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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶体管基板、有机发光显示面板及有机发光显示装置-CN201711225647.4有效
发明人：崔弘洛;朴世熙;尹弼相;具亨埈;智光焕;朴在润 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：公开了一种晶体管基板、有机发光显示面板及有机发光显示装置，其中开关晶体管的第一电极用作驱动晶体管的栅极。晶体管基板包括：基板；设置在基板上的开关沟道；栅极绝缘层，设置在开关沟道上以与构成开关沟道的开关有源部交叠；开关栅极，设置在栅极绝缘层上以与开关有源部交叠；第一绝缘层，覆盖开关沟道、栅极绝缘层和开关栅极；设置在第一绝缘层上的驱动沟道；覆盖驱动沟道和第一绝缘层的第二绝缘层；第一电极，连接至构成开关沟道的第一导体部并且设置在第二绝缘层上；和第二电极，连接至构成开关沟道的第二导体部并且设置在第二绝缘层上，其中构成开关沟道的第一导体部设置成与构成驱动沟道的驱动有源部交叠
晶体管有机发光显示面板显示装置

[发明专利]基板结构及其制作方法-CN201510129843.6在审
发明人：林冠峄;林柏辛;舒芳安;徐振航;余宗玮 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种基板结构及其制作方法，包括一可挠性基板、一栅极线、一栅极、一无机绝缘层、一半导体层、一源极与一漏极、一无机保护层以及一有机绝缘层；栅极电性连接栅极线；无机绝缘层覆盖栅极并暴露出部分可挠性基板；半导体层配置于无机绝缘层上且与栅极对应设置；源极与漏极由无机绝缘层延伸配置于半导体层上且暴露出部分半导体层；无机保护层覆盖部分源极与部分漏极并直接接触源极与漏极所暴露出的半导体层；有机绝缘层覆盖源极、漏极、无机保护层以及无机绝缘层所暴露出的可挠性基板。
板结及其制作方法

[发明专利]显示面板以及使用显示面板的显示装置-CN202111310651.7在审
发明人：黄盛焕;姜秉旭;尹纹採 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：所述显示面板包括：第一金属层；覆盖所述第一金属层的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层上的半导体层；设置在所述第一绝缘层上并覆盖所述半导体层的第二绝缘层；以及设置在所述第二绝缘层上的第二金属层，其中所述第一金属层包括驱动元件的底部栅极，其中所述第二金属层包括所述驱动元件的顶部栅极，所述顶部栅极通过穿透所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的第一接触孔连接至所述底部栅极，其中所述半导体层包括所述驱动元件的半导体沟道，所述半导体沟道与所述顶部栅极和所述底部栅极交叠
显示面板以及使用显示装置

[发明专利]多晶硅薄膜晶体管及其制造方法-CN03109895.9有效
发明人：郑训周 -专利权人： LG.飞利浦LCD有限公司
申请日： 2003-04-15 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管器件，包括：基板；在基板上的缓冲层；在缓冲层上的有源层，有源层由多晶硅构成并包括第一未掺杂区、第二轻掺杂区和第三重掺杂区；在缓冲层上的栅绝缘层；在栅绝缘层上的包括对应于第一区的第一和第二栅极的双重栅极；在栅绝缘层上覆盖双重栅极的层间绝缘层；暴露第三区的源和漏接触孔；穿透层间绝缘层以暴露部分双重栅极的栅接触孔；在层间绝缘层上通过源和漏接触孔接触第三区的源极和漏极；和在绝缘层上通过栅接触孔接触双重栅极的暴露部分的第三栅极
多晶薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201710073456.4有效
发明人：林立凡;杨竣杰 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极、第一绝缘层、栅极金属层、贯穿结构、第一源极金属层、漏极金属层与第二源极金属层。源极电极、漏极电极与栅极电极置于主动层上。栅极电极置于源极电极与漏极电极之间。第一绝缘层置于源极电极、漏极电极与栅极电极上。栅极金属层置于栅极电极与第一绝缘层上。栅极金属层包含窄部与宽部。贯穿结构置于栅极金属层与栅极电极之间。第一源极金属层置于源极电极与第一绝缘层上。漏极金属层置于漏极电极与第一绝缘层上。第二源极金属层置于栅极金属层与漏极金属层之间。
半导体装置

