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[发明专利]三维存储器及其操作方法-CN201710645400.1在审
发明人：陈江宏;蔡耀庭;洪文;廖祐楷 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L27/11548 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器及其操作方法，包括：衬底、多条源极线、多个隔离结构、多条漏极线、多个位线、多个电荷存储结构以及多个导体层。源极线位于衬底上。隔离结构分别位于源极线之间，以电性隔离源极线。漏极线位于源极线上。漏极线与源极线的延伸方向不同。位线自源极线延伸至漏极线。电荷存储结构分别围绕位线。导体层分别覆盖沿各源极线排列的电荷存储结构的表面。
源极线漏极线电荷存储结构三维存储器隔离结构导体层衬底极线位线电性隔离个位延伸条源自源覆盖

[发明专利]用于制造具有存储器单元的集成电路的方法-CN201710543004.8有效
发明人： L·罗;康愉劲;汪大祥;F·张;岑栢湛;李平辉;Z·张;陈元文;谢素云;P·K·梁 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种示范方法包括：图案化源极线光阻掩模以覆于衬底的源极线区上，同时暴露出漏极线区。该源极线区在第一及第二存储器单元之间，以及该漏极线区在该第二及第三存储器单元之间。源极线形成于该源极线区中。在形成覆于漏极线区上的漏极线电介质时，同时形成覆于该源极线上的源极线电介质。图案化漏极线光阻掩模以覆在活性区段中的该源极线上，同时暴露出在搭接区段中的该源极线，以及同时暴露出该漏极线区。移除在该漏极线区上面的该漏极线电介质，同时减少该源极线电介质在该搭接区段中的厚度。
用于制造具有存储器单元集成电路方法

[发明专利]显示装置-CN200710167069.3无效
发明人：李旼哲;罗东均 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-10-31 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示装置，该显示装置包括显示面板、第一源极驱动器芯片和连接部分。显示面板包括多条源极线，源极线中的每条电连接到多个像素。第一源极驱动器芯片电连接到包括源极线中的第一源极线的第一组，以将具有第一极性的数据信号输出到第一源极线。连接部分将源极线中的第一源极线电连接到源极线中的最后源极线，以将具有第一极性的数据信号提供到最后源极线，而不需要用于驱动第(mk+1)源极线的另外的源极驱动器芯片。
显示装置

[发明专利]具有修复结构的光传感器-CN201410474270.6有效
发明人：吴瑞钦;孙国升 -专利权人：凌巨科技股份有限公司
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一具有修复结构的光传感器，其包含一闸极线、一绝缘层、一汲极线、一源极线、一修复线及一光电组件。闸极线堆栈于一基板之上，绝缘层堆栈于闸极线及基板之上，汲极线堆栈于绝缘层之上，源极线堆栈于绝缘层之上，修复线平行汲极线，修复线堆栈于汲极线之上，修复线的堆栈位置对应汲极线的堆栈位置，修复线电性连接汲极线，及光电组件堆栈于源极线之上。
具有修复结构传感器

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及显示装置-CN201811473600.4有效
发明人：冯校亮 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：其中，所述薄膜晶体管阵列基板包括：多条栅极信号线；多条源极信号线；多条栅极走线，所述栅极走线包括位于第一平面内的第一栅极走线、位于第二平面内的第二栅极走线、连接所述第一栅极走线和第二栅极走线的第一栅极走线通孔、以及连接所述栅极信号线和所述第一栅极走线的第二栅极走线通孔；多条源极走线，所述源极走线包括位于第一平面内的第一源极走线、位于第二平面内的第二源极走线、连接所述第一源极走线和第二源极走线的第一源极走线通孔、以及连接所述源极信号线和所述第一源极走线的第二源极走线通孔。
薄膜晶体管阵列显示装置

[发明专利]锂电池制片机-CN202110917859.9在审
发明人：江军发;吴飞明 -专利权人：东莞市新泽源智能科技有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01M4/139 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂电池制片机，包括机架及装配于机架的极片放卷机构、极片收卷机构、极片输送线、极片贴胶线、极耳处理线极耳焊接机构和余料切除回收机构。极耳处理线与极耳焊接机构相对应，极耳处理线将极耳节往极耳焊接机构处输送，极耳焊接机构将极耳节和极片焊接在一起，极片贴胶线对焊接有极耳节的极片进行贴胶，极片输送线所输送的极片依次地穿过极耳焊接机构和极片贴胶线，余料切除回收机构沿极片的输送方向位于极片收卷机构和极片贴胶线之间，余料切除回收机构将焊接于极片上的极耳节之余料切除并回收该余料，极片收卷机构对切除余料后的极耳节和极片一起收卷；以解决极耳节被切除的余料杂乱排放的问题
锂电池制片

