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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种具有双层绝缘层的面板结构及制作方法-CN202010474754.6在审
  • 宋爽 - 福建华佳彩有限公司
  • 2020-05-29 - 2020-08-28 - H01L21/34
  • 本发明公布一种具有双层绝缘层的面板结构及制作方法，其中制作方法包括如下步骤：在基板上制作栅极；制作第一绝缘层；在栅极区域的第一绝缘层上制作孔，孔的底部为栅极；制作第二绝缘层，第二绝缘层覆盖第一绝缘层上的孔底部的栅极；在第二绝缘层上制作半导体层，半导体层位于第一绝缘层上的孔处；在半导体层上制作源极和漏极。上述技术方案通过减薄栅极区域的第一绝缘层的膜厚度，减薄后让第二绝缘层覆盖在栅极上，从而缩减栅极与源漏极之间的间距。缩减栅极与源漏极之间的间距后，可以提高开启电流Ion，从而达到减小面板功耗的目的，对面板的续航能力有一个较好的提升。
  • 一种具有双层绝缘面板结构制作方法
  • [实用新型]一种具有双层绝缘层的面板结构-CN202020949178.1有效
  • 宋爽 - 福建华佳彩有限公司
  • 2020-05-29 - 2020-12-04 - H01L21/34
  • 本实用新型公布一种具有双层绝缘层的面板结构法，包括：基板上的一侧设置有栅极；在栅极上设置有第一绝缘层，位于栅极区域的第一绝缘层上设置有孔，孔的底部为栅极；在第一绝缘层上设置有第二绝缘层；在第二绝缘层上设置有半导体层，半导体层位于第二绝缘层在第一绝缘层上的孔处；在半导体层上设置有源极和漏极。上述技术方案通过减薄栅极区域的第一绝缘层的膜厚度，减薄后让第二绝缘层覆盖在栅极上，从而缩减栅极与源漏极之间的间距。缩减栅极与源漏极之间的间距后，可以提高开启电流Ion，从而达到减小面板功耗的目的，对面板的续航能力有一个较好的提升。
  • 一种具有双层绝缘面板结构
  • [发明专利]薄膜晶体管及其制作方法-CN200410034710.2有效
  • 张世昌;蔡耀铭 - 统宝光电股份有限公司
  • 2004-04-26 - 2005-11-02 - H01L29/786
  • 第一有效层与第二有效层是分别形成于基底的第一薄膜晶体管区域与第二薄膜晶体管区域上。第一栅极绝缘层是形成于第一有效层与第二有效层上。第一栅极层是形成于第一薄膜晶体管区域的第一栅极绝缘层上。第二栅极绝缘层是直接形成于第二薄膜晶体管区域的第一栅极绝缘层上，以及第二栅极层是形成于第二薄膜晶体管区域的该第二栅极绝缘层上。其中，第一薄膜晶体管区域中第一栅极层下方的绝缘层厚度为第一栅极绝缘层的厚度，而第二薄膜晶体管区域中第二栅极层下方的绝缘层厚度为第一栅极绝缘层与第二栅极绝缘层的总和厚度。
  • 薄膜晶体管及其制作方法
  • [发明专利]一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置-CN201710662899.7有效
  • 李小龙;刘政;王本莲 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2017-08-04 - 2021-03-23 - H01L27/32
  • 本发明公开了一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置，该柔性显示面板，包括：柔性基底，以及位于柔性基底之上的有源层、栅极层，以及源漏金属层；其中，有源层与栅极层之间设有栅极绝缘层，栅极层与源漏金属层之间设有层间绝缘层；在显示区内，栅极绝缘层和/或层间绝缘层的图形在柔性基底上的正投影，位于有源层，栅极层以及源漏金属层的图形在柔性基底上的正投影的区域内。由于在显示区内，有源层，栅极层以及源漏金属层的图形在柔性基底上的正投影以外的区域，不设置栅极绝缘层和/或层间绝缘层的图形，相比于现有技术中栅极绝缘层和层间绝缘层整层设置，减小了柔性显示面板中无机膜层的应力
  • 一种柔性显示面板制作方法显示装置
  • [发明专利]阵列基板及显示装置-CN201711026720.5在审
  • 谢炎;林建宏 - 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2017-10-27 - 2018-04-13 - H01L27/12
  • 本发明提供一种阵列基板及显示装置，阵列基板包括一基底；设置在基底上的第一栅极绝缘层；设置在第一栅极绝缘层上的第一栅极金属层，第一栅极金属层包括扫描线；设置在第一栅极金属层上的第二栅极绝缘层，第二栅极绝缘层覆盖第一栅极绝缘层，第二栅极绝缘层具有第一通孔；设置在第二栅极绝缘层上的第二栅极金属层；设置在第二栅极金属层上的层间介质层，层间介质层覆盖第二栅极绝缘层，层间介质层具有第二通孔；设置在层间介质层上的包括源漏走线的源漏走线层本发明的阵列基板及显示装置通过将第一栅极金属层的扫描线与源漏走线层的源漏走线连接，提高了显示装置在扫描线方向上的弯折性能。
  • 阵列显示装置
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN200810087002.3有效
  • 林治平;陈世明;杨晓莹;刘文贤;胡博胜 - 世界先进积体电路股份有限公司
  • 2008-04-03 - 2009-10-07 - H01L21/82
