专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种大尺寸、低缺陷密度的碳化硅单晶生长装置-CN202222160073.X有效
  • 卜俊恩;崔海;谢莉华;谭思佳;谢姗 - 安徽研泠科技有限公司
  • 2022-08-17 - 2022-12-20 - C30B29/36
  • 本实用新型公开了一种大尺寸、低缺陷密度的碳化硅单晶生长装置,包括设置在生长炉内的保温壳,保温壳内设置有生长坩埚、坩埚盖和板型电阻加热器,生长坩埚通过螺钉固定安装在坩埚盖的底部,所述坩埚盖的顶部固定安装有竖轴本实用新型设计合理,实用性好,能够控制生长坩埚水平转动,能够使得生长坩埚内碳化硅单晶的生长温度更为均匀,并且能够根据碳化硅单晶生长的速度,对生长坩埚的高度位置进行调节,可保证生长坩埚内碳化硅单晶生长点的高度保持不变,进而有利于碳化硅单晶生长缺陷的抑制,能够制得大尺寸、低缺陷密度的碳化硅单晶,提高了碳化硅单晶的生产质量。
  • 一种尺寸缺陷密度碳化硅生长装置
  • [实用新型]一种用于碳化硅冶炼炉的进料结构-CN202320198511.3有效
  • 袁春阳;侯林攀 - 河南淅川平煤三责精密陶瓷有限公司
  • 2023-02-13 - 2023-07-04 - F27D3/10
  • 本实用新型提供一种用于碳化硅冶炼炉的进料结构,涉及碳化硅冶炼技术领域,该一种用于碳化硅冶炼炉的进料结构,包括进料管,将进料管的底端安装在冶炼炉的进料口上,通过设置的半圆孔和半圆板将进料管进行封闭,将碳化硅放入进料漏斗内,转动驱动装置会去驱动进料漏斗进行旋转,进料漏斗内的碳化硅便会落入进料管内,并掉落在升降板上,旋转进料漏斗使进料管的顶端封闭,当碳化硅落到升降板上时,升降板的重量会增加,升降板会向下移动,升降板的底面与升降杆接触,升降板持续受到重力便会进行倾斜,碳化硅便会从升降板上滑落入冶炼炉内,从而可以有效避免上料时,粉尘飘散到空气中,防止灰尘对工人的身体造成损伤,也有效的降低了安全隐患。
  • 一种用于碳化硅冶炼进料结构
  • [实用新型]射频消融碳化硅电极及射频消融装置-CN202223578337.X有效
  • 李碧波;蔡雄飞;汪之涵 - 深圳基本半导体有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-08-22 - A61B18/14
  • 本申请提供了一种射频消融碳化硅电极及射频消融装置,包括电极主体和碳化硅半导体器件,所述电极主体的端部设有内镜,碳化硅半导体器件与所述内镜位于所述电极主体的同一端部并设置于所述内镜上,碳化硅半导体器件用于射频消融在本申请中,碳化硅半导体器件作为消融电极,替代现有的金属射频电极或其它复合材料制备的电极,能够提高射频消融电极的精准性和设计性,降低手术并发症发生的概率。同时,本申请将碳化硅半导体器件与内镜镜头进行集成化/或单独安装在内镜镜头上,利用碳化硅半导体器件的高光学透明性及良好的生物相容性材料,在可视化下直接进行射频消融,实时控制消融面积并快速反馈消融情况,有效降低手术并发症
  • 射频消融碳化硅电极装置
  • [实用新型]化硅预制基板-CN202320099580.9有效
  • 李太平;蒋根同;曹立华;唐丽 - 成都鑫京栀科技有限公司
  • 2023-02-02 - 2023-04-21 - H01L23/13
  • 本实用新型公开了一种碳化硅预制基板,包括碳化硅基板和安装于碳化硅基板外围的收紧式外圈,碳化硅基板的内部加工成型有中空散热腔,中空散热腔内纵向设置有若干组支撑柱,中空散热腔的外围加工成型有若干组散热腔道,本实用新型在碳化硅基板的内部设计有散热腔道结构,可以在保证原有碳化硅基板厚度和强度的基础上,提高碳化硅基板本体的散热效果,避免在使用的过程中基板过热的情况。
  • 碳化硅预制
  • [实用新型]一种碳化硅微粉包装装置-CN202223399882.2有效
  • 石勇;黄勇;石锋 - 临沭县东升磨料有限公司
  • 2022-12-19 - 2023-05-05 - B65B1/12
  • 本实用新型公开了一种碳化硅微粉包装装置,包括碳化硅微粉箱体,碳化硅微粉箱体的上端装配有顶盖,碳化硅微粉箱体的下端装配有支撑架;顶盖的上端装配有电机,顶盖的上端中段开设有转孔,转孔内安装有转轴,转轴的端部连接电机;碳化硅微粉箱体的内部装配有螺旋绞龙,螺旋绞龙的端部连接转轴;碳化硅微粉箱体的底端开设有出料口,且出料口内安装有出料管,螺旋绞龙的端部设置在出料管内;支撑架的两侧内壁均安装有固定板,两个固定板之间安装有抽拉横板,抽拉横板的侧壁开设有包装槽,且包装槽设置在出料管的正下端;该碳化硅微粉包装装置,通过旋转的螺旋绞龙转动挤压微粉,达到了将细粉打散不会堵塞管道的效果。
  • 一种碳化硅包装装置
  • [实用新型]一种碳化硅晶体生长炉温梯调整装置-CN202222947837.X有效
