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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]高效能驱动电路-CN201110271989.6有效
发明人：徐光宇 -专利权人：笙科电子股份有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：该高效能驱动电路包含第一P型金属氧化物半导体晶体管、第二P型金属氧化物半导体晶体管、第一N型金属氧化物半导体晶体管、第二N型金属氧化物半导体晶体管、电流源、第三N型金属氧化物半导体晶体管、第四N型金属氧化物半导体晶体管、第五N型金属氧化物半导体晶体管、第一电阻及第二电阻。该第一P型金属氧化物半导体晶体管根据第一控制信号以及该第一N型金属氧化物半导体晶体管根据第二控制信号，分别对该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端充电和放电。因此，本发明不仅可通过该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端的电位快速开启与关闭一第三P型金属氧化物半导体晶体管，且具有较高的效能。
高效能驱动电路

[发明专利]低电源电压高共模抑制比运算放大器-CN201210591649.6有效
发明人：陈超;吴建辉;赵超;李红;黄成;田茜 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电源电压下高共模抑制比运算放大器，该运算放大器包含主跨导级电路、从跨导级电路、第一级负载电路和第二级放大电路；其中，主跨导级电路包括第五P型金属氧化物晶体管、第六P型金属氧化物晶体管、第七P型金属氧化物晶体管、第四N型金属氧化物晶体管和第五N型金属氧化物晶体管；从跨导级电路包括第二P型金属氧化物晶体管、第三P型金属氧化物晶体管、第四P型金属氧化物晶体管、第二N型金属氧化物晶体管和第三N型金属氧化物晶体管；第二级放大电路包括第一P型金属氧化物晶体管、第一N型金属氧化物晶体管、第一电容和第一电阻。
电源电压高共模抑制运算放大器

[发明专利]用以输出随工艺变异的驱动电流的输出级电路-CN201110130211.3有效
发明人：夏濬;杨皓然;徐静莹 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：输出级电路包含第一P型金属氧化物半导体晶体管、第二P型金属氧化物半导体晶体管、N型金属氧化物半导体晶体管及电流源。该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端的电位为第一电压减去该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第一端与第二端之间的电压差，N型金属氧化物半导体晶体管耦接于第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端和电流源之间，第二P型金属氧化物半导体晶体管的第二端耦接于第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端。因此，当N型金属氧化物半导体晶体管的第二端接收升压信号时，流经第二P型金属氧化物半导体晶体管的驱动电流对应于第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端的电位。
用以输出工艺变异驱动电流电路

[发明专利]一次性可编程存储单元-CN201310404318.1有效
发明人：乔纳森·斯密特;罗伊·米尔顿·卡尔森;陆勇;欧文·海因斯 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：一种可编程存储单元，包括厚氧化物隔离件晶体管；可编程薄氧化物抗熔丝，被设置为邻近厚氧化物隔离件晶体管；以及第一和第二厚氧化物存取晶体管。厚氧化物隔离件晶体管以及第一和第二厚氧化物存取晶体管可以包括比可编程薄氧化物抗熔丝的氧化层厚的氧化层。可编程薄氧化物抗熔丝和厚氧化物隔离件晶体管可以被原生掺杂。第一和第二厚氧化物存取晶体管可以被掺杂从而具有标准阈值电压特性。
一次性可编程存储单元

[发明专利]显示面板-CN202110145604.5有效
发明人：李波;戴超 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种显示面板，该显示面板包括氧化物晶体管，氧化物晶体管的氧化物有源层和源漏极层之间，氧化物晶体管的沟道两侧分别设置有第一过孔和第二过孔，氧化物晶体管的源极和漏极分别通过第一过孔和第二过孔连接氧化物有源层本发明通过在氧化物晶体管的沟道两侧分别设置第一过孔和第二过孔，经由第一过孔和第二过孔对氧化物晶体管沟道两侧的区域进行导体化，解决了由于氧化物晶体管的沟道距离过孔的位置较远，导致氧化物晶体管的导体化程度低的技术问题
显示面板

[发明专利]输出级结构-CN200410092714.6有效
发明人：李朝政;林永豪;王文祺;蔡瑞原 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2004-11-11 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种输出级结构，其包含第一、第二p型金属氧化物半导体晶体管以及第一、第二n型金属氧化物半导体晶体管，其中，该些金属氧化物半导体晶体管是以双阱工艺制作。第一p型金属氧化物半导体晶体管的源极连接电压源，栅极连接第一电压；第二p型金属氧化物半导体晶体管的源极连接第一p型金属氧化物半导体晶体管的漏极，栅极连接第二电压，漏极连接输出垫；第一n型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接输出垫，栅极连接第三电压；第二n型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接第一n型金属氧化物半导体晶体管的源极，栅极连接第四电压，源极连接一接地点。
输出结构

[发明专利]参考电压电路-CN200710306361.9无效
发明人：谢其松;刘宇华 -专利权人：络达科技股份有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种参考电压电路，主要包括有一电流镜、一第一电阻、一第一金属氧化物半导体晶体管及一第二金属氧化物半导体晶体管，其中电流镜的输出端耦接该第一电阻，电流镜的节点则耦接该第一金属氧化物半导体晶体管，并使得第二金属氧化物半导体晶体管耦接该第一金属氧化物半导体晶体管，且该第二金属氧化物半导体晶体管的第一端点与栅极端相耦接，藉此将可以在第一金属氧化物半导体晶体管及第二金属氧化物半导体晶体管之间得到一个稳定的参考电压
参考电压电路

