专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种卷绕装置和液冷源-CN202310817250.3在审
  • 杜霆;查金水;王美焰;张楠;陈甘霖;袁伟琪 - 中国电子科技集团公司第三十八研究所
  • 2023-07-04 - 2023-09-05 - B65H75/44
  • 本发明涉及雷达环控技术领域,公开了一种卷绕装置和液冷源。所述卷绕装置包括固定底座(1)、液体铰链(2)和卷盘(3),所述卷盘(3)可转动地架设在所述固定底座(1)上,并且,所述卷盘(3)上沿中心轴线向外延伸形成有液体铰链连接法兰(4),所述液体铰链连接法兰(4)与设置在所述固定底座(1)上的所述液体铰链(2)相连接,所述液体铰链(2)上形成有供回液口(5);所述卷盘(3)的内侧侧壁上形成有液冷软管连接口(6),液冷软管(7)缠绕在所述卷盘(3)上且一端与所述液冷软管连接口(6)相连接,另一端形成有干式接头(8)。该卷绕装置空间利用率大,一体化程度高,使用方便。
  • 一种卷绕装置液冷源
  • [实用新型]一种晶体生长炉-CN202223492535.4有效
  • 刘鹏;徐文立;胡建宇;杜霆 - 宁波恒普真空科技股份有限公司
  • 2022-12-27 - 2023-06-16 - C30B35/00
  • 本实用新型公开一种晶体生长炉,包括炉体、热场、感应线圈、大炉盖、小炉盖和升降模组,炉体固定在框架上,热场放置在热场支撑柱上,热场支撑柱放置在小炉盖上,可随小炉盖移动,感应线圈固定在线圈支撑柱上,线圈支撑柱放置在大炉盖上,电极由大炉盖引出,可随大炉盖移动。大炉盖与炉体以连接螺钉固定,升降模组与框架固定。装卸料时,升降模组带动小炉盖实现小炉盖和热场的往复运动。检修感应线圈时,可松开连接螺钉,使大炉盖随小炉盖同时移动。
  • 一种晶体生长
  • [实用新型]一种管道或阀门的模块化转接头-CN202320035035.3有效
  • 杜霆;黄徐炯;刘鹏;徐文立 - 宁波恒普真空科技股份有限公司
  • 2023-01-06 - 2023-06-06 - F16L25/00
  • 本实用新型公开了一种管道或阀门的模块化转接头,包括转接头本体,所述转接头本体为长方体结构,所述转接头本体的至少两个端面上设置有互通的接口,各所述接口之间通过所述转接头本体的内腔连通,设置有所述接口的所述转接头本体的端面上设置有连接螺孔,所述接口处还配套设置有中心支撑环和密封圈;本实用新型在转接头本体上设置各种不同数量和不同位置的接口,且可以自由拼装成需要的转接结构,可以根据客户的需要,自由扩展,实现与阀门或管道轻松连接;各接口处均设置中心支撑环和密封圈,保证密封性,减少系统漏点。
  • 一种管道阀门模块化转接
  • [发明专利]一种带软启动的阀门-CN202211561951.7在审
  • 杜霆;刘鹏;徐文立;黄徐炯 - 宁波恒普真空科技股份有限公司
  • 2022-12-07 - 2023-04-14 - F16K1/00
  • 本发明公开一种带软启动的阀门,涉及阀门结构技术领域,主要结构包括阀体、阀板、阀芯和气缸轴;阀板的顶部与空心轴的底部相连接;气缸外壳设置于阀体的顶部;空心轴的顶部伸入气缸外壳内;主体弹簧设置于阀板与气缸外壳之间;阀板的底部设置有软启动口,阀板的侧部设置有压力平衡通道;气缸轴贯穿空心轴和阀板;气缸轴的顶部与阀芯相连接;软启动弹簧设置于阀板与空心轴之间;阀芯的侧壁与气缸外壳的内壁动密封连接;气缸外壳上设置有上部通气接口和下部通气接口。本发明中的带软启动的阀门,通过在阀板的侧部设置压力平衡通道,利用压缩气首先开启压力平衡通道,降低进口和出口之间的压力差,再开启阀板,以降低阀板的开启难度。
  • 一种启动阀门
  • [实用新型]一种带软启动的阀门-CN202223269669.X有效
  • 杜霆;刘鹏;徐文立;黄徐炯 - 宁波恒普真空科技股份有限公司
