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[发明专利]薄膜电晶体的制造方法-CN03104253.8有效
发明人：陈坤宏;叶光兆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-01-31 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明是提供一种薄膜电晶体的制造方法，此种方法包括下列步骤：在基板上形成基极及源极金属层，在基极及源极金属层上覆上一层氧化矽层，在氧化矽层上执行高温制程；在氧化矽层上覆上一层氮化矽层；结合氮化矽与氧化矽层以形成
薄膜电晶体制造方法

[发明专利]高频薄膜本体滤波器的制法及其装置-CN01131052.9有效
发明人：李传英 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-09-10 - 公布日： 2003-03-19 - 主分类号： H03H3/00 文献下载
摘要：为提供一种减低制程的复杂度、提高产能、降低成本的集成电路基本组件的制法及其装置，提出本发明，本发明高频薄膜本体滤波器的制法包括于矽基底的上表面形成矽氧化层、于矽氧化层上依序形成第一金属层、压电材料层、第二金属层；定义上电极板及压电层于第一金属层形成孔洞及于矽氧化层形成凹室；本发明高频薄膜本体滤波器装置包括矽基底、设于矽基底上方形成凹室的部分区域呈不连续的矽氧化层、设于部分区域呈不连续矽氧化层上方以呈略悬空状的下电极板
高频薄膜本体滤波器制法及其装置

[实用新型]一种新型EI矽钢片-CN201720609078.2有效
发明人：王惠祥 -专利权人：东莞市闽广电子有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01F7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型EI矽钢片，包括E型矽片体和I型矽片体，所述E型矽片体一侧设有I型矽片体，所述E型矽片体一侧设有咬合边，所述E型矽片体内部设有抗氧化镀膜层和矽钢层，且矽钢层位于两侧抗氧化镀膜层之间，所述抗氧化镀膜层一侧设有抗磨损镀膜层，所述E型矽片体和I型矽片体表面均设有固定孔。本实用新型通过采用EI型设计，矽片体整体成型，在咬合边表面进行打磨处理，将其表面粗糙化，有利于两片之间的接合，粗糙咬合边能够有效的防止打滑，通过设有的固定孔，能够使整体稳定固定，表面抗磨损镀膜层防止整体抗氧化镀膜层较快的被磨损
一种新型 ei 矽钢片

[发明专利]SOI金氧半场效电晶体-CN02106276.5有效
发明人：苏哿暐;何肇康;杨富量;詹宜陵 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-04-08 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明揭露一种SOI金氧半场效电晶体，其包含一半导体基板、一层埋层氧化矽层、一矽层，并包含复数个浅渠沟隔绝区域、一母体、一源极、一汲极、与一母体接触窗区域，其皆位于所述矽层中，其中所述母体接触窗区域位于所述源极的同一侧并且与所述通道区域分离本发明的电晶体更包含一层闸极氧化矽层、一复晶矽闸极与一分支复晶矽层，所述分支复晶矽层系与所述复晶矽闸极呈T形连接，其延伸经过所述源极并超过所述母体接触窗区域。本发明的电晶体更包含一闸极接触窗，所述闸极接触窗系位于所述复晶矽闸极的延伸线上并连接至所述复晶矽闸极。
soi 半场电晶体

[实用新型]一种稳压调压器的矽钢片-CN201720132213.9有效
发明人：吴晓东 -专利权人：东莞市雄顺五金制品有限公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01F7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种稳压调压器的矽钢片，包括矽片体和固定孔，所述矽片体表面设有固定孔，所述矽片体一侧设有咬合边，所述矽片体表面设有抗氧化镀膜层和矽钢层，且矽钢层位于抗氧化镀膜层之间，所述抗氧化镀膜层一侧设有抗磨损镀膜层本实用新型通过它采用F型设计，矽片体整体成型，在咬合边表面进行打磨处理，将其表面粗糙化，有利于两片直接的接合，固定孔的设计方便整体能够稳定固定，表面抗磨损镀膜层防止整体抗氧化镀膜层较快的被磨损，导致工件整体锈蚀
一种稳压调压器矽钢片

