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[发明专利]一种高分散性氧化铟及其制备方法-CN202011548614.5在审
发明人：王权;朱刘;邵学亮;曾嘉豪;李永鹏 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种高分散性氧化铟及其制备方法；该制备方法包括以下步骤：a)向反应装置中加入0.5mol/L～2mol/L的含铟溶液，加入酸液控制溶液中氢离子浓度在0.1mol/L～1mol/L，在搅拌下加入碱液调节pH为5～7，再加入纯水，配制成1g/L～20g/L的氢氧化铟胶体，得到晶种；b)取步骤a)得到的晶种，同时滴加含铟溶液和pH调节剂，控制反应体系的pH值为6～8；待含铟溶液滴加完后，将反应体系进行熟化，得到氢氧化铟浆料；c)将步骤b)得到的氢氧化铟浆料经离心洗涤、喷雾干燥后，再进行煅烧，得到高分散性氧化铟。与现有技术相比，本发明提供的制备方法采用晶种生长法，成功制备出了尺寸分布均一且分散性、流动性良好的氧化铟。
一种分散性氧化及其制备方法

[发明专利]金属氧化物TFT器件及其制作方法-CN201710302060.2在审
发明人：翟玉浩 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种金属氧化物TFT器件及其制作方法。所述金属氧化物TFT器件的有源层(7)采用类似三明治的结构，包括下层铟镓锌氧化物薄膜(71)、与所述下层铟镓锌氧化物薄膜(71)相对设置的上层铟镓锌氧化物薄膜(73)、及夹设在所述下层铟镓锌氧化物薄膜(71)与上层铟镓锌氧化物薄膜(73)之间的中间导电层(75)，且所述中间导电层(75)的材料为高含铟金属氧化物、或高含锌金属氧化物，能够进一步提高电子迁移率，减少有源层(7)与栅极绝缘层(5)的界面缺陷
金属氧化物 tft 器件及其制作方法

[发明专利]铟锆氧化物靶材及其制法及铟锆氧化物薄膜-CN202010101489.7在审
发明人：柯伯贤;谢承谚;简毓苍;刘砚鸣 -专利权人：光洋应用材料科技股份有限公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供一种铟锆氧化物靶材及其制法及铟锆氧化物薄膜，其包含铟、锆及氧，其中锆原子数相对于铟及锆的原子总数的比值大于或等于0.18且小于或等于0.40，且该铟锆氧化物靶材的平均体电阻率大于或等于8×10以此铟锆氧化物靶材溅镀形成的铟锆氧化物薄膜的片电阻值大于或等于1×107欧姆/单位面积且小于或等于1×1010欧姆/单位面积，此高片电阻值的铟锆氧化物薄膜可应用于内嵌式触控面板。
氧化物及其制法薄膜

[发明专利]一种氧化铟锡旋转靶材的烧结方法-CN201710643390.8有效
发明人：陆映东;武建良;马超宁;黄誓成 -专利权人：洛阳晶联光电材料有限责任公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化铟锡旋转靶材的烧结方法，包括以下步骤：㈠成型横截面为椭圆形的管状氧化铟锡靶材素坯；㈡在烧结炉的承烧板上，摆放二排挡块，二排挡块的间距比椭圆形氧化铟锡靶材素坯的外椭圆短轴大20～100mm；㈢将成型好的氧化铟锡靶材素坯平躺放在二排挡块之间，氧化铟锡靶材素坯的椭圆形长轴与承烧板垂直，然后在氧化铟锡靶材素坯两侧与挡块之间填充氧化铝砂，最后开始升温脱脂和烧结，得到氧化铟锡旋转靶材。该方法采用平躺烧结，可使旋转靶材的长度不受限于烧结炉高度，而是受限于烧结炉长度，并且采用椭圆形的素坯结构，能够抵消大部分的烧结变形，烧结变形量小，适合批量生产长尺寸的氧化铟锡旋转靶材。
一种氧化旋转烧结方法

[发明专利]一种硅改性铟基氧化物-分子筛复合材料及其制备方法和应用-CN202210351831.8有效
发明人：王森;樊卫斌;王晗;秦张峰;董梅;王建国 -专利权人：中国科学院山西煤炭化学研究所
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B01J29/70 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅改性铟基氧化物‑分子筛复合材料及其制备方法和应用，涉及催化剂技术领域。本发明提供的硅改性铟基氧化物‑分子筛复合材料包括硅改性铟基氧化物和分子筛；所述硅改性铟基氧化物包括铟基氧化物以及包覆在所述铟基氧化物表面的二氧化硅；所述铟基氧化物包括In2铟基氧化物和酸性H‑BEA分子筛为共催化剂，用于CO2加氢制丁烷反应，能够显著提高丁烷选择性，同时还可以有效降低CO副产物的生成，并有效提高催化稳定性
一种改性氧化物分子筛复合材料及其制备方法应用

