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[发明专利]具有氧化物去除区的金属板坯和组件-CN202110275487.4在审
发明人：詹姆斯·J.·伊万格丽斯塔;小迈克尔·特伦科;露丝·M.·西拉 -专利权人：格鲁帕冲裁有限责任公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： B23K20/12 文献下载
摘要：一种焊接坯组件(10)，包括通过摩擦搅拌焊缝(16)连接的铝基金属板坯(12、14)和在至少一个所述坯的表面(26、28、30)上的氧化物去除区(24)。所述氧化物去除区中的氧化物层(22)的平均厚度小于沿所述表面的其它地方。所述焊缝至少一部分位于所述氧化物去除区中，并且基本上没有氧化物残余物(18)。一种制造焊接坯组件的方法，包括去除铝基金属板坯上的氧化物层的至少一部分以形成所述氧化物去除区，然后在所述氧化物去除区用焊缝将所述坯连接在一起。通过在氧化物去除后的预定时间内进行焊接、控制氧化物去除和焊接之间的所述局部环境和/或使用氧化物抑制剂，可以最小化和/或抑制所述氧化物去除区中的氧化物生长。
具有氧化物去除金属板组件

[发明专利]金属氧化物的选择去除-CN02814531.3有效
发明人：克里斯托弗·C·霍布斯;菲利普·J·托宾 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 2002-06-11 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：使用气态HCl加热的组合而并没有rf，去除用作栅介质(22)的金属氧化物。有效地去除了不位于栅极(18)之下的优选为氧化铪的金属氧化物。使用HCl导致没有去除在金属氧化物之下的界面氧化物(25)。去除界面氧化物以消除金属并由另一种界面氧化物层(27)替代界面氧化物。由此只是通过界面氧化物(27)而不通过金属氧化物执行随后的注入步骤。由此，避免了与通过金属氧化物注入有关的问题。
金属氧化物选择去除

[发明专利]含氮氧化物的尾气的净化装置和尾气的净化方法-CN202011191172.3在审
发明人：田立达;马坚;许德坤;陆桂东;孙裕苹;万荣欢;汤云雷 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石化催化剂有限公司;中石化南京催化剂有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B01D53/56 文献下载
摘要：本发明涉及净化技术领域，公开了一种含氮氧化物的尾气的净化装置和尾气的净化方法，净化装置包括氮氧化物去除器，氮氧化物去除器的器壁上设置有供含有氮氧化物的尾气进入的尾气进口以及供氧化尾气中的氮氧化物的氧化剂进入的氧化剂进口，氮氧化物去除器内设置有能够容纳吸收氧化剂氧化氮氧化物得到的氧化产物的碱液的容纳腔室，并且氮氧化物去除器的器壁上设置有供去除氮氧化物后的尾气排出的尾气排出口。该氮氧化物去除器的尺寸较小，占用空间较小，节省了空间。尾气的净化方法包括：步骤S00：氧化所述尾气中的氮氧化物，得到氧化产物；步骤S20：使得碱液吸收所述步骤S00中所得到的氧化产物，以去除所述尾气中的氮氧化物。
氧化物尾气净化装置方法

[发明专利]浅沟槽隔离区的制作方法-CN200910201052.4有效
发明人：任红茹 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了浅沟槽隔离区的制作方法，在晶圆衬底上依次形成氧化物和氮化物，刻蚀氮化物、氧化物和衬底形成浅沟槽，在浅沟槽内和氮化物表面淀积氧化物；之后，该方法还包括：去除氮化物表面的氧化物；测量氮化物高度SH1；去除浅沟槽内指定高度的氧化物；去除氮化物；测量浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间的高度差SH2；根据SH2去除浅沟槽内和浅沟槽外的氧化物。本发明方案能够缩小制作完成浅沟槽隔离区之后得到的浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外硅表面之间的高度差的变化范围。
沟槽隔离制作方法

[发明专利]用于制造精细结构的方法-CN201710349130.X在审
发明人：陈敏璋;刘继文;郑柏贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;陈敏璋
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：在一种用于制造精细结构的方法中，在衬底上方通过使用原子层沉积形成金属氧化物层；以及去除金属氧化物层。在金属氧化物层和衬底之间形成界面氧化物层。界面氧化物层是构成衬底的元素的氧化物和去除界面氧化物层。
用于制造精细结构方法

