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[发明专利]触发窗口可调的施密特触发器及其调节触发窗口的方法-CN201711467866.3在审
发明人：林丽娟;费伟斌;肖艳;周柏毓 -专利权人：芯原微电子（上海）有限公司;芯原微电子（北京）有限公司;芯原微电子（成都）有限公司;芯原控股有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明提供一种触发窗口可调的施密特触发器及其调节触发窗口的方法，包括：依次串联于电源电压与地之间的第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管；连接第一NMOS管源端及第二PMOS管漏端的正向阈值电压调节模块；及连接第一PMOS管漏端及第二PMOS管漏端的反向阈值电压调节模块。当选通信号无效时，进入CMOS工作模式；当选通信号有效时，正向阈值电压调节模块基于第一组选通信号对正向阈值电压进行调节，反向阈值电压调节模块基于第二组选通信号对反向阈值电压进行调节，以此实现触发窗口的调节本发明通过多组晶体管分别调节正向阈值电压和负向阈值电压，从而实现触发窗口的调节，进而改善工作性能，并避免ESD潜在风险。
触发反向阈值电压正向阈值电压施密特触发器选通信号阈值电压可调的电源电压工作模式工作性能依次串联组晶体管对正负向漏端通信源端

[发明专利]高频谐振变换器中整流管的驱动电路-CN202210535913.8在审
发明人：肖斌 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：其中整流管具有漏端、源端和栅端，整流管的漏端和源端之间的电压为漏源检测电压。驱动电路包括导通控制电路，调节电路和关断控制电路。导通控制电路接收漏源检测电压和导通阈值电压并根据漏源检测电压和导通阈值电压控制整流管的导通，当漏源检测电压小于导通阈值电压时，整流管导通。调节电路接收漏源检测电压和正向阈值电压并根据漏源检测电压和正向阈值电压控制整流管的栅源电压，当漏源检测电压大于正向阈值电压时，整流管的栅源电压以阶梯形式减小。关断控制电路，接收漏源检测电压和关断阈值电压并根据漏源检测电压和关断阈值电压控制整流管的关断，当漏源检测电压大于关断阈值电压时，整流管关断。
高频谐振变换器整流管驱动电路

[发明专利]施密特触发器、芯片及电子设备-CN202211139836.0在审
发明人：张峰;张龙;赵以诚;马春宇 -专利权人：中国科学院自动化研究所
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明提供一种施密特触发器、芯片及电子设备，该施密特触发器包括：选通控制电路、电阻R1、电阻R2和电阻R3、电压比较电路和电压反相电路；电阻R1和电阻R2之间输出正向阈值电压，电阻R2和电阻R3之间输出负向阈值电压，选通控制电路向电压比较电路提供正向阈值电压或者负向阈值电压；电压比较电路基于输入信号和正向阈值电压(或负向阈值电压)，得到输出信号；电压反相电路基于输出信号得到矩阵脉冲信号。
施密特触发器芯片电子设备

[发明专利]一种整形电路-CN201810169010.6在审
发明人：李红;孙斌;陈向坚 -专利权人：武汉优泰电子技术有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H03K5/12 文献下载
摘要：本发明提供一种整形电路，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、阈值触发模块和恒流源模块；所述第一电阻和第二电阻对输入电压进行分压，用于决定本整形电路的正向阈值电压；所述阈值触发模块，用于根据分压后的电压和所述阈值触发模块的参考电压的大小关系，选择导通或截止，同时通过所述第三电阻的上拉作用，实现对输入信号的整形功能；所述恒流源模块提供输出到输入的电流负反馈，用于决定本整形电路的负向阈值电压。本发明可对正向阈值电压进行精确设置，其设置精度可达0.5％，从而减少相位测量误差，同时正向阈值电压的设置不受负向阈值电压的影响，从而可以获得大的回差电压，提高电路抗干扰能力。
电阻整形电路阈值触发阈值电压正向阈值电压恒流源模块分压负向相位测量误差电流负反馈抗干扰能力参考电压大小关系回差电压输入电压选择导通整形功能对正上拉电路截止输出