[实用新型]锂电池制片机-CN202121868361.X有效
发明人：江军发;吴飞明 -专利权人：东莞市新泽源智能科技有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01M4/139 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锂电池制片机，包括机架及装配于机架的极片放卷机构、极片收卷机构、极片输送线、极片贴胶线、极耳处理线极耳焊接机构和余料切除回收机构。极耳处理线与极耳焊接机构相对应，极耳处理线将极耳节往极耳焊接机构处输送，极耳焊接机构将极耳节和极片焊接在一起，极片贴胶线对焊接有极耳节的极片进行贴胶，极片输送线所输送的极片依次地穿过极耳焊接机构和极片贴胶线，余料切除回收机构沿极片的输送方向位于极片收卷机构和极片贴胶线之间，余料切除回收机构将焊接于极片上的极耳节之余料切除并回收该余料，极片收卷机构对切除余料后的极耳节和极片一起收卷；以解决极耳节被切除的余料杂乱排放的问题
锂电池制片

[发明专利]液晶显示面板及其修复方法-CN201610885263.4在审
发明人：蓝东鑫 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶显示面板及其修复方法，当其中一像素单元内的一条源极走线存在断线发生时，设定存在断线的源极走线定义为第一源极走线，该列像素的另一条源极走线定义为第二源极走线，该第一源极走线的断线下方与第二源极走线之间具有一条公共电极线，本发明修复方法为首先，将该公共电极线在第一源极走线的断线下方与第二源极走线之间处进行截断；然后，将此截断的公共电极线与该列像素两边的第一源极走线和第二源极走线以熔融短路。本发明将断线后的无信号的源极走线与相邻的源极走线藉由储存电容的公共电极线连接起来，液晶显示面板修复后断线消失改善液晶显示面板断线的不良率，本发明只要同一条源极走在线断开的位置只有一个均可以修复。
液晶显示面板及其修复方法

[发明专利]触控显示面板-CN201810589002.7有效
发明人：林容甫;张君维;黄书豪;苏松宇;黄杰铨;刘韵宜 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：像素阵列包括多个像素、多个栅极线及多个源极线。这些像素耦接这些栅极线及这些源极线。触控模块与像素阵列重叠配置。多工器电路耦接所有的这些源极线与源极驱动器之间，并且具有多个多工器。这些多工器分别耦接n条源极线，并且分别包括多个开关及旁路走线。这些开关分别耦接于n条源极线中的第1至第n‑1条源极线与源极驱动器之间。旁路走线耦接于n条源极线中的第n条源极线与源极驱动器之间。
显示面板

[发明专利]一种EEPROM存储阵列结构及其制造方法-CN201310060636.0有效
发明人：胡剑;杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种EEPROM存储阵列结构，包括多个存储单元，存储单元包括N阱、漏极、源极、漏极浮栅、漏极控制栅、源极浮栅、源极控制栅和选择栅，N阱底部接阱端；按列方向交替排列的漏极选择线和源极选择线，每个漏极选择线和源极选择线分别将列方向的每个存储单元的漏极和源极连接，漏极选择线和源极选择线分别接漏信号和源信号；按行方向排列的字线选通信号线，每个字线选通信号线将行方向的每个存储单元的选择栅连接，字线选通信号线接字线选通信号；按行方向排列的控制栅线，每个控制栅线将行方向的每个存储单元的漏极控制栅和源极控制栅连接，控制栅线接控制栅信号，以实现在较低的各信号下不断反复编程和擦除动作而不损失阵列结构。
一种 eeprom 存储阵列结构及其制造方法