[发明专利]消除浅沟槽隔离凹坑的方法-CN201410443664.5在审
发明人：宋振伟;徐友峰;陈晋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种消除浅沟槽隔离凹坑的方法，包括：对浅沟槽进行填充，并平坦化；对浅沟槽隔离氧化物层进行湿法刻蚀；去除衬垫氮化硅层和衬垫氧化层；在硅基衬底及浅沟槽隔离氧化物之表面沉积多晶硅层；对多晶硅层进行干法刻蚀，在浅沟槽隔离氧化物之两侧形成多晶硅侧墙；沉积掩模氧化物层；进行离子植入，定义有源区；湿法刻蚀去除掩模氧化物层；湿法刻蚀去除所述多晶硅侧墙。本发明通过在浅沟槽隔离氧化物之两侧与有源区的边界处设置多晶硅侧墙，使得在湿法刻蚀去除掩模氧化物层时，保护了所述浅沟槽隔离氧化物与所述有源区的边界处之浅沟槽隔离氧化物不被刻蚀，避免了凹坑的形成。
消除沟槽隔离方法

[发明专利]一种多元复合金属氧化物除砷沉降剂及其应用方法-CN200810226740.1有效
发明人：曲久辉;王洪杰;刘锐平;刘会娟;兰华春 -专利权人：中国科学院生态环境研究中心
申请日： 2008-11-24 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C02F1/58 文献下载
摘要：本发明属于沉降去除水中砷的材料领域，特别涉及以铁氧化物、锰氧化物、铝氧化物为基础的多元复合金属氧化物除砷沉降剂及应用方法。本发明采用异位制备方法或采用原位制备方法制备得到多元复合金属氧化物除砷沉降剂由水合铁氧化物、水合羟基氢氧化铁、水合铝氧化物、水合羟基氧化铝、水合锰氧化物等组成。本发明提供多元复合金属氧化物除砷沉降剂可用于去除湖泊、水库、河流、地下水、饮用水、工业废水等水体中砷污染物；此外，该沉降剂也可用于沉降去除水中的铜、铬、镉、铅等重金属和铁、锰、磷酸盐等污染物。
一种多元复合金属氧化物沉降及其应用方法

[发明专利]一种基于原位生成复合金属氧化物的吸附过滤除砷方法-CN200810226741.6有效
发明人：曲久辉;王洪杰;刘锐平;刘会娟;兰华春 -专利权人：中国科学院生态环境研究中心
申请日： 2008-11-24 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： B01J20/08 文献下载
摘要：本发明属于吸附去除水中砷的材料领域，特别涉及以铁氧化物、锰氧化物、铝氧化物为基础的原位生成复合金属氧化物除砷吸附剂及应用方法，尤其在饮用水除砷中的应用。本发明采用原位制备方法制备得到原位生成复合金属氧化物除砷吸附剂由水合铁氧化物、水合羟基氢氧化铁、水合铝氧化物、水合羟基氧化铝、水合锰氧化物等组成。本发明提供原位生成复合金属氧化物除砷吸附剂可用于去除饮用水、地下水、工业废水中的砷，也可以用于去除湖泊、水库、河流等水体中砷污染物；此外，该吸附剂也可用于吸附去除水中的铜、铬、镉、铅等重金属和铁、锰、磷酸盐等污染物
一种基于原位生成复合金属氧化物吸附过滤方法

[发明专利]一种镀锡铜线表面氧化物去除设备-CN202210657732.2在审
发明人：唐仕洪 -专利权人：江西辰镶金属制品有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23G3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化物去除设备，尤其涉及一种镀锡铜线表面氧化物去除设备。提供一种能够一次对大量铜线进行氧化物去除工作，效率高且去除效果好的镀锡铜线表面氧化物去除设备。本发明通过以下技术途径实现：一种镀锡铜线表面氧化物去除设备，包括有反应容器、支撑架、底座、连接块等，底座顶部左右两侧均前后对称安装有支撑架，支撑架下部之间连接有用于装反应溶液的反应容器，支撑架顶部之间连接有连接块通过过滤器还可一次放置大量的铜线进行氧化物去除工作，如此即可提高工作效率，避免在对大量的铜线进行处理时所需工作时间过长。
一种镀锡铜线表面氧化物去除设备

[发明专利]一种去除电解镍表面氧化物的方法-CN202210803657.6在审
发明人：姚力军;潘杰;黄东长;王学泽 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C23G1/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除电解镍表面氧化物的方法，所述去除电解镍表面氧化物的方法包括如下步骤：将待处理的电解镍依次经过酸洗、水洗以及干燥后得到去除表面氧化物的电解镍；所述酸洗中使用的酸洗剂包括硝酸和/或盐酸。本发明提供的去除电解镍表面氧化物的方法采用浓度较低的酸液就可以完全去除电解镍表面的氧化物，安全系数更高；没有使用浓硝酸和/或氢氟酸，相对来说对环境更加友好。
一种去除电解表面氧化物方法

