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[发明专利]在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法-CN201110440640.0无效
发明人：刘雯;王晓东;程凯芳;马慧丽;王晓峰;徐锐;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法，该方法包括：在GaAs衬底正反面各淀积一层SiO2进行保护；在GaAs衬底的正面再蒸镀一层金属铝膜；将蒸镀有金属铝膜的GaAs衬底在阳极氧化浴槽中进行阳极氧化；将氧化后的GaAs衬底在磷酸溶液中腐蚀扩孔；采用Ar离子轰击完全去除阻挡层，得到完全通孔的阳极氧化铝模板；将表面制备有阳极氧化铝模板的GaAs衬底进行电子束蒸发金属填孔；以及去除表面的阳极氧化铝膜，在GaAs衬底表面得到均匀的金属纳米颗粒。利用本发明，避免了采用已制备好的阳极氧化铝模板转移到半导体材料衬底过程中模板易碎、模板与衬底之间接触不好、以及引入污染等问题。
gaas 衬底制备金属纳米颗粒方法

[发明专利]一种平面相变存储器的制备方法-CN201010531375.2无效
发明人：张加勇;王晓峰;马慧莉;程凯芳;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备相变材料侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积相变材料层；去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面的相变材料层，形成高和宽均为纳米尺寸的相变材料侧墙；去除剩余的基底材料层，只保留纳米尺寸的相变材料侧墙；在该相变材料侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；再用薄膜淀积工艺制备一层绝缘材料层；再用化学机械抛光的方法抛光表面直至磨到将相变材料侧墙顶部的金属割断，形成中间夹有相变材料侧墙的nano-gap电极；淀积一层绝缘材料，在nano-gap电极两边的金属上开孔并引出电极即可形成平面相变存储器。
一种平面相变存储器制备方法

[发明专利]平面相变存储器的制备方法-CN201010520209.2无效
发明人：张加勇;王晓峰;马慧莉;程凯芳;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层、相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，形成侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料；在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；在金属层上制备一层绝缘材料层；抛光表面直至磨到电热绝缘层上的金属表面，从而割断金属层形成中间夹有相变材料层的nano-gap电极；最后在nano-gap电极上淀积一层绝缘材料层，再在nano-gap电极两边的金属上开孔并引出电极，即形成平面相变存储器。
平面相变存储器制备方法

[发明专利]平面相变存储器的制备方法-CN201010283557.2无效
发明人：张加勇;王晓峰;马慧莉;程凯芳;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层，相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成基底；在相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，在基底材料层的侧面将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料，从而形成由侧墙和相变材料层构成的叠层侧墙；在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；去除侧墙以及侧墙表面上的金属层，从而形成中间夹有相变材料层的nano-gap电极；最后淀积一层绝缘材料，再在nano-gap电极两边的金属层上开孔并引出电极，完成平面相变存储器的制作。
平面相变存储器制备方法

[发明专利]相变存储器的制作方法-CN201010263081.6无效
发明人：马慧莉;王晓峰;张加勇;程凯芳;王晓东;季安;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储器的制作方法，该方法包括：步骤1：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层；步骤2：在第一绝缘材料层上淀积一层金属层，作为相变存储器的下电极；步骤3：在金属层上制备一层第二绝缘材料层；步骤4：在第二绝缘材料层上采用微纳加工技术制备金属插塞电极的小孔；步骤5：采用无电化学镀的方法在小孔内填充金属作为插塞电极；步骤6：在第二绝缘材料层上淀积一层相变材料；步骤7：在相变材料上淀积一层金属材料，作为相变存储器的上电极；步骤8：在金属材料上淀积一层第三绝缘材料层；步骤9：在第三绝缘材料层上钝化开孔；步骤10：在第三绝缘材料层上和钝化开孔内，再淀积一层金属电极层，完成相变存储器的制作。
相变存储器制作方法

