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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]改进器件漏电表现的浅沟道隔离氧化方法-CN200410084262.7无效
发明人：虞军毅;陈华伦;周贯宇;马巍 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2004-11-17 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明有关一种改进器件漏电表现的浅沟道隔离氧化方法，可以解决浅沟道隔离器件的漏电特性，其需要顺次进行浅沟道隔离的刻蚀、干法去胶、干刻后处理及硫酸清洗、浅沟道隔离氧化等步骤，其特征在于：在浅沟道隔离氧化之前还进行一项牺牲氧化过程由于在浅沟道隔离氧化中之前加入牺牲氧化增加了浅沟道隔离上面角的圆滑程度，所以浅沟道隔离器件漏电性能大大改善。
改进器件漏电表现沟道隔离氧化方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN201310129640.8有效
发明人：杨芸 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提出一种浅沟槽隔离结构的形成方法，形成第二浅沟槽隔离沟道后保留光阻层，借着光阻层对第一浅沟槽隔离沟道的遮挡继续进行第一次回拉刻蚀，暴露出第二浅沟槽隔离沟道边角的介质层，之后去除光阻层，再对半导体衬底进行第二次回拉刻蚀，暴露出第一浅沟槽隔离沟道以及第二浅沟槽隔离沟道边角的介质层，这样便能平衡第一浅沟槽隔离沟道以及第二浅沟槽隔离沟道的回拉刻蚀程度，使第二浅沟槽隔离沟道边角的介质层暴露更多并且变的更加圆滑，使后续形成在边角处的栅极氧化层可长得更厚，提高了击穿电压；同时保证第一浅沟槽隔离沟道的边角暴露的不会过多，防止在后续形成隧穿氧化层的时候消耗过多边角处的半导体衬底而降低了有效区域的面积。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]浅沟道隔离区内的空洞检测方法-CN201310143044.5有效
发明人：吕淑瑞 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种浅沟道隔离区内的空洞检测方法，其检测划片槽内最小线宽小于晶片内最小线宽的划片槽图形的浅沟道隔离区，通过判断划片槽图形的浅沟道隔离区内是否存在空洞来判断晶片内管芯区域图形的浅沟道隔离区是否存在空洞。由于较小尺寸图形的浅沟道隔离区更容易出现空洞且更容易显露出来，因此通过检测较小尺寸划片槽图形的浅沟道隔离区内是否有空洞能够较早的检测出晶圆的晶片内的空洞，从而缩短检测周期，减小设备产能与原材料的浪费。
沟道隔离区内空洞检测方法

[发明专利]修复浅沟道隔离槽边角损伤的方法-CN200910045142.9无效
发明人：邓永平;何学缅;任红茹;樊强 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种修复浅沟道隔离槽边角损伤的方法，用于制作浅沟道隔离槽的过程中，其特征在于，在利用化学机械抛光去除沉积的氧化层之后，通过湿法刻蚀去除所述氮化物层之前，该方法进一步包括：对浅沟道隔离槽进行高温氧化处理本发明提供的修复浅沟道隔离槽边角损伤的方法，通过重新修复浅沟道隔离槽边角处在化学机械抛光过程中被破坏的分子结构，能够将所述浅沟道隔离槽边角处原本疏松的分子结构通过高温氧化的方法变得稳固和致密，因此能够有效修复浅沟道隔离槽边角损伤
修复沟道隔离边角损伤方法

[发明专利]提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法-CN201310365515.7在审
发明人：赵猛;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法，包括：提供包含有第一材料层与第二材料层的半导体衬底；依次形成氧化层与氮化层；进行第一次刻蚀，以在所述氮化层、氧化层、第一材料层和第二材料层上形成第一浅沟道隔离凹槽；在所述第一浅沟道隔离凹槽中，对所述第二材料层进行第二次刻蚀，形成第二浅沟道隔离凹槽；填充隔离材料；去除所述氮化层，形成浅沟道隔离结构。本发明通过对第二材料层进行第二次刻蚀，在保证源/漏区域有效面积不变的情况下，扩大浅沟道隔离结构底部的宽度，增加了浅沟道隔离结构的隔离效果，在一定程度上提高了半导体器件的阈值电压，从而提高半导体器件的性能
提高沟道隔离结构宽度效应方法