  • 本发明提供一种半导体装置的制造方法，该方法包括提供一基板；于上述基板上分别形成一第一栅极绝缘层和一第二栅极绝缘层；全面性形成一栅极层；移除部分上述栅极层、上述第一栅极绝缘层和部分上述第二栅极绝缘层，以形成一第一栅极、一残留第一栅极绝缘层、一第二栅极和一残留第二栅极绝缘层，其中未被上述第一栅极覆盖的上述残留第一栅极绝缘层是具有一第一厚度，未被上述第二栅极覆盖的上述残留第二栅极绝缘层具有一第二厚度，两者比值介于1∶10至1∶20之间；分别于上述第一栅极和上述第二栅极的侧壁上形成一对第一间隙壁和一对第二间隙壁。
  • 半导体装置制造方法
  • [实用新型]一种薄膜晶体管-CN201521116388.8有效
  • 万阳 - 昆山国显光电有限公司
  • 2015-12-29 - 2016-09-07 - H01L29/786
  • 本实用新型公开了一种薄膜晶体管包括半导体层，设置基板上；栅极绝缘层，设置在所述基板上覆盖所述半导体层；第一栅极层，设置在所述栅极绝缘层上；电容绝缘层，设置在所述栅极绝缘层上覆盖所述第一栅极层；还包括第二栅极层，设置在所述电容绝缘层上且与所述第一栅极层电连接。本实用新型通过设置双栅结构能够有效克服膜层间短路/断路的问题。
  • 一种薄膜晶体管
  • [发明专利]薄膜晶体管-CN201210102931.3有效
  • 许民庆;吴钊鹏;黎昔耀;曹岩 - 深超光电(深圳)有限公司
  • 2012-04-10 - 2012-09-12 - H01L29/786
  • 本发明提供一种薄膜晶体管，薄膜晶体管包括基板、栅极、栅绝缘层、主动层、源极、漏极，栅极设置于基板上，栅绝缘层覆盖栅极及基板，主动层设置于该栅绝缘层上，并位于栅极上方，源极和漏极分别设置于主动层上，且源极与源极相对设置；其中，栅绝缘层包括设置于栅极及基板上的第一栅绝缘层、在第一栅绝缘层之上的第二栅绝缘层，且第一栅绝缘层的膜质比第二栅绝缘层的膜质致密，因而，即使在切割或者制造过程中产生了静电，本发明的栅极与源极、漏极之间也不容易发生静电击穿的现象
  • 薄膜晶体管
  • [发明专利]有机薄膜晶体管-CN201580009200.6在审
  • 新居辉树 - 富士胶片株式会社
  • 2015-02-26 - 2016-10-12 - H01L29/786
  • 一种有机薄膜晶体管，其为具有基板、设置在基板上的栅极电极、覆盖栅极电极而设置的第一栅极绝缘层、设置在第一栅极绝缘层上的第二栅极绝缘层、设置在第二栅极绝缘层上的有机半导体层、以及与有机半导体层接触地设置且藉由有机半导体层连结的源极电极和漏极电极的底栅型有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管中，对第一栅极绝缘层的第二栅极绝缘层侧表面实施取向处理，第二栅极绝缘层为使沿取向处理进行了取向的聚合性液晶性化合物在取向状态下聚合固定化而形成的层。
  • 有机薄膜晶体管
  • [发明专利]光电晶体管及其制作方法-CN201910817838.2在审
  • 柯秋坛 - 广东聚华印刷显示技术有限公司
  • 2019-08-30 - 2020-11-03 - H01L31/0224
  • 本发明涉及一种光电晶体管，包括基板、栅极层、栅极绝缘层以及有源层；栅极层设置在基板上，栅极绝缘层设置在栅极层远离基板的一侧，栅极绝缘层含有绝缘材料和光致变色材料，有源层设置在栅极绝缘层远离栅极层的一侧。光电晶体管及其制作方法，在栅极绝缘层中添加光致变色材料，光致变色反应可引起分子极化性质发生改变，偶极矩增加，使其介电性质发生改变，栅极绝缘层发生可逆的颜色及电容值变化，从而实现能够通过光照调控的变色光电晶体管，同时减少分子结构变化的偶极矩变化与有机层中载流子的相互作用，提高载流子的传输效率。
  • 光电晶体管及其制作方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910141726.6无效
  • 森隆弘 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2009-05-25 - 2009-11-25 - H01L29/78
  • 所述半导体器件包括第一区、源极区、第二区、漏极区、栅极绝缘层、场绝缘层和栅极电极。第一区形成在半导体衬底的表面区域中。源极区形成在第一区的表面区域中。第二区形成在半导体衬底的表面区域中。栅极绝缘层形成于在源极区和第二区之间的半导体衬底的正表面上。场绝缘层形成于在漏极区和栅极绝缘层之间的半导体衬底的表面区域中。栅极电极覆盖所述栅极绝缘层的部分和所述场绝缘层的部分。场绝缘层在其与栅极电极重叠的部分中具有如此的阶梯，使得场绝缘层的在阶梯和栅极绝缘层之间的部分比场绝缘层的其它部分更薄。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201380024388.2有效
  • 宫本敏行;野村昌史;羽持贵士;冈崎健一 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2013-04-24 - 2017-08-22 - H01L29/786
  • 提供一种半导体装置，该半导体装置包括栅电极层、栅电极层上的第一栅极绝缘层、位于第一栅极绝缘层上且具有比第一栅极绝缘层小的厚度的第二栅极绝缘层、第二栅极绝缘层上的氧化物半导体层、以及与氧化物半导体层电连接的源电极层及漏电极层第一栅极绝缘层含有氮且其对应于在电子自旋共振波谱法中在g因子为2.003时出现的信号的自旋密度为1×1017spins/cm3或更低。第二栅极绝缘层含有氮且具有比第一栅极绝缘层低的氢浓度。
  • 半导体装置
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