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[发明专利]一种纳米氧化铟粉末的制备方法-CN202210672604.5在审
发明人：洪明浩;刘鸿飞;李继;李春生;殷亮;朱刘 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及纳米粉体制备技术领域，尤其涉及一种纳米氧化铟粉末制备方法，包括以下步骤：A)将铟锭在惰性气氛下熔化，得到铟液；B)将所述铟液雾化，得到的铟蒸气与空气接触发生氧化反应后，采用惰性气体喷吹冷却，得到氧化铟粉末；C)将所述氧化铟粉末进行旋风分离，得到粗氧化铟粉末；D)将所述粗氧化铟粉末进行布袋除尘，得到细氧化铟粉末；E)将所述细氧化铟粉末进行滤芯除尘，得到纳米氧化铟粉末。本发明制备的纳米氧化铟粉末纯度较高，粒度较小，粒度分布均匀，单一性良好，无团聚。同时，本发明提供的工艺流程更为简短。
一种纳米氧化粉末制备方法

[发明专利]一种氧化铟纳米晶及其生长方法-CN201610198143.7在审
发明人：沈燕;徐现刚;沈建兴 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种氧化铟纳米晶及其生长方法，将基板置入蒸发炉腔室中的基板架上，同时将氧化铟原料置入所述腔室中的坩埚中；加热氧化铟原料，使其溶解、并部分挥发分解为金属铟蒸汽，金属铟蒸汽挥发至所述基板处，冷凝形成金属液滴；继续加热所述氧化铟原料挥发出氧化铟蒸汽，使氧化铟蒸汽挥发至金属液滴处，金属液滴作为纳米晶生长的催化剂，不断溶解氧化铟，至过饱和状态，便会在所述金属液滴内析出氧化铟晶核，最终形成一维或准一维柱状氧化铟纳米晶本实施所提出的氧化铟纳米晶生长方法，以氧化铟原料中分解形成的铟液滴为催化剂生长纳米晶，容易获得大面积纯度高纳米晶；在生长过程中，只用到氧化铟一种原料，工艺过程简单且安全。
一种氧化纳米及其生长方法

[发明专利]一种三氧化二铟粉末及其靶材的制备方法-CN202111531892.4在审
发明人：余芳;钟小华;文崇斌;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三氧化二铟粉末及其靶材的制备方法，属于材料技术领域。本发明的三氧化二铟粉末的制备方法包括以下步骤：将固体铟加热熔融，滴入纯水中，得铟花片；将铟花片溶于硝酸溶液中，得到硝酸铟溶液；将氨水滴加到硝酸铟溶液中，调节PH为9～10，得氢氧化铟沉淀；将氢氧化铟沉淀洗涤、干燥、煅烧，得所述三氧化二铟粉末。本发明的三氧化二铟粉末及其靶材的制备方法是一种高效、环保、节能、低成本的氧化铟生产工艺，制备的三氧化二铟纯度大于99.99％，靶材密度大于95％。
一种氧化粉末及其制备方法

[发明专利]一种锌掺杂氧化铟粉体及其制备方法-CN202310073036.1在审
发明人：姚远;蒋一昌;侯远欣;杜宝珩;张启华;赵丽媛 -专利权人：洛阳晶联光电材料有限责任公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种锌掺杂氧化铟粉体及其制备方法，该粉体的制备方法为将金属铟在惰性气氛下加热熔融并雾化为蒸汽铟，并将其通入有机酸溶液中进行化学溶解，得到有机酸铟溶液；向有机酸铟溶液加入醇，经过离心、洗涤、干燥得到氢氧化铟沉淀；将纳米氧化锌分散为均匀的悬浊液；将氢氧化铟沉淀均匀分散于氧化锌悬浊液中，球磨3‑8h，即得到含有铟、锌元素的悬浊液，对该悬浊液进行喷雾干燥，即得到氧化锌包覆氢氧化铟复合粉体；将氧化锌包覆氢氧化铟复合粉体于800‑1000℃的温度下煅烧3‑8h，即得锌掺杂氧化铟粉体。本发明制备出具有核壳包覆结构的锌掺杂氧化铟粉体，该粉体氧化锌和氧化铟分布均匀且一致性良好，完全满足生产高致密度锌掺杂氧化铟(IZO)靶材的需要。
一种掺杂氧化铟粉体及其制备方法

[发明专利]氧化铟锡膜层稳定化处理方法及设备-CN202110112898.1在审
发明人：李望平;胡应河 -专利权人：黄石瑞视光电技术股份有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G06F3/045 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化铟锡膜层稳定化处理方法，包括如下步骤：将完成丝印的氧化铟锡膜放入水中浸泡；将浸泡后的所述氧化铟锡膜进行风干；将风干后的所述氧化铟锡膜贴合到氧化铟锡玻璃上，得到氧化铟锡膜层。本发明提供的氧化铟锡膜稳定化处理方法通过将氧化铟锡膜在装配到氧化铟锡玻，形成触摸显示屏的氧化铟锡膜层之前，就先充分吸收水分，使其内部结构稳定化后，再风干之后再装配形成氧化铟锡膜层，可充分避免氧化铟锡膜层在储存和运输过程中再吸收环境中的水分或气体
氧化铟锡膜层稳定处理方法设备

