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[发明专利]一种白层组织的扫描电镜样品制备方法-CN201510795748.X在审
发明人：潘睿;陈春焕;任瑞铭 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： G01Q30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种白层组织的扫描电镜样品制备方法，所述制备方法包括粗磨细磨步骤、机械抛光步骤、振动抛光步骤；所述机械抛光步骤为将经过粗磨细磨后的试样置于湿润的抛光盘上加入抛光剂抛光；所述抛光剂包括碱性硅溶胶和碱液，所述碱性硅溶胶与碱液的体积比为7～20：1～3；所述振动抛光步骤为将机械抛光步骤所得产品在水中振动抛光，本发明有益效果为抛光过程不仅将试样抛光，同时也将白层内组织形貌浸蚀出来，在扫描电镜下即可观察到现有硝酸酒精腐蚀剂浸蚀后观察不到的清晰组织结构
一种组织扫描电镜样品制备方法

[发明专利]一种用于双面电化学机械抛光平面构件的设备及方法-CN201810602821.0有效
发明人：康仁科;朱祥龙;郭江;董志刚;金洙吉;吴頔 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本发明属于电化学机械抛光领域，涉及一种用于双面电化学机械抛光平面构件的设备及方法，可应用于导电材料平面构件的低应力、高效抛光。本发明的设备包括双面研磨装置、电化学机械抛光垫、导电夹持装置、电源供应部、电解液供应部。利用游星片连接电源正极和平面构件，通过上下阴极层和抛光垫中的电解液将电源的负极与导电平面构件相连，从而构成回路实现双面电化学机械抛光。
电化学机械抛光导电平面平面构件电解液导电材料平面导电夹持装置双面研磨装置正极材料去除率电源供应部和平面构件电路稳定连接电源修形能力装配方便负极抛光低应力供应部抛光垫平坦化阴极层游星片排液电源应用

[发明专利]一种银色氧化膜的制备方法-CN202011056984.7有效
发明人：林孝发;林孝山;伍文彬;刘小龙;王汉春 -专利权人：九牧厨卫股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C25D11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种银色氧化膜的制备方法，其步骤包括对铝合金工件进行机械抛光、化学抛光、机械抛光、阳极氧化和封孔处理等；其中封孔处理是封孔剂中萘系磺酸盐含量以及处理时间均梯度增加的多步封孔处理。本发明采用机械抛光+化学抛光+机械抛光的方法提高了阳极氧化前铝合金工件表面的光泽度，采用萘系磺酸盐含量梯度增加的封孔剂以及处理时间梯度增加的多步封孔处理工艺提高了产品表面的封孔效果，在对膜厚度不产生影响的前提下得到了兼具高耐腐蚀性和高光泽度的银色氧化膜
一种银色氧化制备方法

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN202211464486.5在审
发明人：梁珂;周琦;龙江湘;徐锋 -专利权人：天津派森新材料技术有限责任公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及机械抛光液技术领域，具体为一种化学机械抛光液，由研磨剂、金属腐蚀抑制剂、促进剂、氧化剂、非离子表面活性剂、络合剂和离子水组成，其中所述促进剂为炭纤维粉、石墨烯粉末和生物类黄酮；本发明通过加入炭纤维粉、石墨烯粉末和生物类黄酮制成的促进剂，通过促进剂中的炭纤维粉使抛光速率进行提升，通过促进剂中的石墨烯粉末和生物类黄酮使化学机械抛光液中有有毒物质减少，因此，能更好的协调抛光液的组分，使得抛光速率大大增加，并且使机械抛光液使用更加安全，使抛光液使用效果更好。
一种化学机械抛光

[发明专利]化学机械抛光装置-CN201511021045.8有效
发明人：金钟千;任桦爀;金旻成;赵玟技 -专利权人：凯斯科技股份有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种化学机械抛光装置，能够通过厚度传感器的偏移特性来准确地获得未歪曲的晶片抛光层的厚度，上述化学机械抛光装置包括：抛光平板，上表面被抛光垫覆盖，并进行自转；抛光头，在化学机械抛光工序中，与上述晶片的板表面相接触来进行加压；厚度传感器，向上述晶片施加信号，来获得上述晶片的厚度信息；控制部，在上述晶片不位于上述隔膜的底板的状态下，接收来自上述厚度传感器的第一输出信号之后，在使上述晶片位于上述隔膜的底板的状态下进行化学机械抛光工序的过程中
化学机械抛光装置