[实用新型]一种MOS场效应管的封装框架-CN201721878396.5有效
发明人：宁波;刘义芳 -专利权人：西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MOS场效应管的封装框架，其包括D极焊接载体、S极打线基岛、G极打线基岛、G极引脚、S极引脚；所述D极焊接载体的下方一侧设置G极打线基岛，另一侧设置S极打线基岛，所述D极焊接载体上设置有晶圆，所述晶圆通过至少两组铝带引线与S极打线基岛连接以及通过引线与G极打线基岛连接；所述G极引脚的一端设置在G极打线基岛上，所述S极打线基岛上依次引出六组S极引脚。本实用新型将原有分开的两个打线基岛连接一起，后续铝带打线时，可实现根据需求选择合适宽度的铝带或者铝线，不再受分到两个打线基岛的限制。
打线基岛引脚铝带焊接本实用新型封装框架晶圆铝线需求选择一端设置两组

[实用新型]锂电池制片机-CN202221237596.3有效
发明人：江军发;吴飞明 -专利权人：东莞市新泽源智能科技有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01M4/139 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锂电池制片机，包括机架及装配于机架的极片放卷机构、极片收卷机构、极片输送线、极片贴胶线、极耳处理线、极耳焊接机构和余料切除回收机构。极耳处理线与极耳焊接机构相对应，极耳处理线将极耳节往极耳焊接机构处输送，极耳焊接机构将极耳节和极片焊接在一起，极片贴胶线对焊接有极耳节的极片进行贴胶，极片输送线所输送的极片依次地穿过极耳焊接机构和极片贴胶线，余料切除回收机构沿极片的输送方向位于极耳焊接机构和极片收卷机构之间，余料切除回收机构将焊接于极片上的极耳节之余料切除并回收该余料，极片收卷机构对切除余料后的极耳节和极片一起收卷；以解决极耳节被切除的余料杂乱排放的问题
锂电池制片

[发明专利]半导体器件，测试半导体器件的方法和形成半导体器件的方法-CN201710623101.8有效
发明人： M.科托罗贾;E.格里布尔;J.G.拉文;A.菲利波 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种半导体器件包括连接到晶体管结构的多个源极掺杂区部分的第一源极配线子结构。该半导体器件还包括连接到多个源极场电极的第二源极配线子结构，多个源极场电极位于延伸到半导体器件的半导体衬底中的多个源极场沟槽中。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分位于层堆叠的配线层中，层堆叠的配线层位于半导体衬底上。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分各自具有足够触点用于至少临时测试测量的横向尺寸。包括触点配线部分的配线层被定位成比第一源极配线子结构和第二源极配线子结构之间的任何欧姆电连接更接近半导体衬底。
半导体器件测试方法形成

[发明专利]一种薄膜晶体管、栅极行驱动电路及阵列基板-CN202310540545.0在审
发明人：王利忠;宁策;胡合合;周天民;宋吉鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开提供一种薄膜晶体管、栅极行驱动电路及阵列基板，该薄膜晶体管包括：源极，包括源极走线和多个源极分支；漏极，包括漏极走线和多个漏极分支；栅极；半导体层；多个源极分支、多个漏极分支与半导体层接触，分为多个单元；源极走线和漏极走线平行且间隔设置；多个单元设置在源极走线与相邻的漏极走线之间的区域，单元的源极分支与同一根源极走线电连接，单元的漏极分支与同一根漏极走线电连接；栅极在衬底基板上的正投影与时钟脉冲信号走线在衬底基板上的正投影不重叠，栅极上连接有栅极走线。本公开提供的薄膜晶体管、栅极行驱动电路及阵列基板，解决薄膜晶体管源、漏极分支高聚集布置导致热量聚集的问题。
一种薄膜晶体管栅极驱动电路阵列

[实用新型]一种新型可反向导通氮化镓功率器件-CN202220251472.4有效
发明人：傅玥;孔令涛 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型可反向导通氮化镓功率器件，包括框架，框架的一端设有若干个门极以及开尔文源极，框架的另一端设有漏极；散热板，散热板设于框架上；氮化镓芯片，氮化镓芯片设于散热板上，其中包括源极打线盘、漏极打线盘以及若干个门极打线盘，源极打线盘与开尔文源极相连，漏极打线盘与漏极相连，门极打线盘与门极相连；二极管，二极管设于散热板上，二极管设有阴极打线盘，阴极打线盘与漏极相连。
一种新型向导氮化功率器件

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