[发明专利]纳米氧化铟粉体共铟球团织构层-CN201510523560.X有效
发明人：林绍义 -专利权人：福建船政交通职业学院
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了纳米氧化铟粉体共铟球团织构层,所述的纳米氧化铟粉体共铟球团织构层是在零件设一表面材料层，表面材料层是由具有许多纳米氧化铟粉体共铟球团织构等组成，其中具有含呈近似小球状或短棒状、直径或长度尺寸在1～50nm的纳米氧化铟粉体、而许多个纳米氧化铟粉体聚集相互结合形成纳米氧化铟粉体团，纳米氧化铟粉体团上还设有1～100个直径在1～99nm、铟含量不少于90%的小球状的纳米铟球、纳米铟球与纳米氧化铟粉体团聚相互结合，形成纳米氧化铟粉体共铟球团织构，零件基体材料可为是相同成分或相同形状金相组织，零件基体材料也可为其它成份和其它形状金相组织，零件表面材料层和零件基体材料成为一体，形成纳米氧化铟粉体共铟球团织构层。
纳米氧化铟粉体共铟球团织构层

[发明专利]透明导电膜-CN201380069624.2在审
发明人：梨木智刚;拝师基希;野口知功;石桥邦昭 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-10-08 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：透明导体层(3)是从薄膜基体材料(2)的表面(2a)侧起依次层叠有铟锡氧化物层(5)、铟锡氧化物层(6)和铟锡氧化物层(7)而构成。透明导体层(4)是从薄膜基体材料(2)的表面(2b)侧起依次层叠有铟锡氧化物层(8)、铟锡氧化物层(9)和铟锡氧化物层(10)而构成。铟锡氧化物层(6)的氧化锡含量比铟锡氧化物层(5)的氧化锡含量和铟锡氧化物层(7)的氧化锡含量都高。铟锡氧化物层(9)的氧化锡含量比铟锡氧化物层(8)的氧化锡含量和铟锡氧化物层(10)的氧化锡含量都高。
透明导电

[发明专利]高纯度铟化合物的制造方法及其应用-CN00112458.7无效
发明人：牛澄波 -专利权人：袁福寅
申请日： 2000-08-16 - 公布日： 2002-03-06 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯度铟化合物的制造方法及其应用,铟锭用水淬法制成铟粒,经酸解和提纯制得氢氧化铟,氢氧化铟氧化锻烧得纯度为99.99%—99.999%氧化铟,由氢氧化铟、氧化铟和锌粉组成无汞碱锰电池的代汞剂,高纯度铟盐可应用于镀铟集流体铜钉生产中的,它们应用于电池工业,从而保证了其在环保型电池的优越的缓蚀、消气和代汞的性能。
纯度化合物制造方法及其应用

[发明专利]氧化铟锡废靶材中回收制备铟锡合金的方法、装置-CN202211673175.X在审
发明人：宋建勋;苏鲜伟;李少龙;吕泽鹏;杨斌;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C25C3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟锡废靶材中回收制备铟锡合金的方法，该方法包括：氧化铟锡废靶材制成氧化铟锡废靶颗粒，铺设在电解槽底部；熔盐电解质铺设在氧化铟锡废靶颗粒上方；氧化铟锡废靶材制作成棒状电极，设置在熔盐电解质中；以氧化铟锡棒状电极为阳极，氧化铟锡废靶颗粒作为阴极，与熔盐电解质形成电解体系；加热电解体系使熔盐电解质熔融，连接电解电源进行恒电位电解；电解过程中，氧化铟锡废靶颗粒被还原为液态铟锡合金，液态铟锡下沉到电解槽底部，进行收集；向电解槽中连续加入氧化铟锡废靶颗粒参与电解反应，电解过程连续进行，连续收集铟锡合金。
氧化铟锡废靶材中回收制备合金方法装置

[发明专利]一种铟锡氧化物（ITO）纳米粉体及其制造方法-CN201210376860.6在审
发明人：祝渊;汤子康;陈克新;王岩;徐明强 -专利权人：中山大学
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米铟锡氧化物粉体，该纳米铟锡氧化物粉体包括铟化合物和锡化合物；其中，氧化铟：氧化锡的质量比为9：1；该纳米铟锡氧化物粉体为不规则椭球状。该纳米铟锡氧化物粉体为不规则椭球状。本发明铟锡氧化物（ITO）纳米粉体制造方法所得到的铟锡氧化物（ITO）纳米粉体，粒径较为均匀，基本在60nm左右，分散性良好。
一种氧化物 ito 纳米及其制造方法