[发明专利]一种制作矽氧层的方法-CN02124711.0有效
发明人：黄正杰;刘泽炜;余堂 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-06-21 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明系提供一种于一半导体晶片上制作一矽氧层的方法，以增加该矽氧层之沉积速率与均匀度，并减少氯化氢(hydrochloricacid，HCl)之生成，以避免进行高温氧化(hightemperatureoxidation本发明制作方法是使用反应摩尔(mole)数比约为1∶2，流速比大于2∶1之二氯矽烷(dichlorosilane，DCS，SiH2Cl2)以及氧化亚氮(nitrousoxide，N2O)作为反应气体，进行一HTO制程，以于该半导体晶片表面形成该由二氧化矽(silicondioxide)构成之矽氧层。
一种制作矽氧层方法

[发明专利]一种作业场所中矽尘浓度检测方法-CN201810325679.X有效
发明人：陈金爱;林锦;严和盛 -专利权人：福建拓普检测技术有限公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G01N15/06 文献下载
摘要：本发明公开一种作业场所中矽尘浓度检测方法，通过采样装置对空气中的粉尘进行采样收集，并对收集后的粉尘进行称重测量，再接着进行相应的化学反应从而得到相应的二氧化硅的质量，进而判断出空气中的粉尘是否为矽尘，进而判断出矽尘在作业场所中的浓度与现有技术相比，本发明大大提高了检测矽尘浓度的精度的同时还通过检测矽尘中二氧化硅的含量，从而更有效的判断出当前矽尘的危害程度，从而更大程度上的保护工作人员的安全。
一种作业场所中矽尘浓度检测方法

[发明专利]一种用于将该双闸极与双多晶矽电容器制程整合-CN201110122854.3无效
发明人：费金华 -专利权人：吴江华诚复合材料科技有限公司
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种用于将该双闸极与双多晶矽电容器制程整合，以制造一类比电容器积体电路装置的方法系被说明。设置一个隔离区，以将半导体基板中的一第一主动区与一第二主动区隔离。一个第一闸极氧化物层被形成于二个主动区中的半导体基板上。一个第一多晶矽层被沈积于该第一闸极氧化物层与隔离层上。包含一个氧化物层与一个氮化物层的一电容器介电质层被沈积于该第一多晶矽层上。未为遮罩所覆盖的该电容器介电质层与第一多晶矽层被蚀刻移除，而形成一个第一多晶矽闸极电极于该第一区中，以及在隔离区上方形成一多晶矽下电容板与位于下电容板上的电容器介电质。在第二区中的该第一闸极氧化物被移除，以及一个较薄的第二闸极氧化物层被形成于该第二区中。一个第二多晶矽层被沈积于该第二闸极氧化物层、下电容板与电容器介电质以及该第一多晶矽闸电极上方。未为遮罩所覆盖的该第二多晶矽层被蚀刻移除，而形成一个第二多晶矽闸极电极于该第二区中，以及形成一个上电容板在该下电容板上方，其中该电容器介电质位于该上、下电容板之间。
一种用于双闸极多晶电容器整合

[发明专利]矽衍生化合物喷丝头的制备方法及喷丝头-CN201710672880.0有效
发明人：姚锦元 -专利权人：上海惠浦机电科技有限公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： D01D4/02 文献下载
摘要：本发明提供一种矽衍生化合物喷丝头的制备方法及喷丝头，根据预设图形，以矽材料制作喷丝头本体，喷丝头本体具有至少一个喷丝孔；在喷丝头本体整体或局部结构上从外到内衍生出矽的衍生化合物，衍生化合物用于在喷丝头本体整体或局部结构上衍生形成陶瓷、氧化矽功能层；对包括衍生化合物的的喷丝头本体进行宝石或金刚石层修饰，在喷丝头本体表面形成宝石层。本发明采用的以矽材料为整体基础原胚，制备矽衍生化合物喷丝头和宝石喷丝头，其完美整合了氧化矽、陶瓷、宝石表面修饰工艺，解决了现有喷丝头制造工艺中修饰层和基底层热失配现象，以及多层制造时的分层现象；并且使制备的喷丝头具有耐酸
喷丝头喷丝头本体衍生化合物制备局部结构氧化矽修饰宝石陶瓷耐酸耐高温特性宝石表面表面形成分层现象金刚石层预设图形整体基础制造工艺宝石层功能层基底层喷丝孔热失配修饰层多层耐碱耐磨原胚整合制造生产