[发明专利]用于去除氮氧化物的负载催化剂、制备其的方法、以及使用其去除氮氧化物的方法-CN201310595273.0有效
发明人：郑镇宇;南寅植;金纹圭;金平淳;赵炳权 -专利权人：现代自动车株式会社;浦项工科大学校产学协力团
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： B01J27/12 文献下载
摘要：公开了用于去除氮氧化物的负载催化剂、制备其的方法、以及使用其去除氮氧化物的方法。其中，用于氮氧化物的还原反应的负载催化剂，包括载体和固定在载体中的银（Ag）基化合物和氟化铝。制备用于氮氧化物的还原反应的负载催化剂的方法，包括：浸渍步骤，其中氟化铝、其水合物或盐，和银（Ag）基化合物或其水合物与载体反应，以及煅烧载体的步骤。在用于氮氧化物的还原反应的负载催化剂的存在下，通过与还原剂的反应去除尾气中的氮氧化物。其中，该负载催化剂在270℃至400℃的实际排气温度下具有优异的氮氧化物去除效率。
用于去除氧化物负载催化剂制备方法以及使用

[发明专利]用于半导体装置制造的衬底处理方法-CN201810626640.1有效
发明人：拉马·I·赫格德 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供一种去除氧化物层的方法。金属层沉积在形成于锗衬底的顶表面处的氧化物层上。金属氧化物层沉积在所述金属层上。所述金属氧化物层包括与所述金属层相同的金属材料。所述金属层和所述氧化物层反应并且与所述金属氧化物层组合以在退火处理期间形成介电层。在所述退火处理期间，所述氧化物层与所述金属层反应并且被去除。
用于半导体装置制造衬底处理方法

[发明专利]一种镀锡铜线表面氧化物去除设备-CN202310434814.5在审
发明人：李浩迪 -专利权人：江西中线博达科技有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23G3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种镀锡铜线表面氧化物去除设备，涉及氧化物去除设备领域。该镀锡铜线表面氧化物去除设备，包括抖落机构，设置于中间腔上侧，用于作用第三支撑轮和第四支撑轮之间铜线，将铜线表面酸洗液抖落，一级清理机构，设置于清水腔内上侧，用于对铜线表面氧化物进行一级去除，二级清理机构，二级清理机构通过驱动组件在支撑架之间旋转对铜线表面氧化物进行二级去除，循环清洗机构，用于使用清水腔内液体对位于二级清理机构之间铜线进行喷洗，且喷洗液通过二级清理机构流入清水腔内。本发明通过利用酸性化学试剂以及机械打磨结合对镀锌铜线表面氧化物进行去除，能够对铜线表面充分的清洁，提高铜线表面氧化物去除效果。
一种镀锡铜线表面氧化物去除设备

[发明专利]氧化物的原子层蚀刻的方法-CN201910388280.0在审
发明人：索南·谢尔帕;阿洛科·兰詹 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在一个示例性实施方案中，本文中描述了一种用于蚀刻氧化物的ALE处理。在一个实施方案中，氧化物是硅氧化物。ALE改性步骤包括基于四氟化碳(CF₄)的等离子体的使用。该改性步骤优先从硅氧化物的表面去除氧，从而提供富硅表面。ALE去除步骤包括基于氢(H₂)的等离子体的使用。该去除步骤去除在改性步骤中形成的富硅单层。利用CF₄和H₂步骤的硅氧化物蚀刻ALE处理可以用于广泛范围的基底处理步骤。例如，ALE处理可以用于但不限于自对准接触蚀刻步骤、硅鳍片露出步骤、氧化物芯模抽除步骤、氧化物间隔物修整以及氧化物衬料蚀刻。
蚀刻硅氧化物改性去除等离子体富硅氧化物间隔物蚀刻氧化物氧化物衬料自对准接触表面去除基底处理四氟化碳氧化物芯硅鳍片氧化物单层修整

[发明专利]氧化还原液流电池-CN202080032211.7在审
发明人：安东尼·库克尔那克;哈维尔·鲁比奥-加西亚 -专利权人： IP2IPO创新有限公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01M8/06 文献下载
摘要：所述液流电池包含金属氧化物的沉淀物，并且所述金属氧化物包含钒或锰。该方法还包括从前体物质以电化学方式生成氧化还原活性沉淀物去除物质，其中所述氧化还原活性沉淀物去除物质能够转化所述金属氧化物。该方法还包括将所述金属氧化物暴露于所述氧化还原活性沉淀物去除物质以实现金属氧化物的转化。
氧化原液流电

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