[发明专利]一种晶体硅片位错检测方法-CN201410105915.9有效
发明人：肖贵云;陈养俊;陈伟;林瑶;徐志群;金浩;陈康平 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体硅片位错检测方法，先采用添加有醇类化学添加剂的碱溶液对切割晶体硅锭得到的晶体硅片进行碱处理，然后再进行化学抛光和化学腐蚀。由于所述碱溶液能够去除碱溶液腐蚀过程中产生的气泡，降低碱处理后的晶体硅片表面粗糙度，从而能够代替现有技术中的机械抛光，得到较好的抛光效果。相对于现有技术中需要碎片、预处理等工序才能进行抛光的机械抛光过程，其工艺更加简单，同时相对于机械抛光需要的时间，本发明提供的碱处理过程需要的时间更短，提高了位错检测效率；且碱处理和化学抛光过程中无需使用昂贵的机械抛光设备
一种晶体硅片检测方法

[发明专利]用于抛光高阶梯高度氧化层的自动停止研磨剂组合物-CN200680023347.1有效
发明人：安定律;朴钟宽;金锡主;郑银逸;韩德洙;朴休范;白贵宗;李泰京 -专利权人：韩国泰科诺赛美材料株式会社
申请日： 2006-04-28 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及化学－机械抛光组合物，其用于半导体器件的生产技术中具有高阶梯高度、不平度严重的二氧化硅层的化学－机械抛光过程，以及使用所述具有自动停止功能的化学－机械抛光组合物的方法，即在去除阶梯高度进行平整化后抛光速率大大减小，其特征在于所述化学－机械抛光组合物包含i)金属氧化物研磨颗粒；和ii)至少一种化合物，该化合物选自：氨基醇、羟基和羧基总数至少为3的羟基羧酸或其盐，或它们的混合物。根据本发明的自动停止抛光组合物能够缩短待抛光层的气相沉积时间、节约气相沉积原材料、缩短化学－机械抛光时间并节约使用的浆料。因此，根据本发明，材料消耗减少，加工时间缩短，并且通过抛光速率的自动停止功能增加了加工余量，从而有利地提高了生产力。
用于抛光阶梯高度氧化自动停止研磨剂组合

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN200910200315.X有效
发明人：王晨;何华锋 -专利权人：安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光液，含有水，研磨剂，氧化剂和水溶性阳离子表面活性剂。本发明的化学机械抛光液可降低并消除抛光噪音，改善操作环境，降低抛光垫的摩擦，延长抛光垫的使用寿命。
一种化学机械抛光

[发明专利]机械抛光轮的制造方法与生产设备-CN200610002682.5无效
发明人：王文池;马红英 -专利权人：王文池
申请日： 2006-01-27 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： B24D13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种机械抛光轮的制造方法与生产设备。机械抛光轮广泛的应用于由对金属、木材、石头、玻璃、皮革、塑料等材料制成的产品的抛光、表面处理。生产工艺是采用纯棉布做材料，多层布斜裁成条状后，缠绕成环状，通过收缩将多层环状布在两个托轮中间整体翻转180度，缩紧在夹紧环上，再经冲压、定形、裁圈制成机械抛光轮；生产设备是由台座上安装的轴承座上的主轴上安装的由手轮调节的两个托轮及铰盘钢丝绳系统组成本发明的优点是由于斜裁的环行布料整体翻转180度后收缩在夹紧环内，自然形成带筋的骨架，提高了抛光轮径向运转的精度和运转平稳性和光洁度，通风性好，提高了机械抛光轮的利用率和产品的使用寿命，纯棉布机械抛光轮使用后的废料可以回收利用
机械抛光轮制造方法生产设备