[实用新型]一种整形电路-CN201820281935.5有效
发明人：李红;孙斌;陈向坚 -专利权人：武汉优泰电子技术有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H03K5/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种整形电路，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、阈值触发模块和恒流源模块；所述第一电阻和第二电阻对输入电压进行分压，用于决定本整形电路的正向阈值电压；所述阈值触发模块，用于根据分压后的电压和所述阈值触发模块的参考电压的大小关系，选择导通或截止，同时通过所述第三电阻的上拉作用，实现对输入信号的整形功能；所述恒流源模块提供输出到输入的电流负反馈，用于决定本整形电路的负向阈值电压。本实用新型可对正向阈值电压进行精确设置，其设置精度可达0.5％，从而减少相位测量误差，同时正向阈值电压的设置不受负向阈值电压的影响，从而可以获得大的回差电压，提高电路抗干扰能力。
电阻整形电路阈值触发阈值电压正向阈值电压本实用新型恒流源模块分压负向相位测量误差电流负反馈抗干扰能力参考电压大小关系回差电压输入电压选择导通整形功能对正上拉电路截止输出

[发明专利]一种正负向阈值电压均可调节的施密特触发器-CN202110716046.3在审
发明人：吴佳;李礼;吴叶楠 -专利权人：上海威固信息技术股份有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明公开了一种正负向阈值电压均可调节的施密特触发器，包括PMOS晶体管组、NMOS晶体管组及反相器，第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管的输入端口均为输入信号IN、第三PMOS晶体管正向阈值电压调节信号ADP；第三NMOS晶体管的输入端口为负向阈值电压调节信号ADN，第二PMOS晶体管、第二NMOS晶体管的输出端口均为输出信号OUT。本发明通过调节正向阈值电压调节信号ADP的电压，就可以改变正向阈值电压；本发明通过调节负向阈值电压调节信号ADN的电压，就可以改变负向阈值电压。
一种正负阈值电压均可调节施密特触发器

[发明专利]一种正向阈值电压可调节的施密特触发器-CN202110710441.0在审
发明人：吴佳;李礼;吴叶楠 -专利权人：上海威固信息技术股份有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明公开了一种正向阈值电压可调节的施密特触发器，包括PMOS晶体管组、第一NMOS晶体管及反相器；第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管的输入端口为输入信号IN，第三PMOS晶体管的输入端口为正向阈值电压调节信号本发明通过调节正向阈值电压调节信号ADP的电压，就可以改变正向阈值电压。
一种正向阈值电压调节施密特触发器

[发明专利]使用不同的阈值电压分段增加正向偏置安全工作区域-CN202010143438.0在审
发明人： P.舍诺伊 -专利权人：英飞凌科技美洲公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了使用不同的阈值电压分段增加正向偏置安全工作区域。一种功率器件，包括栅极和与栅极相邻的分段的源极，其中分段的源极包括具有第一阈值电压的分段并且包括具有不同于第一阈值电压的第二阈值电压的分段。
使用不同阈值电压分段增加正向偏置安全工作区域

[发明专利]显示装置以及驱动方法-CN202011605739.7有效
发明人：刘胜科;王振岭 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本申请提供一种显示装置以及驱动方法，该方法包括所述驱动芯片在驱动周期的内部补偿时段对所述驱动晶体管的第一阈值电压漂移进行补偿，所述第一阈值电压漂移由所述驱动晶体管的栅偏压形成，在所述驱动周期的显示时段通过所述驱动晶体管驱动所述显示面板工作，在所述驱动周期的反向补偿时段对所述驱动晶体管的第二阈值电压漂移进行补偿，所述第二阈值电压漂移由所述驱动晶体管的正向电流形成。本申请通过对驱动晶体管的栅偏压形成的阈值电压漂移、以及正向电流形成的阈值电压漂移分别进行补偿，缓解了现有驱动晶体管的阈值电压漂移，提高了产品正常使用寿命。
显示装置以及驱动方法

[发明专利]非易失存储单元及其操控方法、非易失存储系统-CN202211310386.7在审
发明人：童浩;温晋宇;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失存储单元及其操控方法、非易失存储系统，存储单元包括依次层叠的第一金属电极层、阈值开关层、第二金属电极层，开关层包含具有阈值转变特性和局部晶态转变特性的硫系半导体化合物，阈值开关层在施加初始正向电操作导通后具有第一阈值电压，随之再施加负向电操作后切换至第二阈值电压，随之再施加正向电操作后又切换回第一阈值电压。通过施加不同极性的电操作实现不同数据的写入，将读电压设置在第一电压阈值和第二电压阈值之间，便能实现数据的读取，由此快速实现数据的存储。且基于局部晶态转变特性，第一阈值电压和第二阈值电压在多次循环操作过程中均可以保证明显的阈值电压窗口，具有高的读准确率和可多次循环的优势。
非易失存储单元及其操控方法存储系统