[发明专利]银氧化锡氧化铟回收银工艺-CN202210280220.9在审
发明人：谢云;戚双祥;邱建美;夏金涛;盛黄琳 -专利权人：宁波东大神乐电工合金有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C22B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了银氧化锡氧化铟回收银工艺，包括以下步骤：还原性气体氛围下，将银氧化锡氧化铟材料于1100‑1200℃熔融0.2‑1h的步骤；降温至800‑850℃下保温0.6‑5h的步骤，氧化锡的密度在6.95g/cm3左右，纯银密度为10.53g/cm3左右，且氧化锡与银润湿性差，本方案中利用上述性能特征，在银熔点以上、氧化锡熔点以下的温度中对银氧化锡氧化铟边角料熔融，在熔融阶段，氧化锡固体颗粒上浮至银溶液的表面，氧化铟被还原成铟继而熔融于银液中被共同回收，保温阶段继续还原氧化铟，该工艺无需酸参与，没有酸雾及废水等的产生，工艺流程简单，符合环保要求。
氧化回收工艺

[发明专利]铪铟锌氧化物靶材的制作方法-CN201210319449.5无效
发明人：信恩龙;李喜峰;张建华 -专利权人：上海大学
申请日： 2012-09-03 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种铪铟锌氧化物靶材的制作方法，包括氧化铪、氧化铟和氧化锌三种金属氧化物纳米粉体的制备步骤、氧化铟粉末制作步骤、烧结步骤以及整型步骤，将氧化铪、氧化铟、氧化锌的纳米粉末均匀混合，压制成坯，再以高温烧结合成为铪铟锌氧化物，经机械加工、打磨形成铪铟锌氧化物靶材。以本发明方法制备的氧化物溅射靶材制作的薄膜晶体管具有电子迁移率高，器件性能优越，制造工艺简单，稳定性好等优点，也为新型薄膜晶体管的发展带来了契机。
铪铟锌氧化物制作方法

[发明专利]一种银镓铟硒/氧化物薄膜电极的制备方法-CN201911185396.0有效
发明人：舒婷;曾德福;周亮;朱晓明;王诗;吴诗;李向华 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种银镓铟硒/氧化物薄膜电极的制备方法，包括以下步骤：(1)在导电基底上制备氧化物多孔薄膜；(2)合成油溶性银镓铟硒纳米粒；(3)将油溶性银镓铟硒纳米粒通过表面改性制成巯基丙酸包覆的纳米粒后分散在水中制成分散液；(4)惰性气体氛围中将氧化物多孔薄膜浸泡在水溶性银镓铟硒纳米粒分散液中，使银镓铟硒纳米粒吸附到氧化物多孔薄膜内；(5)再经洗涤、吹干得到银镓铟硒/氧化物薄膜电极。本发明的有益效果：银镓铟硒纳米粒的合成反应温度低，时间短，节省能耗和时间，制得的银镓铟硒颗粒均匀，尺寸小，改性后易于吸附到氧化物薄膜内；本发明所制备的银镓铟硒/氧化物电极具有可调的光学和电学性能，可用于改善电池性能
一种银镓铟硒氧化物薄膜电极制备方法

[发明专利]一种二氧化钛‑硫铟铜复合纳米纤维材料及其制备方法-CN201610871678.6在审
发明人：余家国;徐飞燕;张建军;程蓓 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种二氧化钛‑硫铟铜复合纳米纤维材料及其制备方法，所述二氧化钛‑硫铟铜复合纳米纤维材料由二氧化钛纳米纤维和均匀分布在二氧化钛纳米纤维表面的硫铟铜纳米片组成，所述二氧化钛纳米纤维直径为100‑200nm本发明提供的二氧化钛‑硫铟铜复合纳米纤维材料中的硫铟铜纳米片可以通过电子传输有效地分离光生电子和空穴，从而增强体系的光催化活性；此外，由于二氧化钛的纤维状结构和硫铟铜的片状结构，使得复合纳米纤维材料对二氧化碳分子的吸附能力大大增强，从而增强体系的光催化效率，基于二氧化钛‑硫铟铜两者的协同作用使得本发明提供的二氧化钛‑硫铟铜复合纳米纤维材料用于光催化还原二氧化碳催化活性高。
一种氧化硫铟铜复合纳米纤维材料及其制备方法

[发明专利]一种氧化锌烟尘铟浸出工艺-CN202310469203.4在审
发明人：王闯;白薇;范长江;王建刚;毕红林;向天鹏;边春峰;王艳斌 -专利权人：呼伦贝尔驰宏矿业有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C22B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌烟尘铟浸出工艺，湿法炼锌中产生的预中和底流通过压滤、酸浸、沉铟、浸出、还原‑脱硅获得铟萃取前液，对铟萃取前液进行萃取获得成品铟。本发明提供的工艺能够提升氧化锌烟尘处理能力，降低铟金属在铅锌系统往复循环量，提高铟萃取前液质量，避免铟萃取过程乳化。
一种氧化锌烟尘浸出工艺