[发明专利]垂直相变存储器及制备方法-CN201010256816.2无效
发明人：张加勇;王晓峰;马慧莉;程凯芳;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-08-18 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种垂直相变存储器，包括：一衬底；一底部电极，该底部电极制作在衬底上；一下电热绝缘材料层，该下电热绝缘材料层制作在底部电极上；一低热导率材料包裹层，该低热导率材料包裹层制作在下电热绝缘材料层上；一上电热绝缘材料层，该上电热绝缘材料层制作在低热导率材料包裹层上；其中所述的下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层的中间有一小孔；一相变材料插塞柱，该相变材料插塞柱位于下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层中间的小孔内；一顶部电极，该顶部电极制作在上电热绝缘材料层上，并覆盖相变材料插塞柱。
垂直相变存储器制备方法

[发明专利]一种高密度相变存储器的制备方法-CN201010139053.3无效
发明人： 程凯芳;王晓峰;王晓东;张加勇;马慧莉;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种高密度相变存储器的制备方法，包括：在衬底上淀积一层金属层；在金属层上面淀积多周期的上电极层，该多周期的上电极层的每一周期包括：一层电热绝缘材料和在其表面淀积的金属材料，每生长一层金属材料后在其表面光刻一个凹槽；在多周期的上电极层上用薄膜淀积工艺淀积电热绝缘材料层，然后将表面平坦化；采用光刻方法和干法刻蚀的工艺在电热绝缘材料层的上面制备插塞小孔，该插塞小孔的宽度大于每一层金属材料上的凹槽的宽度；在插塞小孔的孔壁上的表面淀积一层相变材料，得到管状结构；采用化学气相淀积工艺，在相变材料上再淀积一层金属材料层，该金属材料层填满插塞小孔内；最后用化学机械抛光方法，去除插塞小孔表面上多余的金属材料层和相变材料，抛光表面。
一种高密度相变存储器制备方法

[发明专利]垂直相变存储器的制备方法-CN201010113827.5无效
发明人：张加勇;王晓峰;马慧莉;程凯芳;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-02-24 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种垂直相变存储器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长第一金属层作为底部电极；步骤2：在第一金属层上淀积第一绝缘材料层；步骤3：采用微纳加工技术将该第一绝缘材料层制作成纳米尺寸的绝缘柱体；步骤4：在第一金属层上和绝缘柱体的表面淀积第二金属层作为加热电极；步骤5：在第二金属层上淀积第二绝缘材料层；步骤6：用化学机械抛光的方法抛光表面，同时切断绝缘柱体顶部的第二金属层的连接，形成环形的加热电极；步骤7：最后淀积相变材料和顶部电极，引出电极即可形成垂直相变存储器。
垂直相变存储器制备方法

[发明专利]一种平面相变存储器的制备方法-CN201010115649.X无效
发明人：张加勇;王晓峰;马慧莉;程凯芳;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-03-01 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种平面相变存储器的制备方法，包括如下步骤：在衬底上生长一层绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成侧墙的基底；在其表面及侧面淀积侧墙材料层；采用干法回刻形成侧墙；用湿法腐蚀去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的金属层；在其表面制备一层绝缘材料层，将侧墙和金属层包裹在其中；抛光上表面的同时切断侧墙两旁的金属层的连接；化学机械抛光的截止面位于平面处的金属层的表面，即使得平面处的金属层全部露出；再在露出的纳米间距的金属电极上横跨上一条相变材料；最后在表面淀积一层绝缘材料，再在纳米间距的金属电极两边的金属层上开孔，并引出电极即可形成平面相变存储器。
一种平面相变存储器制备方法

[发明专利]纳流体测试器件的制备方法-CN201010034281.4无效
发明人：张加勇;王晓峰;王晓东;杨富华;马慧莉;程凯芳 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：一种纳流体测试器件的制备方法，包括：在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面和电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，形成侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的抗腐蚀的金属层；在电热绝缘材料层及金属层上制备一层制作纳流体通道的抗腐蚀绝缘材料层；抛光表面，去除金属层上面的抗腐蚀绝缘材料层；再用湿法腐蚀方法去除剩余的侧墙材料层形成纳流体通道；最后淀积一层绝缘材料将纳流体通道封顶，再在通道两端开孔并在通道两侧的金属上引出电极即可形成纳流体测试器件。
流体测试器件制备方法

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