[发明专利]一种铜化学机械抛光液及其制备方法-CN201911286214.9在审
发明人：李涛;孙大陟 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜化学机械抛光液及其制备方法，所述铜化学机械抛光液包括复合磨粒、分散剂A、氧化剂、缓蚀剂、pH调节剂、稳定剂及溶剂。本发明提供的化学机械抛光液分散性更好，稳定性高，沉降效果不明显。此外磷酸氢锆具有片层状结构，受到外力时会产生定向排列从而优化磨粒的取向，这样优化后的抛光磨粒在抛光过程中更加稳定，产生的划痕更少，整个抛光体系更加稳定，可实现更好的抛光效果。
一种化学机械抛光及其制备方法

[发明专利]化学机械抛光浆料组合物及使用其制作半导体器件的方法-CN201810615141.2在审
发明人：朴承浩;权昌吉;李性表;黄晙夏;金相均;朴慧圣;辛受映;李愚仁;李洋熙;朴钟爀;尹一永 -专利权人：三星电子株式会社;凯斯科技股份有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：提供一种化学机械抛光(CMP)浆料组合物及一种使用化学机械抛光浆料组合物制作半导体器件的方法。化学机械抛光(CMP)浆料组合物包含：磨料颗粒；第一阳离子化合物，包含氨基酸、聚亚烷基二醇、与葡糖胺化合物键结的聚合物多糖及含有胺基的聚合物中的至少任一者；第二阳离子化合物，包含有机酸；以及非离子化合物本发明的化学机械抛光浆料组合物具有相对高的氧化物膜对半导体膜抛光选择性且能够改善凹陷及刮擦。
化学机械抛光浆料化学机械抛光阳离子化合物半导体器件浆料组合物聚合物非离子化合物聚亚烷基二醇葡糖胺化合物抛光选择性半导体膜磨料颗粒氧化物膜聚醚胺有机酸凹陷氨基酸胺基刮擦键结制作

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110270585.5有效
发明人：任万春 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2011-09-14 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：先执行第一化学机械抛光工艺至所述停止层。再执行第二化学机械抛光工艺，以去除所述底电极材料层的上部水平部分。然后，在底电极材料层的垂直部分上方形成相变材料以形成相变元件。通过设置停止层，将化学机械抛光工艺分为两个阶段。因此在对底电极材料层进行的第二化学机械抛光工艺过程中，能够精确控制抛光过程，避免底电极过多不必要的损失。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种用于钴阻挡层抛光的化学机械抛光液-CN201310727883.1有效
发明人：张建;荆建芬;蔡鑫元;宋凯;邱腾飞 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于钴阻挡层抛光的化学机械抛光液，化学机械抛光液含有研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、聚烷氧化物和氧化剂。本发明的抛光液具有较强的控制金属钴的腐蚀的能力。
一种用于阻挡抛光化学机械抛光

[发明专利]制造气体夹杂物缺陷减少的化学机械抛光垫抛光层的方法-CN201010165157.1有效
发明人： J·埃斯本谢德;A·M·杰格;P·利伯斯;S·J·诺凡伯;P·J·萨凯蒂;J·特雷西;D·弗巴罗;M·E·沃特金斯 -专利权人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2010-04-22 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： B24D18/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用来制造化学机械抛光垫抛光层的方法，该方法将夹带的气体夹杂物缺陷减至最少。本发明还提供了一种用来制造化学机械抛光垫抛光层的混合头组件，其中将夹带的气体夹杂物缺陷减至最少。
制造气体夹杂缺陷减少化学机械抛光抛光方法

[发明专利]用于抛光铜膜的CMP浆料组合物和用其抛光铜膜的方法-CN202011111565.9有效
发明人：金亨默;张根三;姜东宪;李锺元 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于铜膜的化学机械抛光浆料组合物和使用其来抛光铜膜的方法。化学机械抛光浆料组合物包含：自极性溶剂和非极性溶剂当中选出的至少一溶剂；以及硅烷改性的抛光颗粒，其中硅烷由式1表示。
用于抛光 cmp 浆料组合方法