[发明专利]一种有效填充浅沟道隔离沟槽的方法-CN202011292234.X在审
发明人：杨捷 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种有效填充浅沟道隔离沟槽的方法，包括：a.提供衬底以及一个或多个浅沟道隔离沟槽；b.在每个浅沟道隔离沟槽内填充氧化物，其中，包括以下步骤：b1.在填充的氧化物完全封闭浅沟道隔离沟槽的顶部之前步骤b3结束后，若填充氧化物后的浅沟道隔离沟槽内存在空隙，则重复步骤b1‑b3；若填充氧化物后的浅沟道隔离沟槽内不存在空隙，则结束上述步骤。本发明的方法采用重复的打开沟槽内填充氧化物的开口，并重复的进行填充，以达到完全填充且无缝隙的有效填充浅沟道隔离沟槽的方法。
一种有效填充沟道隔离沟槽方法

[发明专利]一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法-CN202310255469.9有效
发明人：吴豪;王书典;尹周平;谢斌;徐洲龙 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制造技术领域，公开了一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，步骤包括：对晶圆浅沟道通过激光扫描测定其几何特征；基于几何特征，在晶圆浅沟道的各沟道交叉处先填充一层绝缘隔离聚合物并利用点阵热源加热定形；在各沟道交叉处之间的未填充区填充绝缘隔离聚合物，直至使晶圆浅沟道内先后填充的绝缘隔离聚合物的高度保持平齐，然后利用点阵热源对先后填充的绝缘隔离聚合物全部加热固化；重复前述步骤，直至将晶圆浅沟道完全填充平整本发明能将快速高效地将绝缘隔离填充物质按照规划路径高速直写填充到晶圆浅沟道中，并且在填充过程中能精细控制填充量，节约填充成本。
一种基于气动工艺晶圆浅沟道聚合物填充固化方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211269558.0在审
发明人：赵晓龙;于绍欣;李超成;姜钦;潘亚楼 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：其中，基底内设置有沟道区、源极区、漏极区、漂移区、第一浅槽隔离结构和第二浅槽隔离结构，源极区位于沟道区内，漏极区和第一浅槽隔离结构位于漂移区内，第一浅槽隔离结构位于漏极区和源极区之间，漂移区位于第二浅槽隔离结构和沟道区之间；栅极结构覆盖于部分源极区、部分沟道区、部分漂移区和部分第一浅槽隔离结构上；场板阵列设置于第一浅槽隔离结构上，场板阵列包括若干等间距分布的场板。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种双深度浅沟道隔离槽的制备方法-CN201310195567.4无效
发明人：杨渝书;秦伟;黄海辉 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种双深度浅沟道隔离槽的制备方法，通过逻辑区深浅沟道隔离槽工艺和感光区浅浅沟道隔离槽工艺这两道完全独立的制备工艺来完成双深度浅沟道隔离槽的制备，因而避免了深浅沟道隔离槽的双斜度形貌；同时利用浅浅沟道隔离槽的深度较浅的特点，直接将第二光刻胶层作为感光区浅STI刻蚀的掩膜层，从而避免了硬掩膜层在两道STI刻蚀中形成台阶状高度差的问题。
一种深度沟道隔离制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211467841.4在审
发明人：赵晓龙;于绍欣;潘亚楼;李超成 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：其中，该半导体器件包括基底，所述基底内设置有沟道区、源极区、漏极区、漂移区、深阱区、第一浅槽隔离结构和浅槽隔离阵列，所述源极区位于所述沟道区内，所述漏极区和所述浅槽隔离阵列位于所述漂移区内，所述浅槽隔离阵列位于所述漏极区和所述源极区之间，所述漂移区位于所述第一浅槽隔离结构和所述沟道区之间，所述深阱区与所述第一浅槽隔离结构相对设置，所述浅槽隔离阵列包括若干第二浅槽隔离结构，若干所述第二浅槽隔离结构等间距分布，所述第一浅槽隔离结构和所述第二浅槽隔离结构相同
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种MOS静电保护结构及保护方法-CN201410520449.0有效
发明人：何明江;陈爱军;马先东 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一种MOS静电保护结构及保护方法，所述MOS静电保护结构至少包括在漏极区中制作的浅沟道隔离结构，所述浅沟道隔离结构包括沟槽和填充于所述沟槽内的介质层。本发明通过在所述漏极区中制作浅沟道隔离结构，漏极区的电阻绕过浅沟道隔离结构，使漏极区电阻长度增加，从而增大漏极区电阻值，减小电流，改善静电冲击电流部分的均匀性，提高静电保护能力。本发明与正常的浅沟道隔离结构工艺兼容，可以满足更高的器件使用场合要求，而且结构简单，适用于各种集成电路的静电保护应用领域。
一种 mos 静电保护结构方法