  • 2022-12-07 - 2023-03-21 - F16K1/00
  • 本实用新型公开一种带软启动的阀门,涉及阀门结构技术领域,主要结构包括阀体、阀板、阀芯和气缸轴;阀板的顶部与空心轴的底部相连接;气缸外壳设置于阀体的顶部;空心轴的顶部伸入气缸外壳内;主体弹簧设置于阀板与气缸外壳之间;阀板的底部设置有软启动口,阀板的侧部设置有压力平衡通道;气缸轴贯穿空心轴和阀板;气缸轴的顶部与阀芯相连接;软启动弹簧设置于阀板与空心轴之间;阀芯的侧壁与气缸外壳的内壁动密封连接;气缸外壳上设置有上部通气接口和下部通气接口。本实用新型中的带软启动的阀门,通过在阀板的侧部设置压力平衡通道,利用压缩气首先开启压力平衡通道,降低进口和出口之间的压力差,再开启阀板,以降低阀板的开启难度。
  • 一种启动阀门
  • [实用新型]一种碳化硅晶体生长炉温梯调整装置-CN202222947837.X有效
  • 刘鹏;徐文立;王誉程;胡建宇;杜霆 - 宁波恒普真空科技股份有限公司
  • 2022-11-07 - 2023-03-17 - C30B23/00
  • 本实用新型公开一种碳化硅晶体生长炉温梯调整装置,涉及碳化硅晶体生长炉技术领域,包括固定盘和旋转盘;所述固定盘置于碳化硅晶体生长炉热场顶部,所述旋转盘至于固定盘上方,旋转盘与一旋转机构传动连接;所述固定盘和所述旋转盘上相对应的设置有散热孔;所述旋转机构用于转动旋转盘以改变散热面积。本实用新型中的碳化硅晶体生长炉温梯调整装置,通过转动旋转盘以改变散热孔的面积,以改变热场坩埚的轴向温度梯度和坩埚顶部的径向温度梯度,本实用新型装置提供的装置能够调整热场坩埚的轴向温度梯度和坩埚顶部的径向温度梯度,提高碳化硅晶体生产速率,增大碳化硅晶体生产厚度,提高碳化硅单晶质量。
  • 一种碳化硅晶体生长炉温调整装置
  • [实用新型]保温门开闭结构-CN202222081964.6有效
  • 刘鹏;徐文立;黄徐炯;杜霆;胡芳;陈威汀;祝旭松 - 宁波恒普真空科技股份有限公司
  • 2022-08-09 - 2023-03-14 - E05F15/50
  • 本实用新型公开保温门开闭结构,涉及保温门开闭结构技术领域,包括炉门、保温门、杠杆组件、动力推杆和执行部件;保温门位于炉门内侧,保温门与炉门之间设置有杠杆组件;执行部件设置于炉门外侧,动力推杆贯穿炉门,动力推杆一端与执行部件相连接,动力推杆另一端与杠杆组件相连接。本实用新型中的保温门开闭结构,通过气缸或油缸驱动杠杆组件使保温门能够相对于炉门移动,实现了保温门开启和关闭,同时能够保证关闭状态下保温门与保温门环各处都能够紧密接触,保证良好的密封效果。
  • 保温开闭结构
  • [发明专利]一种碳化硅晶体生长炉温梯调整装置-CN202211390668.2在审
  • 刘鹏;徐文立;王誉程;胡建宇;杜霆 - 宁波恒普真空科技股份有限公司
  • 2022-11-07 - 2023-01-06 - C30B23/00
  • 本发明公开一种碳化硅晶体生长炉温梯调整装置,涉及碳化硅晶体生长炉技术领域,包括固定盘和旋转盘;所述固定盘置于碳化硅晶体生长炉热场顶部,所述旋转盘至于固定盘上方,旋转盘与一旋转机构传动连接;所述固定盘和所述旋转盘上相对应的设置有散热孔;所述旋转机构用于转动旋转盘以改变散热面积。本发明中的碳化硅晶体生长炉温梯调整装置,通过转动旋转盘以改变散热孔的面积,以改变热场坩埚的轴向温度梯度和坩埚顶部的径向温度梯度,本发明装置提供的装置能够调整热场坩埚的轴向温度梯度和坩埚顶部的径向温度梯度,提高碳化硅晶体生产速率,增大碳化硅晶体生产厚度,提高碳化硅单晶质量。
  • 一种碳化硅晶体生长炉温调整装置
  • [实用新型]一种真空脱脂烧结炉捕脂装置-CN202222091606.3有效
  • 刘鹏;徐文立;黄徐炯;杜霆;胡芳 - 宁波恒普真空科技股份有限公司
