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- [发明专利]显示模组和显示装置-CN202310795377.X在审
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石德平;袁海江
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惠科股份有限公司
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2023-06-30
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2023-09-22
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G02F1/13357
- 本申请公开了一种显示模组和显示装置；显示模组还包括滤光结构层，滤光结构层设置在显示面板靠近反射片的一侧，滤光结构层包括第一介质层、第二介质层和金属层，第一介质层靠近显示面板设置，第二介质层靠近反射片设置，金属层位于第一介质层和第二介质层之间；第一介质层包括第一材料层和第二材料层，第一材料层靠近金属层设置，第二材料层设置在第一材料层远离金属层的一侧，第一材料层的折射率小于第二材料层的折射率；第二介质层包括第三材料层和第四材料层，第三材料层靠近所述金属层设置，第四材料层设置在第三材料层远离金属层的一侧，第三材料层的折射率大于第四材料层的折射率。
- 显示模组显示装置
- [发明专利]相变化记忆体的制造方法与相变化记忆体-CN202010477856.3有效
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林仲汉;朱煜;罗国峰
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北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司
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2020-05-29
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2023-05-30
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H10N70/20
- 一种相变化记忆体的制造方法与相变化记忆体，方法包括：形成堆叠结构，其包括：导电层；下电极层，位于导电层上方；上电极层，位于下电极层上方；相变化材料，位于下电极层与上电极层之间；以及选择器材料，位于导电层与下电极层之间；根据第一遮罩蚀刻上电极层，以形成上电极线；根据上电极线蚀刻相变化材料，以形成相变化材料层于上电极线的下方，并暴露出下电极层的一部分，其中相变化材料层具有暴露的侧表面；在蚀刻相变化材料之后，对相变化材料层的侧表面进行氮化处理，以形成氮化的相变化材料层覆盖相变化材料层的侧表面；以及根据相变化材料层及氮化的相变化材料层蚀刻下电极层、选择器材料及导电层，以形成下电极线、选择器材料层及其下方的导线。此方法透过在相变化材料层的暴露表面上形成可保护相变化材料层的氮化的相变化材料层，以避免相变化材料层在后续蚀刻制程中严重受损。
- 相变记忆体制造方法
- [实用新型]磁疗变色地板-CN200620138807.2无效
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陈建
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陈建
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2006-09-21
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2007-10-24
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E04F15/02
- 本实用新型涉及一种地板，尤其是一种将感光材料层、感温材料层或感湿材料置于地板之中的磁疗变色地板。它自上至下包括有耐磨层、装饰层、基材层和平衡层，或最上层与次层，所述的装饰层和基材层之间设有混合磁粉层，所述的耐磨层和装饰层之间设有感光材料层、感温材料层、感湿材料层，或其中之一，所述的最上层与次层之间设有混合磁粉层，所述的最上层的表面设有感光材料层、感温材料层、感湿材料层，或其中之一。将感光材料层、感温材料层或感湿材料置于地板之中的磁疗变色地板，使其可以随温度、湿度、光线的变化而变化，使地板不会开裂。
- 磁疗变色地板
- [发明专利]平面相变存储器的制备方法-CN201010283557.2无效
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张加勇;王晓峰;马慧莉;程凯芳;王晓东;杨富华
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中国科学院半导体研究所
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2010-09-15
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2011-04-06
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H01L45/00
- 一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层，相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成基底；在相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，在基底材料层的侧面将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料，从而形成由侧墙和相变材料层构成的叠层侧墙；在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；去除侧墙以及侧墙表面上的金属层，从而形成中间夹有相变材料层的nano-gap电极；最后淀积一层绝缘材料，再在nano-gap电极两边的金属层上开孔并引出电极，完成平面相变存储器的制作。
- 平面相变存储器制备方法
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