[发明专利]实现浅沟道隔离的工艺方法-CN201310085158.9有效
发明人：白英英;张守龙;张冬芳;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种实现浅沟道隔离的工艺方法，包括：在半导体衬底上覆盖第一氧化层，并形成第一浅沟道隔离凹槽，沉积第一隔离层填充所述第一浅沟道隔离凹槽，对第一隔离层实施平坦化并且不露出第一氧化层，湿法刻蚀去除剩余的第一隔离层与第一氧化层，依次覆盖第二氧化层和氮化层，刻蚀所述氮化层形成第二浅沟道隔离凹槽。通过两次隔离材料的填充降低了凹槽深宽比，在相同的工艺条件下不需要引进新材料就可以提高浅沟道隔离凹槽的填充能力，同时采用的湿法刻蚀去除第一隔离层保证平坦度的同时避免了对半导体衬底可能的损伤。
实现沟道隔离工艺方法

[发明专利]一种双深度浅沟道隔离槽的制备方法-CN201310195625.3无效
发明人：杨渝书;秦伟;黄海辉 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种双深度浅沟道隔离槽的制备方法，通过逻辑区深浅沟道隔离槽工艺和感光区浅浅沟道隔离槽工艺这两道完全独立的制备工艺来完成双深度浅沟道隔离槽的制备，因而避免了深浅沟道隔离槽的双斜度形貌；同时利用ODL填充性好的特点，来完成对深浅沟道隔离槽的填充和平坦化；进一步利用浅浅沟道隔离槽的深度较浅的特点，直接将第二光刻胶层和有机绝缘层作为感光区浅STI刻蚀的掩膜层，从而避免了硬掩膜层在两道STI刻蚀中形成台阶状高度差的问题
一种深度沟道隔离制备方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202111482363.X有效
发明人：赵东艳;陈燕宁;王于波;付振;邵瑾;曹艳荣;刘芳;钟明琛;张宏涛;张龙涛;任晨;王敏;马毛旦;张鹏 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述半导体器件包括栅电极、源电极和漏电极，还包括：浅槽隔离结构，所述浅槽隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，所述第二隔离部与所述第一隔离部契合；所述第二隔离部用于阻碍所述半导体器件内寄生沟道的形成。本发明在浅槽隔离区域设置相契合的第一隔离部和第二隔离部，通过第二隔离部将寄生沟道延伸至浅槽隔离区域内，减缓或阻断寄生沟道内电荷的流动，减少因浅槽隔离区域陷阱电荷影响而导致的泄漏电流。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构-CN201110402796.X有效
发明人：张正选;刘张李;胡志远;宁冰旭;毕大炜;陈明;邹世昌 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，包括具有源区、漏区及沟道区的有源区、位于所述有源区四周侧的浅沟道隔离槽、位于所述沟道区上且采用双边缘超出有源区结构的栅区、以及两个虚设浅沟道隔离槽，其中，所述两虚设浅沟道隔离槽间隔设置于所述有源区内且与所述栅区相互垂直。在原始的版图结构中增加了虚设浅沟槽隔离氧化物，使得器件沟道区边缘的栅延长到隔离氧化物区域宽度减小，阻止源漏之间形成漏电路径，从而达到抗总剂量加固的目的。本发明工艺简单，适用于大规模的工业生产。
一种剂量辐射加固微米器件版图结构

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