[发明专利]显示面板及其制作方法、显示终端-CN202010395411.0在审
发明人：王旭;林旭林 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本揭示提供一种显示面板及其制作方法、显示终端，显示面板包括背光模组、第一基板、第二基板和液晶层，第一基板包括衬底基板、过渡层和栅极绝缘层，栅极绝缘层设置于第一衬底基板远离背光模组的一侧上，过渡层设置于衬底基板与栅极绝缘层之间，且所述过渡层的折射率小于所述栅极绝缘层的折射率，以此减小玻璃基板与栅极绝缘层在交界面处的光反射，提升显示面板的背光穿透率。
显示面板及其制作方法终端

[发明专利]柔性OLED显示面板及其制备方法-CN201810827048.8有效
发明人：李镇石 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性OLED显示面板及其制备方法，其包括在柔性基底上依次设置的缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅电极、第二栅极绝缘层、第二栅电极、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层以及源电极和漏电极，其中设置有贯穿所述第一层间绝缘层、第二栅极绝缘层、第一栅极绝缘层并延伸至所述缓冲层中竖直深孔，所述第二层间绝缘层的材料为有机绝缘材料并且其填充所述竖直深孔。
柔性 oled 显示面板及其制备方法

[发明专利]开关元件-CN201710887817.9有效
发明人：斋藤顺;浦上泰;青井佐智子 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：开关元件具备：半导体基板；沟槽，设于半导体基板的上表面；栅极绝缘层，覆盖沟槽的内表面；以及栅电极，配置于沟槽内，并且通过栅极绝缘层而与半导体基板绝缘。半导体基板具备：第一导电型的第一半导体区域，与栅极绝缘层接触；第二导电型的体区域，在第一半导体区域的下侧与栅极绝缘层接触；第一导电型的第二半导体区域，在体区域的下侧与栅极绝缘层接触；第二导电型的底部区域，在沟槽的底面与栅极绝缘层接触；以及第二导电型的连接区域，在沟槽的侧面与栅极绝缘层接触，并且将体区域与底部区域连接。
栅极绝缘层导电型半导体基板半导体区域底部区域连接区域体区域开关元件电场厚度比内表面上表面栅电极底面绝缘侧面覆盖配置

[发明专利]显示装置-CN202010934101.1在审
发明人：金斗娜;金根佑;姜泰旭;李度炅;李镕守;朱在焕;金洸炫;禹荣杰;郑镕彬 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开涉及显示装置，所述显示装置包括：第一半导体层，位于第一缓冲层上，并且包括第一有源层；第一栅极绝缘层，位于所述第一半导体层上并且覆盖所述第一有源层；第一导电层，位于所述第一栅极绝缘层上并且包括第一栅电极；第二导电层，位于所述第一导电层上并且包括第一源/漏电极；第一层间绝缘层，位于所述第一导电层上；第二半导体层，位于所述第一层间绝缘层上并且包括第二有源层；第二栅极绝缘层，位于所述第二半导体层上并且覆盖所述第二有源层；以及第三导电层，位于所述第二栅极绝缘层上并且包括第二栅电极和第二源/漏电极。所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层包括彼此不同的绝缘材料。
显示装置

[发明专利]用于形成非易失性存储器件中的隔离结构的方法-CN200710000858.8无效
发明人：赵廷一 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-01-12 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种用于形成非易失性存储器件中的隔离结构的方法，包括：形成栅极绝缘层、栅极导电层、和硬掩模；刻蚀硬掩模、栅极导电层、栅极绝缘层、以及衬底的一部分以形成沟槽；在所述沟槽的内表面上形成第一绝缘层并且填入所述沟槽的一部分；去除所述硬掩模；以及在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层并且填入所述沟槽。
用于形成非易失性存储器中的隔离结构方法

