“拝师基希”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果20个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]带载体薄膜的透明导电性薄膜及使用其的触摸面板-CN201680091549.3有效
发明人：酒井和也;津野直树;拝师基希 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：提供通过控制带载体薄膜的透明导电性薄膜的保护薄膜的含水量，由此防止透明导电性薄膜的电阻值异常、并且提高透明导电膜与基材的密合性从而防止膜剥离的带载体薄膜的透明导电性薄膜及使用其的触摸面板。本发明中的带载体薄膜的透明导电性薄膜包含透明导电性薄膜(20)和载体薄膜(10)，所述透明导电性薄膜(20)包含透明树脂薄膜(3)和透明导电膜(4)，所述载体薄膜(10)包含配置于前述透明导电性薄膜(20)的形成有前述透明树脂薄膜(3)的面的一侧的粘合剂层(2)和保护薄膜(1)，前述透明导电膜(4)为铟锡复合氧化物，前述保护薄膜(1)的含水量是每10mm×10mm为1.0×10‑3g以下。
载体薄膜透明导电性使用触摸面板

[发明专利]电波吸收体和电波吸收体用层叠体-CN201980063217.8有效
发明人： 拝师基希;山形一斗;待永广宣 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：电波吸收体(1a)具备电阻层(20)、导电体(30)和电介质层(10)。电阻层(20)包含氧化铟锡作为主成分。导电体(30)反射电波。电介质层(10)在电阻层(20)的厚度方向上配置在电阻层(20)与导电体(30)之间。此外，电介质层(10)由高分子形成。电阻层(20)所含的氧化铟锡中的锡氧化物的含量超过0重量％且小于20重量％。电阻层(20)所含的氢原子的数量相对于电阻层(20)所含的铟原子、锡原子、氧原子和氢原子的总数为5％以上。
电波吸收体吸收体用层叠

[发明专利]触摸传感器-CN201780033500.7有效
发明人：矢野孝伸;拝师基希;别府浩史;木曽宪俊;梨木智刚 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-05-30 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种与以往相比实现了全光线透过率和雾度的改善、由构件减少带来的薄型化以及低成本化的触摸传感器。触摸传感器(10)具有压电传感器(11)和静电电容传感器(12)。压电传感器(11)具有由第1基材膜(14)和具有压电性的涂层(15)构成的第1层叠体即压电膜(16)、形成于压电膜(16)的一面的第1透明电极(17)以及形成于压电膜(16)的另一面的第2透明电极(18)。静电电容传感器(12)具有在第2基材膜(19)的一面形成了第3透明电极(20)而成的第2层叠体(21)、在第3基材膜(22)的一面形成了第4透明电极(23)而成的第3层叠体(24)以及将第2层叠体(21)和第3层叠体(24)粘接的透明填充层(25)。
触摸传感器

[发明专利]透明导电膜的制造方法-CN201910038774.6有效
发明人： 拝师基希;山本佑辅;梨木智刚;佐佐和明 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开一种光透射性优异且电阻率较小的透明导电膜的制造方法。本发明是具备膜基材、和形成于上述膜基材上的结晶化的氧化铟锡层的透明导电膜的制造方法。本发明具有：在使用氧化铟锡作为靶材的溅射装置内放入所述膜基材，通过所述靶材上的水平方向磁场为50mT以上的磁控溅射法，使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积在所述膜基材上的工序；以及，在所述将包含所述非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序之后，对所述包含非晶质部分的氧化铟锡进行加热处理，由此使包含所述非晶质部分的所述氧化铟锡结晶化，形成所述结晶化的氧化铟锡层的工序。
透明导电制造方法

[发明专利]透明导电性薄膜以及使用其的触摸传感器-CN201580065737.4有效
发明人： 拝师基希;津野直树 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种透明导电性薄膜以及使用其的触摸传感器，对于透明导电性薄膜而言，具有能够耐受辊对辊制法的抗粘连性，并且降低透明导电膜侧的白雾感(浊度)，具有良好的透明性。本发明的透明导电性薄膜是包含透明基材(1)、和在其单侧形成的透明导电膜(13)的透明导电性薄膜，所述透明导电膜(13)的表面的452μm×595μm的视场内的算术平均表面粗糙度Ra大于0nm且为10nm以下，所述透明基材(1)的未形成所述透明导电膜(13)一侧的表面的452μm×595μm的视场内的算术平均表面粗糙度Ra大于5nm且小于100nm。
透明导电性薄膜以及使用触摸传感器