[发明专利]使用不同的阈值电压段增加正向偏置安全操作区域的方法-CN202010971888.9在审
发明人： P·谢诺伊 -专利权人：英飞凌科技美国公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开的实施例总体上涉及使用不同的阈值电压段增加正向偏置安全操作区域的方法。一种用于增加器件的正向偏置安全操作区域的方法包括：形成栅极；以及形成靠近栅极的分段的源极，其中分段的源极包括第一段和第二段，第一段与第一阈值电压相关联，第二段与第二阈值电压相关联，第二阈值电压不同于第一阈值电压
使用不同阈值电压增加正向偏置安全操作区域方法

[发明专利]接口电路及芯片-CN202111140188.6在审
发明人：刘坤;李石亮;柯毅 -专利权人：武汉市聚芯微电子有限责任公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本申请公开了一种接口电路及芯片，该接口电路包括第一电阻、第一电容、第一反相施密特触发器、第一反相单元以及电位控制模块，第一电容的一端电位从电源负信号的电位充电至第一正向阈值电压时的第一电压变化量为第一正向阈值电压与电源负信号的电位之差、所用时间为tDR，当放电至第一负向阈值电压时的第二电压变化量为恒压信号的电位与第一负向阈值电压的电位之差、所用时间为tDF，由于恒压信号的电位等于第一正向阈值电压与第一负向阈值电压之和，可以确定第二方波信号的上升沿与第一方波信号的上升沿之间的时间段即
接口电路芯片

[发明专利]超结器件-CN201610664915.1有效
发明人：曾大杰 -专利权人：上海鼎阳通半导体科技有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结器件，包括：相互隔开的栅极结构一和栅极结构二；栅极结构一包括栅介质层一和电极材料一，栅极结构二包括栅介质层二和电极材料二；电极材料一连接到栅极；电极材料二连接到源极；栅极结构一形成沟道一的阈值电压一大于栅极结构二形成沟道二的的阈值电压二；超结器件正向导通时，栅极所加的电压大于阈值电压一，沟道一导通，沟道二截止，寄生体二极管截止；超结器件反向导通时，栅极所加的电压小于阈值电压一，沟道一截止，寄生体二极管正向导通，阈值电压二要求小于寄生体二极管的正向导通压降
器件

[发明专利]一种NAND闪存中阈值电压分布的测量方法、装置、存储介质-CN202010789046.1有效
发明人：韩国军;黄三维;朱广平;方毅 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明公开的一种NAND闪存中阈值电压分布的测量方法、装置、存储介质和计算机设备，对数据处理流程进行了改进，使每个存储单元的模板状态、变化前、变化后的单元状态都能够获得，从而能够得到所有单元状态在相应编程状态下的阈值电压分布；另外，针对编程状态的阈值电压宽度非规则的情况和参考电压正向偏移扫过的阈值电压区间会发生重叠的情况，本发明将得到的第一阈值电压分布图中相邻单元状态之间的重叠区域进行移除，最终得到的第二阈值电压分布图能够更加清楚、详细地描述目标NAND闪存的阈值电压分布，还能够根据第一阈值电压分布图和第二阈值电压分布图分别对每个参考电压扫描过的对应状态的阈值电压宽度所需的最大偏移步长进行计算。
一种 nand 闪存阈值电压分布测量方法装置存储介质

[发明专利]一种比较时间动态调整的低功耗比较器电路-CN202011244609.5有效
发明人：庄浩宇;曹启富;唐鹤;彭析竹 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03M1/50 文献下载
摘要：一种比较时间动态调整的低功耗比较器电路，正向输入处理模块输入VIP并产生第一结点信号连接到第一和第二反相器输入端；负向输入处理模块输入VIN并产生第二结点信号连接到第三和第四反相器输入端，设置不同翻转阈值电压的反相器，使得VIP大于VIN时，第一结点比第二结点电压下降速度快，在第一结点电压小于第二反相器翻转阈值电压，第二结点电压大于第三反相器翻转阈值电压时，比较器正向输出端输出高电平；当VIP小于VIN时，第一结点比第二结点电压下降速度慢，在第一结点电压大于第一反相器翻转阈值电压，第二结点电压小于第四反相器翻转阈值电压时，比较器负向输出端输出高电平；获得比较结果后关断比较器电路，实现比较时间动态调整，降低功耗。
一种比较时间动态调整功耗电路

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