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- [发明专利]溅射镀膜设备-CN202210136775.6在审
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高佳
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东莞市峰谷纳米科技有限公司
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2022-02-15
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2022-05-24
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C23C14/35
- 本发明公开了溅射镀膜设备,包括送料机构与溅射镀膜机构,溅射镀膜机构包括周转室、第一溅射腔室、第二溅射腔室、第三溅射腔室以及第四溅射腔室,周转室设于溅射镀膜机构的中间,而第一溅射腔室、第二溅射腔室、第三溅射腔室以及第四溅射腔室依次围绕周转室设置,第一溅射腔室的外部设有低压溅射装置,第二溅射腔室的外部设有第一磁控溅射装置、第二磁控溅射装置以及第三磁控溅射装置,第三溅射腔室的外部设有第四磁控溅射装置、电感耦合等离子光谱发生仪以及第五磁控溅射装置,第四溅射腔室的外部设有第一RF离子源清洗装置、第六磁控溅射装置以及第七磁控溅射装置。
- 溅射镀膜设备
- [实用新型]塑胶溅射镀膜设备-CN202220299999.4有效
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高佳
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东莞市峰谷纳米科技有限公司
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2022-02-15
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2022-09-23
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C23C14/35
- 本实用新型公开了塑胶溅射镀膜设备,包括结构主体,所述结构主体包括送料装置与溅射镀膜装置,所述溅射镀膜装置包括周转室、第一溅射室、第二溅射室、第三溅射室以及第四溅射室,所述周转室设于溅射镀膜装置的中间,所述第一溅射室、第二溅射室、第三溅射室以及第四溅射室依次围绕周转室而设置,所述第一溅射室的外部设有低压溅射机构,所述第二溅射室的外部设有第一磁控溅射机构、第二磁控溅射机构以及第三磁控溅射机构,所述第三溅射室的外部设有第四磁控溅射机构、电感耦合等离子光谱发生仪以及第五磁控溅射机构,所述第四溅射室的外部设有第一RF离子源清洗机构、第六磁控溅射机构以及第七磁控溅射机构。
- 塑胶溅射镀膜设备
- [发明专利]磁控溅射镀膜设备-CN201610915587.8有效
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易伟华;张迅;张伯伦
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江西沃格光电股份有限公司
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2016-10-20
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2019-01-01
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C23C14/56
- 本发明涉及一种磁控溅射镀膜设备,包括基板运载装置、镀膜工艺室和主控制器,所述镀膜工艺室包括依次连接的进片室、进过渡室、进缓冲室、溅射区、出缓冲室、出过渡室和出片室,所述溅射区包括至少两组溅射室,每组溅射室之间设置有缓冲区,每组溅射室包括相邻设置的两个溅射室;通过设置多组溅射区,每组溅射区包括两个溅射室,大大的增加了溅射材料的存储容量,同时可以在不同的溅射区放置不同的溅射材料实现多层膜的喷涂,并通过缓冲区实现溅射区的隔离,不同的溅射材料不会彼此渗入产生污染;可以有效的延长溅射材料的使用时间,并且可以喷涂多种材料,提高了生产效率,减少了人工操作,喷涂效果好。
- 磁控溅射镀膜设备
- [发明专利]磁控溅射镀膜系统-CN201410057887.8有效
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张迅;阳威;欧阳小园;易伟华
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江西沃格光电股份有限公司
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2014-02-20
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2014-05-28
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C23C14/35
- 本发明涉及一种磁控溅射镀膜系统,包括成直线式排列的进片室、第一缓冲室、第一过渡室、溅射镀膜室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室,溅射镀膜腔室包括依次连接的第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室和第四直流溅射室,第一直流溅射室与第一过渡室连接,第四直流溅射室与第二过渡室连接,第一直流溅射室中设置有两个第一阴极靶,第二直流溅射室中设置有两个第二阴极靶,第三直流溅射室中设置有两个第三阴极靶,第四直流溅射室中设置有两个第四阴极靶使用该磁控溅射镀膜系统进行镀膜,能够有效降低破片率并有利于镀制方阻较低的薄膜,满足on-cell镀膜工艺要求,提高生产良率。
- 磁控溅射镀膜系统
- [发明专利]一种磁控溅射镀膜机-CN202211366586.4在审
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周征华;李龙哲;朱显君;夏伟;李花;张亚芹
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上海哈呐技术装备有限公司
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2022-11-01
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2023-01-10
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C23C14/24
- 本发明属于镀膜设备领域,公开了一种磁控溅射镀膜机,蒸发镀膜室、溅射镀膜室和设置于蒸发镀膜室与溅射镀膜室之间可启闭地的翻板阀,翻板阀开启时蒸发镀膜室与溅射镀膜室连通,翻板阀关闭时将蒸发镀膜室与溅射镀膜室分隔为两个独立的腔室;蒸发镀膜室上设有可启闭的腔室门,蒸发镀膜室内设有前处理机构、AF蒸发机构和移载机构,溅射镀膜室内设有溅射机构;移载机构沿所述蒸发镀膜室至溅射镀膜室的方向可往复移动,用于将放置有待处理产品的工装板放入溅射镀膜室并从溅射镀膜室内拾取放置有已处理产品的工装板本发明溅射镀膜室可始终保持真空状态,无需重新抽真空,可实现产品的连续性不间断溅射镀膜,大大提高生产效率。
- 一种磁控溅射镀膜
- [实用新型]磁控阴极溅射镀膜工艺室-CN201320412833.X有效
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陆仁立
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重庆春江镀膜玻璃有限公司
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2013-07-11
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2014-01-29
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C23C14/35
- 本实用新型涉及玻璃镀膜生产技术领域,公开一种磁控阴极溅射镀膜工艺室,包括依次连通的入口气锁室、入口真空缓冲腔室、磁控阴极溅射镀膜真空腔室、出口真空缓冲腔室和出口气锁室,所述入口真空缓冲腔室包括至少4个缓冲单元腔室,磁控阴极溅射镀膜真空腔室包括至少16个溅射单元腔室,所述出口真空缓冲腔室包括至少4个缓冲单元腔室;本实用新型的磁控阴极溅射镀膜工艺室,在磁控阴极溅射镀膜真空腔室两端设置真空缓冲室和锁定室,可有效降低玻璃基片进出磁控阴极溅射镀膜真空腔室造成的气体泄漏,提高磁控阴极溅射镀膜真空腔室的真空度,并使其维持在稳定的水平,从而提高镀膜质量。
- 阴极溅射镀膜工艺
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