[发明专利]透明导电性膜层叠体及使用其得到的触控面板、以及透明导电性膜的制造方法-CN201580065721.3有效
发明人：津野直树;拝师基希;细川和人 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种透明导电性膜层叠体，在透明导电性膜的基材中使用了环烯烃系树脂的情况下，在加热工序后也能够控制透明导电性膜层叠体的卷曲，确保其后的工序成品率，并提供使用该透明导电性膜层叠体得到的触控面板、以及透明导电性膜的制造方法。本发明是如下的透明导电性膜层叠体，其透明树脂膜4包含非晶性环烯烃系树脂，所述保护膜1由与形成透明树脂膜4的非晶性环烯烃系树脂不同的非晶性树脂形成，保护膜1的玻璃化转变温度为130℃以上，将透明导电性膜层叠体切割为20cm×20cm，使透明导电膜6为上表面并在130℃加热90分钟后的中央部的卷曲值A与4个角部的平均卷曲值B的差即A－B为0～50mm。
透明导电性膜层叠体环烯烃系树脂卷曲透明树脂膜触控面板保护膜非晶性玻璃化转变非晶性树脂透明导电膜加热工序成品率上表面中央部基材角部加热制造切割

[发明专利]带有透明电极的压电薄膜和压力传感器-CN201780033737.5在审
发明人： 拝师基希;矢野孝伸;别府浩史;木曽宪俊;梨木智刚 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-05-30 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L41/047 文献下载
摘要：本发明的带有透明电极的压电薄膜(1)具备：包含第1基材薄膜(11)与具有压电性的涂层(12)的层叠体的压电薄膜(13)；以及层叠于具有压电性的涂层(12)上的第1透明电极(14)。具有压电性的涂层(12)包含氟树脂。氟树脂是偏氟乙烯的聚合物或选自偏氟乙烯、三氟乙烯、三氟氯乙烯中的2种以上的共聚物。具有压电性的涂层(12)通过将氟树脂的溶液涂布于第1基材薄膜(11)并进行干燥而得到。通过本发明的压电薄膜实现雾度值小、总透光率高的带有透明电极的压电薄膜。
压电薄膜透明电极压电性氟树脂基材薄膜偏氟乙烯三氟氯乙烯压力传感器溶液涂布三氟乙烯总透光率聚合物层叠体共聚物雾度

[发明专利]压电传感器和使用了该压电传感器的显示器-CN201780033709.3在审
发明人：木曽宪俊;拝师基希;矢野孝伸;别府浩史;梨木智刚 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-05-30 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明提供与以往相比改善了透光性和雾度的压电传感器和使用了该压电传感器的显示器。本发明的压电传感器(10)、(11)配置于显示器(12)的显示面。压电传感器(10)、(11)具备：具有压电性的压电薄膜(15)；在压电薄膜(15)的一面及另一面形成的透明电极(16)、(17)；在透明电极(16)、(17)中一者的与压电薄膜(15)相反的一面形成的透明填充层(18)。压电薄膜(15)是在基材薄膜(13)层叠具有压电性的涂层(14)而成的薄膜状构件。作为压电薄膜(15)，可以使用具有压电性的单独薄膜。
压电传感器压电薄膜压电性显示器透明电极薄膜状构件透明填充层单独薄膜基材薄膜透光性显示面雾度配置

[发明专利]压电薄膜-CN201780033533.1在审
发明人：别府浩史;矢野孝伸;拝师基希;木曽宪俊;梨木智刚 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-05-30 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L41/193 文献下载
摘要：本发明的压电薄膜(10)具备基材薄膜(11)与具有压电性的涂层(12)的层叠体。具有压电性的涂层(12)包含氟树脂。氟树脂是偏氟乙烯的聚合物或选自偏氟乙烯、三氟乙烯、三氟氯乙烯中的2种以上的共聚物。具有压电性的涂层(12)通过将氟树脂的溶液涂布于基材薄膜(11)并进行干燥而得到。通过本发明的压电薄膜(10)实现雾度值小、总透光率高的压电薄膜。
压电薄膜氟树脂压电性基材薄膜偏氟乙烯三氟氯乙烯溶液涂布三氟乙烯总透光率聚合物层叠体共聚物雾度

[发明专利]透明导电性膜-CN201380004245.5有效
发明人：梶原大辅;梨木智刚;拝师基希 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种透射率高且电阻率小的透明导电性膜。本实施方式的透明导电性膜(1)具有膜基材(2)和形成于该膜基材上的铟锡氧化物多晶层(3)。该多晶层(3)的厚度为10nm～30nm，晶体粒径的平均值为180nm～270nm，并且载流子密度大于6×1020个/cm3且在9×1020个/cm3以下。
透明导电性