[发明专利]一种高分散性氧化铟及其制备方法-CN202011524758.7在审
发明人：王权;朱刘;邵学亮;曾嘉豪;李永鹏 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种高分散性氧化铟及其制备方法；该制备方法包括以下步骤：a)以金属铟为阳极、惰性电极为阴极、硝酸铵水溶液为电解液，通过电解法得到氢氧化铟浆料；b)在步骤a)得到的氢氧化铟浆料中加入硝酸铟溶液，使加入的铟离子与氢氧化铟的质量比在0.01％～1％，并调节pH值为4～8后，进行水热反应，产物经洗涤、干燥，得到高结晶性、高分散性的氢氧化铟粉末；c)将步骤b)得到的高结晶性、高分散性的氢氧化铟粉末进行煅烧，得到高分散性氧化铟。该制备方法采用电解‑水热法联合的方式，成功制备出了尺寸分布均一、高分散性且晶体结构完整的氢氧化铟和氧化铟，克服了一般电解法合成出的细小氢氧化铟粉体制备氧化铟在煅烧过程中易团聚的问题。
一种分散性氧化及其制备方法

[发明专利]铒掺杂氧化铟纳米气敏材料及其制备方法和用途-CN200910083602.7无效
发明人：郭广生;樊军;顾福博 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2009-05-06 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种铒掺杂氧化铟纳米气敏材料及其制备方法和用途。铒掺杂氧化铟纳米气敏材料是氧化铒掺杂的氧化铟纳米材料，可表示为Er₂O₃-In₂O₃，其中Er/In摩尔比为0.25～2.5∶100；其中氧化铟为由30～60nm的颗粒组成的直径为200～300nm的中空球；氧化铒附着在氧化铟颗粒表面。本发明以铟盐、甲酰胺、间苯二酚为原料，采用水热法合成氢氧化铟中空微球，再经干燥、煅烧，得到氧化铟载体；再向氧化铟中加入铒盐溶液，经研磨、干燥、煅烧，得到铒掺杂氧化铟纳米材料。
掺杂氧化纳米材料及其制备方法用途

[发明专利]一种氧化铟锡薄膜图案的制备方法-CN202110383560.X在审
发明人：彭俊彪;朱宇博;徐华;徐苗;李民 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟锡薄膜图案的制备方法。氧化铟锡薄膜图案的制备方法包括：提供基板；在基板的表面形成氧化铟锡薄膜；对氧化铟锡薄膜进行均匀化处理；对氧化铟锡薄膜进行图案化刻蚀。本发明达到了制备低电阻、高精细的氧化铟锡薄膜图案的效果。
一种氧化薄膜图案制备方法

[发明专利]多晶形铟锡氧化物薄膜以及多晶形铟锡氧化物电极的制造方法-CN200410074540.0有效
发明人：舒芳安 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2004-09-08 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种多晶形铟锡氧化物薄膜的制造方法，首先，于基材上形成非晶形铟锡氧化物薄膜，接着进行快速热退火处理，以将非晶铟锡氧化物薄膜转换为多晶形铟锡氧化物薄膜。另外，本发明还提出一种多晶形铟锡氧化物电极的制造方法，首先，于薄膜晶体管阵列基材上形成非晶铟锡氧化物薄膜。接着，在此非晶铟锡氧化物薄膜上制作布线图案，以于基材上形成多个非晶铟锡氧化物电极。之后，进行快速热退火处理，以将多个非晶铟锡氧化物电极转换为多晶形铟锡氧化物电极。上述的制造方法可形成较佳平坦度之多晶形铟锡氧化物薄膜，并可缩短处理时间并提高成品率。
多晶形铟锡氧化物薄膜以及电极制造方法

[发明专利]氧化铟锡膜及其制作方法-CN201110302041.2无效
发明人：杨能辉 -专利权人：光洋应用材料科技股份有限公司
申请日： 2011-10-09 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明关于一种氧化铟锡膜及其制法。该氧化铟锡膜包括：氧化铟锡主体层；以及设置于主体层上的氧化铟锡覆盖层；其覆盖层中O/(In+Sn)的原子比值小于主体层中O/(In+Sn)的原子比值，且覆盖层的厚度介于50至200埃之间。本发明还提供了一种氧化铟锡膜的制作方法，包括下列步骤：(A)、在氧气与氩气环境下沉积一氧化铟锡主体层；以及，(B)、在氩气与氢气环境下，于所述氧化铟锡主体层上沉积一氧化铟锡覆盖层，以制得上述氧化铟锡膜。本发明提供的氧化铟锡膜中的覆盖层可提供电性稳定作用，避免退火工艺对薄膜电性的影响，以形成具备绝佳透光率及导电性的氧化铟锡膜。
氧化铟锡膜及其制作方法

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