[发明专利]制造绝缘栅极半导体装置的方法及结构-CN201210141165.1有效
发明人： P·A·伯克;G·M·格里瓦纳;B·帕德玛纳伯翰;P·温卡特拉曼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及制造绝缘栅极半导体装置的方法及结构。在一个实施方案中，一种垂直型绝缘栅极场效应管包括形成于半导体材料内沟槽结构中的屏蔽电极。藉由使用栅极绝缘层，栅极电极与所述半导体材料隔离开。在形成所述屏蔽电极之前，可使用间隔层来沿着所述沟槽结构的部分形成屏蔽绝缘层。所述屏蔽绝缘层比所述栅极绝缘层厚。在另一个实施方案中，所述屏蔽绝缘层具有变化的厚度。
制造绝缘栅极半导体装置方法结构

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN202010083894.0在审
发明人：李旺宇;高武恂;禹珉宇 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：显示装置包括：基底基板；有源层，配置在所述基底基板上且包括第1有源图案；第1绝缘层，配置在所述有源层上；第1栅极导电层，配置在所述第1绝缘层上；第2绝缘层，配置在所述第1栅极导电层上；以及第3栅极导电层，包括配置在所述第2绝缘层上的第3a栅极图案。所述第3栅极导电层不与所述第1栅极导电层直接连接。
显示装置及其制造方法

[实用新型]一种显示面板-CN202122248475.0有效
发明人：温质康;乔小平;苏智昱 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种显示面板，包括玻璃基板、遮光层、缓冲层、有源层一、栅极绝缘层一、金属栅极层一、金属源漏极、钝化层、平坦层、第二金属层、电极层、有源层二、栅极绝缘层二和金属栅极层二；所述遮光层沉积设于玻璃基板上，所述缓冲层设于玻璃基板和遮光层上，所述有源层一和有源层二设于缓冲层上，所述栅极绝缘层一和栅极绝缘层二分别设于有源层一和有源层二上，所述金属栅极层一和金属栅极层二分别设于栅极绝缘层一和栅极绝缘层二上，所述钝化层设于缓冲层上，所述平坦层、金属源漏极、第二金属层设于钝化层上，所述电极层设于平坦层上，本实用新型属于显示器技术领域，具体是指一种显示面板，降低反射率，提升显示效果。
一种显示面板

[发明专利]薄膜晶体管、有机电致发光显示元件及其制造方法-CN200610003073.1有效
发明人：胡堂祥;王怡凯;颜精一;林宗贤;何家充 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2006-02-08 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制造方法，其包含下列步骤：首先，于基板上形成栅极；之后，于基板上形成栅绝缘层，以覆盖此栅极；接着，于栅绝缘层上形成源极/漏极层，此源极/漏极层暴露出栅极上方之部分的栅绝缘层；继之，于源极/漏极层上形成绝缘层，此绝缘层具有开口，以暴露出栅极上方之部分的栅绝缘层与部分的源极/漏极层；最后，于绝缘层之开口中形成通道层，使通道层与源极/漏极层电连接，且通道层由上述开口中暴露出来。
薄膜晶体管有机电致发光显示元件及其制造方法

[发明专利]晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板-CN201911077318.9在审
发明人：程鸿飞 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该晶体管的制备方法包括：先后在基底上形成有源层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层以及源极和漏极，在形成栅极之后且在形成层间绝缘层之前，在栅极的背离有源层的一侧对有源层进行离子注入，使有源层的未被栅绝缘层和栅极遮挡的区域形成重掺杂区，使有源层的被栅绝缘层遮挡但未被栅极遮挡的区域形成轻掺杂区，使有源层的既被栅绝缘层遮挡又被栅极遮挡的区域形成有源区。该晶体管制备方法通过在离子注入时，采用已经形成的栅极和栅绝缘层作为掩膜，能同时形成有源层的重掺杂区、轻掺杂区和有源区，大大简化了晶体管的制备工艺，提高了晶体管的制备效率。
晶体管及其制备方法阵列显示面板

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