[发明专利]溅射靶-CN201280039725.0有效
发明人：江端一晃;笘井重和;松崎滋夫;霍间勇辉 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射靶，其含有烧结体，所述烧结体含有掺杂有Ga的氧化铟、或掺杂有Al的氧化铟，相对于Ga与铟的合计或Al与铟的合计含有大于100原子ppm且在1100原子ppm以下的显示正4价原子价的金属，晶体结构实质上由氧化铟的方铁锰矿结构构成。
溅射

[发明专利]一种铜铟镓硒回收方法-CN201810680823.1在审
发明人：潘勇进;李胜春;谈笑天;鱼志坚;白少森 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C22B1/06 文献下载
摘要：本发明公开一种铜铟镓硒回收方法，涉及太阳能电池技术领域，以降低铜铟镓硒的回收成本，并减少废水排放。所述铜铟镓硒回收方法包括将含铜铟镓硒物料和浓硫酸混合，对所获得的物料分散体系进行焙烧，获得二氧化硒、二氧化硫以及焙烧残余物；利用水吸收二氧化硫和二氧化硒，使得二氧化硒被二氧化硫还原成单质硒；对焙烧残余物进行后处理，获得单质铜、单质铟和单质镓。本发明提供的铜铟镓硒回收方法用于含铜铟镓硒物料的处理中。
铜铟镓硒焙烧二氧化硒回收二氧化硫残余物单质太阳能电池技术后处理废水排放物料分散单质铜单质硒浓硫酸水吸收还原

[发明专利]一种尺寸均匀的氧化铟纳米棒及其制备方法与应用-CN201910891955.3有效
发明人：刘岚;彭泽飞;李林桦;郑荣敏;邓智富;邢舒婷;李俊云;伍垚屹 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明属于纳米氧化铟的制备技术领域，具体涉及一种尺寸均匀的氧化铟纳米棒及其制备方法与应用。该方法首先用四水合三氯化铟、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙二醇(PEG‑600)、去离子水和KOH制备氢氧化铟前驱体粉体，然后将重新分散的氢氧化铟前驱体粉体进行梯度离心，最后经过高温煅烧即得到尺寸均匀的的氧化铟纳米棒该的氧化铟纳米棒直径为30～50nm，长度为1～5μm，长径比的范围为20～170。纳米棒呈单根分散的形式存在，有利于其在光电器件、气敏、传感等方面的应用。
一种尺寸均匀氧化纳米及其制备方法应用

[发明专利]从铟锡氧化物废料中提取精铟的方法-CN02139742.2有效
发明人：陈志飞;陈坚;周友元;姚吉升;王玺;黄军武 -专利权人：长沙矿冶研究院
申请日： 2002-11-07 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： C22B3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种从铟锡氧化物(ITO)废料中提取精铟的方法。该方法是以铟锡氧化物废料等含铟物质为原料，将其加入到无机混合酸中溶解，氧化，铟锡分离；在铟锡分离过程中加入碱溶液和无机共沉剂，使锡等杂质生成一种致密、沉降速度快、易于固液分离的沉淀物，随后溶液经固液分离、置换、熔铸阳极、电解制得精铟。该方法大大改善了铟锡分离过程中沉淀物的过滤性能，使固液快速分离，除锡效果好、工艺简单、成本低、铟回收率＞95％，精铟纯度＞99.994％。
氧化物废料提取方法

[发明专利]一种利用ITO废料制备氧化铟粉和氧化铟锡粉的方法-CN202110133146.3在审
发明人：陆映东;黄作;张倍维;王凯;梁盈祥;宋春华 -专利权人：广西晶联光电材料有限责任公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用ITO废料制备氧化铟粉和氧化铟锡粉的方法，该方法将收集的ITO废料进行干燥去除水分，然后进行煅烧，去除有机物，将所得物料用盐酸溶解，然后过滤得到溶液，再利用氯化铟在300℃即可挥发的原理，将所得溶液进行多次蒸馏，得到氯化铟，然后再以氯化铟为原料，采用沉淀法，制备氧化铟粉和氧化铟锡粉。本发明由ITO靶材生产过程中产生的废料制得氯化铟，不仅节约了成本，进行了废物利用，同时较传统的废料再利用，略去将废料转化成精铟的步骤，由废料直接制备出金属盐，再制备粉，能有效减少回收成本，进一步降低了生产成本
一种利用 ito 废料制备氧化铟锡粉方法