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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]主动元件电路基板-CN201410727677.5有效
发明人：徐振航;余宗玮;许毓麟;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种主动元件电路基板，其包括基板、多个主动元件以及第一平坦层。主动元件设置在基板上。各主动元件包括栅极、通道层、源极以及漏极。通道层与栅极堆叠设置。源极以及漏极设置在通道层上且位于通道层的相对两侧，以定义出通道层的通道区。第一平坦层设置在基板上，其中主动元件包括至少一第一主动元件以及至少一第二主动元件。第一主动元件设置在第一平坦层与基板之间，且第一平坦层设置在第一主动元件与第二主动元件之间。第一主动元件的通道区与第二主动元件的通道区在平行基板的方向上的最小直线距离大于或等于5μm。
主动元件路基

[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法-CN201410279855.2有效
发明人：蓝纬洲;辛哲宏;蔡学宏;吴纪良;杨智翔 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光二极管显示器及其制造方法，该有机发光二极管显示器包含基板、光吸收层、主动阵列结构以及有机发光二极管。基板具有相对的第一表面及第二表面。光吸收层配置在第一表面上，且光吸收层具有至少一个露出第一表面一部分的开口。主动阵列结构位于第二表面上，且包含至少一条资料线、至少一条栅极线以及至少一个电性连接栅极线和资料线的开关元件。在垂直基板的方向上，光吸收层与资料线或栅极线的其中至少一条重叠。有机发光二极管电性连接开关元件，且在垂直基板的方向上，有机发光二极管与开口重叠。
有机发光二极管显示器及其制造方法

[发明专利]纵向晶体管及其制造方法-CN201310565481.6有效
发明人：叶佳俊;陈蔚宗;徐振航;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵向晶体管及其制造方法。制造方法包括：在基板上形成第一图案化导电层；在第一图案化导电层上形成图案化金属氧化物层，图案化金属氧化物层包括第一图案化绝缘层、第二图案化绝缘层以及第二图案化导电层；形成半导体层；形成第三图案化导电层。第一图案化绝缘层、第二图案化绝缘层以及第二图案化导电层以同一金属氧化物材料形成，且第二图案化导电层的氧浓度与第一图案化绝缘层以及第二图案化绝缘层的氧浓度不同。
纵向晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体结构-CN201410110738.3有效
发明人：陈蔚宗;蔡娟娟;辛哲宏;蔡学宏;杨智翔 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体结构，包括顶栅极、氧化物半导体通道层、第一介电层、第二介电层以及源极与漏极。氧化物半导体通道层配置于顶栅极与基板之间。第一介电层配置于顶栅极与氧化物半导体通道层之间。第二介电层配置于第一介电层与氧化物半导体通道层之间。源极与漏极配置于氧化物半导体通道层的相对两侧，且位于第一介电层与基板之间。氧化物半导体通道层的一部分暴露于源极与漏极之间。部分第一介电层及部分第二介电层直接接触且完全覆盖氧化物半导体通道层的部分。
半导体结构

[发明专利]薄膜晶体管-CN201310487270.5有效
发明人：王旨玄;叶佳俊;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管，包含栅极、源极、漏极、栅绝缘层以及氧化物半导体层。氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物，其化学式为InxGayZnzOw，其中x、y及z满足数学式1.5≤(y/x)≤2以及1.5≤(y/z)≤2。栅绝缘层位于栅极与氧化物半导体层之间。源极和漏极分别连接氧化物半导体层的不同两侧。
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管结构-CN201310348279.8有效
发明人：徐振航;余宗玮;陈蔚宗;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是有关于一种薄膜晶体管结构，包括基板、栅极、氧化物半导体层、栅绝缘层、源极、漏极、硅质吸光层以及绝缘层。栅绝缘层配置于氧化物半导体层与栅极之间。氧化物半导体层与栅极在厚度方向上堆叠。源极与漏极都配置于基板上并接触氧化物半导体层。氧化物半导体层的一部分没有被源极与漏极接触而定义出通道区，且通道区位于源极与漏极之间。氧化物半导体层位于基板与硅质吸光层之间。硅质吸光层的能隙小于2.5eV。绝缘层配置于氧化物半导体层与硅质吸光层之间，且绝缘层与硅质吸光层彼此接触。借由本发明，能够提高薄膜晶体管的元件特性。
薄膜晶体管结构

[发明专利]光感测器及其光电管的驱动方法-CN201210377386.9有效
发明人：陈蔚宗;辛哲宏;蔡娟娟;唐文忠;杨智翔 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：本发明是有关一种光感测器，其包括一光电管。光电管的栅极用以接收一栅极驱动信号。光电管根据栅极驱动信号来感测一光源，以产生一光电流信号。光电管包括一金属氧化物主动层。栅极驱动信号在一捕捉期间具有一第一电压准位，在一读取期间具有一第二电压准位，并且第一电压准位高于第二电压准位。光电管的栅极驱动信号在操作上引入一个可以让超量载子快速消灭的机制，因此光电管反应快速并同时保有良好的光灵敏度。另外，一种上述光电管的驱动方法亦被提出。
光感测器及其光电管驱动方法