[发明专利]导电性层叠体、带图案布线的透明导电性层叠体、以及光学器件-CN201280029923.9有效
发明人：藤野望;拝师基希;多田光一郎;坂田义昌 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明的目的在于，抑制在透明导电层上形成有金属层的导电性层叠体中通过蚀刻而去除金属层时的透明导电层的电阻的升高。导电性层叠体在透明基材（1）的至少一面上依次形成有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体（2）和金属层（3）。在透明导电性薄膜层叠体（2）中，最接近金属层（3）的第一透明导电性薄膜（21）为金属氧化物层或含有主金属和1种以上的杂质金属的复合金属氧化物层，第一透明导电性薄膜以外的透明导电性薄膜（22）为含有主金属和1种以上的杂质金属的复合金属氧化物层。第一透明导电性薄膜（21）中的杂质金属的含有比例在构成前述透明导电性薄膜层叠体（2）的各透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例之中不为最大，由此可解决上述课题。
导电性层叠图案布线透明以及光学器件

[发明专利]透明导电膜-CN201380069624.2在审
发明人：梨木智刚;拝师基希;野口知功;石桥邦昭 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-10-08 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：提供一种结晶性优异、可实现较小的表面电阻值的透明导电膜。透明导电膜(1)具有形成在薄膜基体材料(2)的两个表面上的透明导体层(3、4)。透明导体层(3)是从薄膜基体材料(2)的表面(2a)侧起依次层叠有铟锡氧化物层(5)、铟锡氧化物层(6)和铟锡氧化物层(7)而构成。透明导体层(4)是从薄膜基体材料(2)的表面(2b)侧起依次层叠有铟锡氧化物层(8)、铟锡氧化物层(9)和铟锡氧化物层(10)而构成。铟锡氧化物层(6)的氧化锡含量比铟锡氧化物层(5)的氧化锡含量和铟锡氧化物层(7)的氧化锡含量都高。铟锡氧化物层(9)的氧化锡含量比铟锡氧化物层(8)的氧化锡含量和铟锡氧化物层(10)的氧化锡含量都高。
透明导电

[发明专利]透明导电膜的制造方法-CN201280068061.0在审
发明人： 拝师基希;山本佑辅;梨木智刚;佐佐和明 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开一种光透射性优异且电阻率较小的透明导电膜的制造方法。本发明是具备膜基材、和形成于上述膜基材上的结晶化的氧化铟锡层的透明导电膜的制造方法。本发明具有：在使用氧化铟锡作为靶材的溅射装置内放入所述膜基材，通过所述靶材上的水平方向磁场为50mT以上的磁控溅射法，使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积在所述膜基材上的工序；以及，在所述将包含所述非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序之后，对所述包含非晶质部分的氧化铟锡进行加热处理，由此使包含所述非晶质部分的所述氧化铟锡结晶化，形成所述结晶化的氧化铟锡层的工序。
透明导电制造方法

[发明专利]透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板-CN201310506879.2有效
发明人： 拝师基希;梨木智刚;野口知功;浅原嘉文 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2011-11-04 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：发明提供透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板。透明导电性膜具有可以缩短结晶化时间的透明导电性薄膜。透明导电性膜，其特征在于，其为在透明的膜基材的至少一面具有透明导电性薄膜层叠体的透明导电性膜，所述膜基材为厚度2～200μm的塑料膜，所述透明导电性薄膜层叠体中，从所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧开始具有第一透明导电性薄膜和第二透明导电性薄膜，第一透明导电性薄膜为氧化锡的比例超过0且为6重量%以下的铟锡复合氧化物的结晶质膜，第二透明导电性薄膜为氧化锡的比例3～25重量%的铟锡复合氧化物的结晶质膜，所述第二透明导电性薄膜的氧化锡的比例比所述第一透明导电性薄膜大，所述透明导电性薄膜层叠体整体的厚度为35nm以下。
透明导电性制造方法具备触摸面板

[发明专利]透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板-CN201310255891.0有效
发明人： 拝师基希;梨木智刚;野口知功;浅原嘉文 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2011-11-04 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板。所述透明导电性膜在透明的膜基材的至少一面具有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体。所述透明导电性薄膜均为氧化铟或含有4价金属元素的氧化物的铟系复合氧化物的结晶质膜，在所述层叠体的表面侧具有氧化铟或4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量%以下的铟系复合氧化物的第一透明导电性薄膜（21），从所述层叠体的表面侧开始继第一透明导电性薄膜之后具有所述4价金属元素的氧化物的比例比所述第一透明导电性薄膜（21）大的铟系复合氧化物的第二透明导电性薄膜（22），且所述层叠体整体的厚度为35nm以下。
透明导电性制造方法具备触摸面板

1
2
下一页»
尾页
共 20 条