  • 2022-08-10 - 2022-11-22 - B22F3/10
  • 本实用新型公开一种真空脱脂烧结炉捕脂装置,涉及真空脱脂烧结炉技术领域,包括捕脂器本体,所述捕脂器本体为筒状结构;所述捕脂器本体外部设置有加热机构;所述捕脂器本体内设置有翅片捕脂机构,和/或,所述捕脂器本体内设置有至少一个填充物捕脂机构,和/或,所述捕脂器本体内设置有盘管捕脂机构。本实用新型中的真空脱脂烧结炉捕脂装置,通过至少一级脱脂机构将载流气体中的粘接剂液化并收集,减少载流气体流经之后的管路或阀门时,气态粘接剂凝结造成管道中元器件损坏;并减少粘接剂对油泵的污染,通过设置加热机构避免捕脂装置内的粘接剂凝结,有利于连续的排出粘接剂。
  • 一种真空脱脂烧结炉装置
  • [实用新型]一种通过多比例阀进行压力控制的系统-CN202221725218.X有效
  • 刘鹏;徐文立;杜霆;胡建宇 - 宁波恒普真空科技股份有限公司
  • 2022-07-05 - 2022-11-11 - G05D16/20
  • 本实用新型公开一种通过多比例阀进行压力控制的系统,涉及晶体生长,CVD等半导体设备技术领域。设计包括质量流量控制器、至少两级控制阀门、真空泵、第一压力计和第一控制系统;质量流量控制器一端与气源相连通,质量流量控制器另一端与反应腔室相连通;第一压力计设置于反应腔室上;反应腔室上设置有一抽气管路,至少两级控制阀门和真空泵串联于抽气管路上;质量流量控制器、至少两级控制阀门和第一压力计均与第一控制系统信号连接。采用多比例阀压力控制系统,能够提高系统流导变化的最小分辨率,提高系统流导变化的最小分辨率相当于提高了生长腔室的压力控制精度,并且还能通过多比例阀联动延长阀门的使用寿命,提高系统稳定性。
  • 一种通过比例进行压力控制系统
  • [发明专利]一种通过多比例阀进行压力控制的系统及方法-CN202210789334.6在审
  • 刘鹏;徐文立;杜霆;胡建宇 - 宁波恒普真空科技股份有限公司
  • 2022-07-05 - 2022-09-27 - G05D16/20
  • 本发明公开一种通过多比例阀进行压力控制的系统及方法,涉及晶体生长,CVD等半导体设备技术领域。设计包括质量流量控制器、至少两级控制阀门、真空泵、第一压力计和第一控制系统;质量流量控制器一端与气源相连通,质量流量控制器另一端与反应腔室相连通;第一压力计设置于反应腔室上;反应腔室上设置有一抽气管路,至少两级控制阀门和真空泵串联于抽气管路上;质量流量控制器、至少两级控制阀门和第一压力计均与第一控制系统信号连接。采用多比例阀压力控制系统,能够提高系统流导变化的最小分辨率,提高系统流导变化的最小分辨率相当于提高了生长腔室的压力控制精度,并且还能通过多比例阀联动延长阀门的使用寿命,提高系统稳定性。
  • 一种通过比例进行压力控制系统方法
  • [实用新型]一种氮化硅烧结设备-CN202123305111.8有效
  • 刘鹏;徐文立;袁晓芸;杜霆;胡芳 - 宁波恒普真空科技股份有限公司
  • 2021-12-24 - 2022-07-05 - F27B14/00
  • 本实用新型提供了一种氮化硅烧结设备,涉及烧结设备技术领域,包括:加热装置、密封箱、多个坩埚和与坩埚数量相同的石墨盒,各石墨盒均设置于密封箱内,各石墨盒内均搁置有一个坩埚,坩埚中用于盛放氮化硅毛坯,加热装置用于对坩埚内的氮化硅毛坯加热;石墨盒作为易耗件,高温下,单质硅挥发,与石墨盒进行反应,先损耗石墨盒,密封箱内的压力氛围不受影响,一旦有石墨盒损坏到一定程度,就更换石墨盒,避免密封箱的损坏,石墨盒相对于密封箱成本低很多;同时,石墨盒的设置避免密封箱开裂而造成对产品质量的影响,减少密封箱更换困难的问题,大大减少后期维护保养的费用,降低了生产成本。
  • 一种氮化烧结设备

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