[发明专利]一种复合壳体-CN201310570835.6在审
发明人：朱亮 -专利权人：朱亮
申请日： 2013-11-17 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C09K3/18 文献下载
摘要：该壳体包括一基体、以及依次形成于基体表面的一二氧化矽薄膜及一氧化锌薄膜，所述二氧化矽薄膜具有微米量级的结构，所述氧化锌薄膜具有奈米量级的结构，该氧化锌薄膜具有奈米量级的结构，属于卫浴清洁材料。
一种复合壳体

[发明专利]增强半导体感光元件及其制造方法-CN94119827.8在审
发明人：郑盛文;骆增进 -专利权人：敦南科技股份有限公司
申请日： 1994-12-06 - 公布日： 1996-06-12 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：一种增强半导体感光元件及其制造方法，其主要由矽基板10中的P-N杂质介面11、薄气化矽层20、第一层CVD氧化矽层30、第一层金属层40、第二层CVD氧化矽层50、第二层金属层60、护层70以及聚光层80
增强半导体感光元件及其制造方法

[发明专利]一种农用具有杀虫、杀螨、杀菌、抗水稻倒伏作用的制剂-CN202110911136.8在审
发明人：林猷宪;金玄吉;李裔綝;林定纬;林骏睿;林子彤 -专利权人：林猷宪;金玄吉
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： A01N63/20 文献下载
摘要：本发明能够使农作物完全吸收，通过利用黄原胶发酵微生物之粘展特性结合矽藻土的矽针，有效杀死昆虫，解决目前有机绿色无毒栽培而无法通过有机药剂去防治病虫害及抗水稻倒伏的问题，黄原胶结合矽藻土对病原菌能产生抑制及杀死病菌作用，且矽对水稻有增产抗倒伏的作用，而目前市面所使用的二氧化矽效果不佳，因二氧化矽无法溶于水供植物吸收。
一种农用具有杀虫杀螨杀菌水稻倒伏作用制剂

[发明专利]在绝缘体上硅材料基板上制作上接触插塞的方法-CN02106283.8无效
发明人：詹宜陵;杨富量;苏哿暐;蔡明桓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-04-08 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：首先在SOI基板上形成浅沟渠隔离结构，接着依序蚀刻此浅沟渠隔离结构与绝缘体，以形成上方接触开口，曝露出SOI基板矽底材的部分上表面。随后进行离子植入程序，以便在上方接触开口所曝露的部分矽底材中形成掺杂区域。形成氮氧化矽薄膜于上方接触开口表面上，并沉积层间介电层于氮氧化矽薄膜表面上，以填充于上方接触开口中。
绝缘体材料基板上制作接触方法

[发明专利]一种高绝缘性能的橡胶件的生产方法及其制备工艺-CN202011127629.4在审
发明人：祝新春 -专利权人：宁国市宁彩橡胶密封材料有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明提供一种高绝缘性能的橡胶件的生产方法，其特征在于：由以下材料成份组成，氧化锌15‑30份、硬脂酸2‑5份、橡胶助剂2‑4份、内脱模剂2‑5份、偶联剂2‑4份、钛白粉3‑5份、炭黑2‑4份，矽丽粉3本发明通过在原材料内加入了矽丽粉，利用矽丽粉的高绝缘性能来增加橡胶件的绝缘性。
一种绝缘性能橡胶件生产方法及其制备工艺

[发明专利]用于快闪记忆体的自对准制程-CN03146464.5有效
发明人：郑培仁;杨令武 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-07-15 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：为提供一种确保闸极侧壁平滑、增加闸极耐压、延长快闪记忆体使用寿命的记忆体制造方法，提出本发明，它包括在穿隧氧化层上形成含有金属矽化物层的闸极的形成闸极步骤、以闸极为遮罩形成源极及汲极步骤、蚀刻金属矽物侧壁步骤、氧化退火处理步骤及于闸极的旁边形成侧壁边衬步骤。
用于记忆体对准

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