路部(500)，以位片状地形成数据总线系统的布局。进而，为了使各比特的延迟时间均一化，均等地分散配置奇偶校验位。在搭载了ECC功能的比特宽度宽广的存储器装置中，带来从存储器阵列部到电路的数据总线的布线布局及延迟时间的增大。另外，加大ECC电路的处理比特宽度后，由于电路级数的增加，存取性能恶化，布局的面积也增大。
- 半导体存储装置
- [发明专利]半导体存储器件-CN200610106445.3无效
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黑田直喜;广濑雅庸
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松下电器产业株式会社
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2006-07-24
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2007-01-31
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G11C17/18
- 本发明提供一种能够在待机时，以及动作时削减消耗电力的同时，存储器容量大规模化的半导体存储器件。存储单元排列(110)，以相对于相互相邻的两行存储单元一个的比例，设置源极线(SN0～SNk)。再有，对应于各源极线设置向各源极线提供比接地电位高而比电源电位低的源极偏压电位的源极偏压控制电路(121)。由源极偏压控制电路(121)，在待机期间，控制各源极线为被提供给上述源极偏压电位的状态的同时，在有效期间，控制与读出对象的存储单元非连接的源极线为被提供给上述源极偏压电位的状态。
- 半导体存储器件
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