专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]温度传感器-CN200910225290.9有效
  • 吉川清至 - 精工电子有限公司
  • 2009-11-13 - 2010-06-16 - G01K7/01
  • 本发明提供一种温度传感器,即使在构成生成温度依赖电流的电路的半导体元件上存在制造偏差,也能比以往更高精度进行温度测定。本发明的温度传感器,其中包括:生成依赖温度温度依赖电位的温度依赖电压生成电路;根据温度依赖电位使温度依赖电流流过的电流生成晶体管;生成不依赖温度的基准电流的基准电流生成电路;通过利用温度依赖电流的第一充电周期和利用基准电流的第二充电周期来被交互充电的电容器;比较电容器的充电电压与基准电压而生成脉冲的脉冲生成电路;以及对电容器交互地供给温度依赖电流和基准电流的控制电路,温度依赖电压生成电路具有开关,该开关对形成构成内部的电流源电路的MOS晶体管,及成为所述电流源电路的负载的双极型晶体管的连接关系进行切换
  • 温度传感器
  • [发明专利]用于二次电池的检查方法-CN201610187584.7有效
  • 松山嘉夫;角友秀;志村阳祐 - 丰田自动车株式会社
  • 2016-03-29 - 2018-11-09 - H01M10/04
  • 根据本发明的用于二次电池的检查方法包括:第一老化处理工序,其用于在第一温度下对已被初始充电的所述二次电池执行老化处理;第一电压测量工序;第二老化处理工序,其用于在第二温度下对所述二次电池执行所述老化处理;第二电压测量工序;自放电量计算工序;非温度依赖故障判定工序,其用于判定不依赖于自放电量与根据所述所测量的自放电量的温度之间的关系的非温度依赖故障;以及温度依赖故障判定工序,其用于判定依赖于所述自放电量与根据其温度依赖性被抑制的所述自放电量的温度之间的关系的温度依赖故障
  • 用于二次电池检查方法
  • [发明专利]控制半导体制造期间等离子体成分通量和沉积的方法和装置-CN201180043806.3有效
  • 拉金德尔·德辛德萨 - 朗姆研究公司
  • 2011-09-02 - 2013-05-08 - H01L21/3065
  • 在等离子体工艺期间施加的时间依赖的衬底温度被确定。在任意给定时间的所述时间依赖的衬底温度基于对在该给定时间等离子体成分的粘附系数的控制而确定。在所述等离子体工艺期间施加的上等离子体边界和衬底之间的时间依赖的温差也被确定。在任意给定时间的所述时间依赖的温差基于对在该给定时间所述等离子体成分被导向所述衬底的通量的控制而确定。所述时间依赖的衬底温度和时间依赖的温差以适合被限定并连接以在所述等离子体工艺期间管理所述上等离子体边界和所述衬底的温度控制的温度控制器件使用的数字格式进行存储。还提供了一种用于在所述等离子体工艺期间执行上等离子体边界温度控制和衬底温度控制的系统。
  • 控制半导体制造期间等离子体成分通量沉积方法装置
  • [发明专利]一种考虑温度效应的高聚物流变行为的力学模型构建方法-CN202211426646.7在审
  • 王平;蔡伟 - 河海大学常州校区
  • 2022-11-15 - 2023-03-28 - G16C60/00
  • 本发明公开了一种考虑温度效应的高聚物流变行为的力学模型构建方法,具体步骤如下:S1:根据蠕变或松弛过程中高聚物粘弹性性质的变化,建立温度依赖的分数阶导数本构模型;S2:构建温度依赖的分数阶导数本构模型的分数阶阶数α与温度T的线性关系;S3:构建温度依赖的分数阶导数本构模型的材料参数Eθα温度T的函数关系;S4:采用建立的温度依赖的分数阶导数本构模型描述不同温度下高聚物蠕变或松弛过程中力学性质的变化本发明提供了一个应用方便、物理概念清晰且能满足精度要求的温度依赖的分数阶导数本构模型,以此解决缺乏形式简单、精度高的理论模型来描述高聚物温度相关的流变行为的问题。
  • 一种考虑温度效应物流行为力学模型构建方法

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