  • 刘鹏;徐文立;王誉程;胡建宇;杜霆 - 宁波恒普真空科技股份有限公司
  • 2022-11-07 - 2023-03-17 - C30B23/00
  • 本实用新型公开一种碳化硅晶体生长炉温梯调整装置,涉及碳化硅晶体生长炉技术领域,包括固定盘和旋转盘;所述固定盘置于碳化硅晶体生长炉热场顶部,所述旋转盘至于固定盘上方,旋转盘与一旋转机构传动连接;所述固定盘和所述旋转盘上相对应的设置有散热孔本实用新型中的碳化硅晶体生长炉温梯调整装置,通过转动旋转盘以改变散热孔的面积,以改变热场坩埚的轴向温度梯度和坩埚顶部的径向温度梯度,本实用新型装置提供的装置能够调整热场坩埚的轴向温度梯度和坩埚顶部的径向温度梯度,提高碳化硅晶体生产速率,增大碳化硅晶体生产厚度,提高碳化硅单晶质量。
  • 一种碳化硅晶体生长炉温调整装置
  • [实用新型]一种碳化硅反射镜抛光装置-CN202223257820.8有效
  • 吴爱华;彭永民;吴文龙 - 苏州沛斯仁光电科技有限公司
  • 2022-12-06 - 2023-05-23 - B24B13/005
  • 本实用新型公开了一种碳化硅反射镜抛光装置,属于碳化硅反射镜技术领域,包括底板、定位组件以及抛光组件,所述定位组件包括驱动模组、沿所述驱动模组长度方向运动的载块以及安装于载块上的定位块,所述定位块上设有真空孔;所述抛光组件包括驱动气缸、位于所述驱动气缸活塞杆端的安装架、位于所述安装架顶端的抛光电机以及位于所述抛光电机转轴端的抛光轮,所述抛光轮与位于所述容纳腔内的碳化硅反射镜位置对应。本实用新型采用定位组件对碳化硅反射镜进行定位,通过真空吸附的方式将碳化硅反射镜固定在定位块的容纳腔内,定位效果好,稳定性高,有效避免碳化硅反射镜表面出现受损的情况,保证对碳化硅反射镜的抛光效果。
  • 一种碳化硅反射抛光装置
  • [实用新型]化硅生产用偏心式双轴搅拌机-CN202222353645.6有效
  • 韩朝军 - 登封市金钰电热材料有限公司
  • 2022-09-05 - 2023-02-10 - B01F27/2322
  • 本实用新型公开了碳化硅生产用偏心式双轴搅拌机,包括箱体,所述箱体的顶部表面中间位置处安装有电机,且电机的输出端固定连接有第一齿轮。本实用新型,通过电机带动第一齿轮进行转动,第一齿轮转动的同时带动转杆上的第二齿轮进行转动,使得转杆底端上的偏心轮进行转动,再通过偏心轮上的搅拌杆和搅拌叶的配合使用,能够有效对碳化硅原料均匀进行搅拌,使得碳化硅原料能够在箱体中充分进行混合,便于提高其搅拌效果,其中在搅拌的同时通过箱体内壁两侧上的磁铁板的使用,能够有效将碳化硅原料中的铁屑进行吸附,从而能够对碳化硅原料中的铁屑进行吸附清理,防止铁屑和碳化硅原料掺杂在一起,从而便于碳化硅的后续加工
  • 碳化硅生产偏心式双轴搅拌机
  • [发明专利]用于交联碳化硅纤维前体聚合物的方法和设备-CN201480049676.8有效
  • P.K.戴维斯;S.鲁宾什塔恩 - 通用电气公司
  • 2014-06-17 - 2019-04-16 - B29C35/08
  • 本公开内容大体上提供了用于用电子束辐射有效地交联碳化硅纤维前体聚合物的方法和设备。该方法和设备使用包含碳化硅纤维前体聚合物(16,116)的平台(14,114)。平台(14,114)的温度在碳化硅纤维前体聚合物(16,116)被照射的同时调节,以由此调节设在其上的被照射的碳化硅纤维前体聚合物的温度。以此方式,被照射的碳化硅纤维前体聚合物(16,116)的温度在经历辐射期间和之后都经由平台(14,114)调节。平台(14,114)和电子束辐射机构(12,112)中的至少一者可相对于另一者平移,以照射碳化硅纤维前体聚合物(16,116)的不同部分,且最终照射包含在平台(14,114)上的碳化硅纤维前体聚合物的整体
  • 用于交联碳化硅纤维聚合物方法设备
  • [发明专利]在含氢环境中超高纯碳化硅晶体的生长-CN200480026416.5有效
  • D·P·马尔塔;J·R·詹尼;H·M·霍布古德;V·F·茨韦特科夫 - 克里公司
  • 2004-07-26 - 2006-10-18 - C30B29/36
  • 公开了一种制备具有可控氮含量的半绝缘碳化硅晶体的方法。所述方法包括如下步骤:将含氢环境气体引入升华生长室;在氢环境生长室中将碳化硅源粉末加热至升华,同时,在氢环境生长室中将碳化硅籽晶加热至比源粉末温度低的第二个温度并随后进行保温,在该第二个温度下,由源粉末升华的物质将凝聚在籽晶上,继续加热碳化硅源粉末直至在籽晶上已出现期望量的碳化硅晶体生长,同时在生长室中保持充分的氢环境浓度,以最大程度地减少进入生长中的碳化硅晶体中的氮量;以及在升华生长期间同时将源粉末和籽晶保持在各自足够高的温度下,以使生长中晶体中点缺陷数目增加至所获碳化硅晶体具有半绝缘性的量。
  • 环境高纯碳化硅晶体生长

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