[发明专利]薄膜晶体管与其制造方法及具有其的阵列基板和显示装置-CN201310298401.5有效
发明人：陈蔚宗;辛哲宏;蔡娟娟;杨智翔;叶佳俊;唐文忠 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管与其制造方法及具有其的阵列基板和显示装置。在薄膜晶体管金属氧化物半导体层的上方形成一层金属图案层，以隔绝外界水、氧与光对金属氧化物半导体层的影响。
薄膜晶体管与其制造方法具有阵列显示装置

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201310394945.1有效
发明人：蓝纬洲;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体元件及其制作方法。半导体元件适于配置于基板上。半导体元件包括像素电极、漏极、半导体沟道层、源极、栅绝缘层以及侧边栅极。像素电极配置于基板上。漏极配置于像素电极上且暴露出部分像素电极。半导体沟道层配置于漏极上。源极配置于半导体沟道层上。栅绝缘层配置于基板上，且至少包覆源极并环绕半导体沟道层。侧边栅极配置于栅绝缘层上，且沿着栅绝缘层的至少一侧延伸覆盖于基板上。部分侧边栅极的延伸方向与漏极、半导体沟道层以及源极的堆叠方向相同。本发明提供的技术方案具有半导体沟道层的制作不受制造工艺限制，可减少沟道长度，降低操作电压，提高半导体元件的载子迁移率，提高显示器的显示品质等优点。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201310016178.0有效
发明人：蓝纬洲;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明揭露一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管含有基板、漏极与源极电极层、半导体层、第一介电层、第二介电层、栅极电极层、保护钝化层以及像素电极层。漏极与源极电极层位于基板上，此漏极与源极电极层划分为漏极区域以及源极区域；半导体层与第一介电层位于漏极与源极电极层上，其中此第一介电层的厚度具有上限；第二介电层位于半导体层与第一介电层之上，其中此第二介电层的厚度具有下限；栅极电极层位于第二介电层之上；保护钝化层位于栅极电极层之上，像素电极层则位于保护钝化层之上。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]晶体管结构及其制作方法-CN201410008233.6在审
发明人：徐振航;王裕霖;王旨玄;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2014-01-08 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明是有关于一种晶体管结构及其制作方法。晶体管结构配置于基板上且包括栅极、有机半导体层、栅绝缘层以及图案化金属层。栅绝缘层配置于栅极与有机半导体层之间。图案化金属层具有导电氧化表面，且图案化金属层区分为源极及漏极。有机半导体层的一部分暴露于源极与漏极之间。导电氧化表面直接接触有机半导体层。
晶体管结构及其制作方法

[发明专利]有机无机混合型晶体管-CN201410235775.7在审
发明人：徐振航;吴幸怡;叶佳俊;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机无机混合型晶体管，包含可挠性基板、栅极、有机栅极介电层、氧化物半导体层、第一保护层、源极及漏极。栅极配置在可挠性基板上。有机栅极介电层覆盖栅极以及可挠性基板的一部分。氧化物半导体层配置在有机栅极介电层上方。第一保护层夹置在氧化物半导体层与有机栅极介电层之间，且接触氧化物半导体层及有机栅极介电层。源极及漏极分别连接氧化物半导体层的不同两侧。
有机无机混合晶体管

[发明专利]主动元件及其制作方法-CN201310625002.5在审
发明人：杨智翔;辛哲宏;陈蔚宗;吴幸怡 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是有关于一种主动元件及其制作方法。主动元件包括栅极、栅绝缘层、通道层、第一保护层、第二保护层、源极与漏极。栅绝缘层配置于基板上且覆盖栅极。通道层配置于栅绝缘层上且具有对应栅极设置的半导体区块及位于半导体区块周围的导体区块。第一保护层配置于通道层上且覆盖半导体区块。第二保护层配置且覆盖第一保护层。源极与漏极配置于栅绝缘层上，且沿着通道层的导体区块、第一保护层及第二保护层的周围延伸配置于第二保护层上。第二保护层的一部分暴露于源极与漏极之间。本发明提供的技术方案可有效地通过第二保护层来阻绝外界水气及氧气对通道层的影响，还可大幅降低接触阻抗且可提高主动元件的电性表现与可靠性。
主动元件及其制作方法

[发明专利]有机发光显示器-CN201310453316.1在审
发明人：徐振航;吴幸怡;叶佳俊;辛哲宏;王旨玄 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光显示器，其包含主动阵列基板、封装层、有机发光层、吸收剂层以及框胶。封装层与主动阵列基板相对设置，且封装层具有面向主动阵列基板的内侧表面。有机发光层配置在主动阵列基板上。吸收剂层用于吸收水和氧中的至少一种，吸收剂层位于封装层的内侧表面。框胶配置在主动阵列基板与封装层之间，且环绕有机发光层以及吸收剂层。
有机发光显示器

[发明专利]显示面板-CN201310415243.7有效
发明人：吴纪良;林柏辛;林钦雯;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：一种显示面板，该显示面板包括闸极驱动电路与控制电路。闸极驱动电路包括复数个电路级。这些电路级中的第N级电路级包括启始单元、驱动单元、第一下拉单元、第二下拉单元以及电流感测单元。驱动单元用以提供时脉信号至第N级输出端。第一下拉单元用以使致能节点具有第一下拉电压。第二下拉单元用以提供第二下拉电压至去能节点。电流感测单元用以侦测流过第一下拉单元的错误电流，并根据错误电流输出错误信号。控制电路用以根据第N级电路级的错误信号调整第二下拉电压。
显示面板

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