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- [发明专利]一种功率器件及其制作方法-CN201810782322.4有效
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徐立根
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南京六合科技创业投资发展有限公司
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2018-07-17
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2021-09-21
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H01L23/367
- 本发明提供了一种功率器件及其制作方法，包括：在硅片上表面形成第一沟槽，在所述硅片下表面形成第二沟槽；在所述第一沟槽内形成源极和栅极结构；在所述第二沟槽内形成背面电极；在所述硅片上表面所述第一沟槽两侧形成第三沟槽和第四沟槽，在所述硅片下表面所述第二沟槽两侧形成第五沟槽和第六沟槽；在所述第三沟槽、所述第四沟槽、所述第五沟槽和所述第六沟槽的侧壁和底面形成介质层；在所述第三沟槽、所述第四沟槽、所述第五沟槽和所述第六沟槽内形成第一金属层；在所述正面电极的上表面和所述背面电极的下表面分别形成第一防水层和第二防水层；将所述硅片上表面连接第一散热结构，将所述硅片下表面连接第二散热结构，增加功率器件的热耗散。
- 一种功率器件及其制作方法
- [发明专利]半导体器件-CN202310355840.9在审
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大西彻;青井佐智子;浦上泰
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丰田自动车株式会社;株式会社电装
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2017-10-30
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2023-07-25
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H01L29/423
- 提供一种半导体器件，其中在沟槽(6)的端部中，露出沟槽的端部(10)的开口(22)被形成在引出电极(20)中，半导体基板的顶表面侧上的沟槽栅电极(14)的侧表面与沟槽侧表面(12)间隔开，并且与位于半导体基板的顶表面(4)和沟槽侧表面之间的边界线相邻的范围覆盖有层叠绝缘膜，层叠绝缘膜被构造成使得层间绝缘膜在栅极绝缘膜上层叠。在沟槽的直线部中，沟槽栅电极的顶表面与半导体基板的顶表面对准，并且层间绝缘膜不进入沟槽，其中，在沟槽的端部中，沟槽栅电极的顶表面被刻蚀，从而在沟槽的端部中的沟槽栅电极的顶表面的高度低于半导体基板的顶表面和在沟槽的直线部中沟槽栅电极的顶表面两者
- 半导体器件
- [发明专利]晶体管及其形成方法-CN201210256297.9有效
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楼颖颖
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上海宏力半导体制造有限公司
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2012-07-23
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2012-11-14
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H01L29/423
- 一种晶体管及其形成方法，其中，所述晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的沟槽，所述沟槽由第一子沟槽、以及位于所述第一子沟槽下方的第二子沟槽构成，所述第二子沟槽与所述第一子沟槽贯通，所述第一子沟槽的开口大于所述第二子沟槽的开口，所述第一子沟槽的侧壁与半导体衬底的表面倾斜，所述第二子沟槽的侧壁与半导体衬底表面垂直；位于所述沟槽侧壁和底部表面的栅介质层；位于所述栅介质层表面，填充满所述沟槽的栅电极层，所述栅电极层的表面与半导体衬底表面齐平；位于所述沟槽两侧的半导体衬底内的源区；位于与所述沟槽相对一侧的半导体衬底内与所述第二子沟槽相对设置的漏区。
- 晶体管及其形成方法
- [发明专利]摩擦盘冷却槽-CN201510315627.0在审
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斯蒂芬·P·佛斯伯格
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迪尔公司
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2015-06-10
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2015-12-30
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F16D65/853
- 一种用于摩擦作用装置的摩擦盘，包括具有内边缘和外边缘的环形摩擦表面。径向延伸的内沟槽形成在所述摩擦表面中。每一个所述内沟槽都与所述内边缘连通。径向延伸的外沟槽形成在所述摩擦表面中。每一个所述外沟槽都与所述外边缘连通。多个分支沟槽也形成在所述环形摩擦表面中。所述分支沟槽将每一个所述内沟槽与一对所述外沟槽连通，并且所述分支沟槽将每一个所述外沟槽与一对所述内沟槽连通。每一个内沟槽与对应的外沟槽对齐。每一个分支沟槽与多个分支沟槽中的另一个相交。每一个内沟槽具有大于对应的外沟槽的宽度。
- 摩擦冷却
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