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置-CN201410384418.7在审
发明人：赵磊;郭炜 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置，属于薄膜晶体管制造工艺领域。其中，该金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，采用一次构图工艺形成薄膜晶体管的氧化物有源层和刻蚀阻挡层的图形。本发明的技术方案能够简化金属氧化物薄膜晶体管的制作工艺，降低金属氧化物薄膜晶体管的制造成本，同时提高金属氧化物薄膜晶体管的稳定性及良品率。
金属氧化物薄膜晶体管阵列制作方法显示装置

[发明专利]互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构-CN201010235500.5有效
发明人：高明辉;彭树根;肖军 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-07-23 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括：布置在底部绝缘体上的第一导电类型的第一金属氧化物半导体场效应晶体管和第二导电类型的第二金属氧化物半导体场效应晶体管；其中，第一金属氧化物半导体场效应晶体管与第二金属氧化物半导体场效应晶体管共用栅极区域，并且围绕所述栅极区域依次布置有第一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区域、第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区域、第一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区域、以及第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区域本发明所提供的互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构减小了器件结构，并改进了器件性能。
互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构

[发明专利]偏置电路及含它的跨导电容滤波器电路和半导体集成电路-CN201010105061.6无效
发明人：岸川祯介 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-01-22 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明涉及偏置电路，包括：形成第一电流源的第一正沟道金属氧化物半导体晶体管；构成第一正沟道金属氧化物半导体晶体管的电流镜电路且形成第二电流源的第二正沟道金属氧化物半导体晶体管；第一负沟道金属氧化物半导体晶体管，其具有从第一电流源向该第一负沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极供应电流的漏极；与第一负沟道金属氧化物半导体晶体管一起构成电流镜电路的第二负沟道金属氧化物半导体晶体管，其具有从第二电流源向该第二负沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极供应电流的漏极；以及连接在第二负沟道金属氧化物半导体晶体管的源极和接地之间的电阻器；其中用于gm调节的阻抗部件连接在第一负沟道金属氧化物半导体晶体管的源极和接地之间。
偏置电路导电滤波器半导体集成电路

[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管-CN200710193994.3有效
发明人：王升平;黄宗义;王文亮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-11-29 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管。该半导体晶体管包括形成于半导体衬底的金属氧化物半导体晶体管，其中，此半导体衬底为第一导电型，且具有第一导电型的栓塞区域；此栓塞区域形成于第二导电型的漏极延伸区域(就高压金属氧化物半导体晶体管而言)或形成于第二导电型的轻掺杂区域(就低压金属氧化物半导体晶体管而言)。本发明原则适用于形成在块状半导体衬底上的金属氧化物半导体晶体管及形成在硅置于绝缘物上构成的金属氧化物半导体晶体管。
金属氧化物半导体晶体管高压

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置-CN201610970462.5在审
发明人：朱夏明 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。其中，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管，所述方法包括：通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层。本发明的技术方案能够减少金属氧化物CMOS薄膜晶体管的构图次数。
薄膜晶体管及其制作方法阵列显示装置

[实用新型]可编程存储单元-CN201320555215.0有效
发明人：乔纳森·斯密特;罗伊·米尔顿·卡尔森;陆勇;欧文·海因斯 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：一种可编程存储单元，包括：基板，包括原生掺杂注入区；厚氧化物隔离件晶体管，设置在所述原生掺杂注入区内的所述基板上；可编程薄氧化物抗熔丝，设置在与所述厚氧化物隔离件晶体管的第一侧相邻的所述基板上并位于所述基板的所述原生掺杂注入区内；以及第一厚氧化物存取晶体管和第二厚氧化物存取晶体管，设置在所述基板上，所述第一厚氧化物存取晶体管设置在所述厚氧化物隔离件晶体管的第二侧与所述第二厚氧化物存取晶体管之间。隔离件晶体管的横向距离降低了可能改变断裂部位的位置的影响，从而增加可编程存储单元的IV特性的均匀性。此外，第二厚氧化物存取晶体管的增设提供增加电压保护的好处。
可编程存储单元

[发明专利]具有金属栅极的晶体管的制作方法-CN201010299253.5有效
发明人：王彦鹏;林俊贤;叶秋显;简金城;杨建伦 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有金属栅极的晶体管的制作方法。首先提供基底，该基底上定义有第一晶体管区与第二晶体管区，然后形成第一金属氧化物半导体晶体管于第一晶体管区以及第二金属氧化物半导体晶体管于第二晶体管区，其中第一金属氧化物半导体晶体管具有第一虚置栅极且第二金属氧化物半导体晶体管具有第二虚置栅极接着形成图案化的硬掩模于第二金属氧化物半导体晶体管上，且该硬掩模包含至少一种金属原子，然后利用该图案化的硬掩模去除第一金属氧化物半导体晶体管的第一虚置栅极。
具有金属栅极晶体管制作方法

[实用新型]光传感器装置以及显示装置-CN201920347688.9有效
发明人：津吹将志;纲岛贵德;盐川真里奈 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本实用新型提供一种能够进行稳定的动作的、使用氧化物半导体晶体管的光传感器装置。该光传感器装置具有受光晶体管和开关晶体管。所述受光晶体管是使用氧化物半导体层作为沟道层的具有3端子的氧化物半导体元件。所述开关晶体管是使用氧化物半导体层作为沟道层的具有4端子的氧化物半导体元件。
光传感器装置氧化物半导体层氧化物半导体开关晶体管沟道层晶体管受光氧化物半导体晶体管本实用新型显示装置

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