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[发明专利]一种延伸波长响应截止探测器及其制作方法-CN202010363571.7有效
发明人：周勋;詹雯慧;王鹏 -专利权人：成都英飞睿技术有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本申请提供一种延伸波长响应截止探测器及其制作方法，采用背入式p‑i‑i‑n或n‑i‑i‑p的延伸波长探测器结构，也即，所述探测器结构包括双本征吸收层结构，所述双本征吸收层结构包括晶格匹配本征吸收层和晶格微失配本征吸收层，将两种本征吸收层相结合；其中，晶格匹配本征吸收层用以提升整体量子效率，晶格微失配本征吸收层的厚度控制在晶格弛豫临界厚度范围内，以达到完全应变，显著降低失配位错缺陷，实现在扩展响应截止波长的同时也可有效抑制探测器暗电流
一种延伸波长响应截止探测器及其制作方法

[发明专利]太阳能单电池-CN201910846538.7有效
发明人：桥口大树;松山谦太 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：能够提高发电效率并抑制半导体衬底与本征半导体层剥离。太阳能单电池(10)包括：具有第1主面和第2主面的n型硅衬底(20)；设置于第1主面的n型第1半导体层(22n)；设置于第1主面与第1半导体层(22n)之间的第1本征半导体层(22i)；设置于第2主面的p型第2半导体层(21p)；和设置于第2主面与第2半导体层(21p)之间的第2本征半导体层(21i)。硅衬底(20)与第2本征半导体层(21i)的界面氧浓度比硅衬底(20)与第1本征半导体层(22i)的界面氧浓度低，第2本征半导体层(22i)与第2半导体层(21p)的界面氧浓度比第1本征半导体层(22i)与第1半导体层(22n)的界面氧浓度高。
太阳能电池

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN202210719108.0在审
发明人：黄思;郁操;彭振维;张继腾 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。一种异质结太阳能电池的制备方法，该方法包括：在半导体衬底的背面图形化以形成第一掺杂区域和第二掺杂区域，第一掺杂区域形成有第一本征i层和n型掺杂层，n型掺杂层为掺杂有第VA族元素的掺氧微晶硅层；形成第二本征i层和p型掺杂层，p型掺杂层为掺杂有第ⅢA族元素的非晶或微晶硅层；在第二本征i层和p型掺杂层上形成图形化的掩膜层，使第一掺杂区域上的第二本征i层和p型掺杂层裸露出，去除裸露的第二本征i层和p型掺杂层并保留第一本征i层和n型掺杂层。
异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法、表面钝化方法-CN201510598489.1有效
发明人：张娟;谷士斌;张林;田小让;徐湛;何延如;杨荣;王琦;李立伟;郭铁 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法、表面钝化方法，用以使得本征层充分退火，提升钝化效果，同时避免掺杂层P层中硼原子的扩散，从而提升电池转换效率，提高电池性能。所述异质结太阳能电池的表面钝化方法，包括在晶体硅片第一侧表面上沉积第一本征层I层，对所述第一本征层I层进行退火处理；在经过退火处理的第一本征层I层表面上沉积掺杂层P层。
一种异质结太阳能电池及其制备方法表面钝化

[发明专利]改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法-CN200710150230.6有效
发明人：张晓丹;赵颖;熊绍珍;耿新华 -专利权人：南开大学
申请日： 2007-11-19 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法，其是将玻璃衬底放在真空室内；采用等离子增强化学气相沉积或者热丝技术在衬底上沉积P层微晶硅薄膜；采用和沉积P层微晶硅薄膜相同的沉积方法沉积I层本征微晶硅薄膜，根据P层微晶硅薄膜沉积后对的腔室环境，对随后生长的I层本征微晶硅薄膜进行硼补偿，达到对随后生长的I层本征微晶硅薄膜中硼浓度的有效控制，并控制I层本征微晶硅薄膜内硼的浓度在10¹⁶这样利用单室沉积和原位的补偿实现本征微晶硅薄膜质量的改善，既不增加新的设备改造投资，又避免了交叉污染的难点，同时还有效提高电池效率。
改善沉积征微晶硅薄膜制备方法

[发明专利]光电三极管及其制作方法-CN202110650813.5在审
发明人：王宁;赵柏秦;杨仕轩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本公开提供了一种光电三极管，应用于半导体领域，包括：衬底；本征I层，设置于在所述衬底上；N+集电极层，设置于在所述本征I层内；P+基极层，设置于在所述本征I层内；N+发射极层，设置在所述P+基极层内；钝化减反膜，设置于所述本征I层上，所述钝化减反膜上设置有两个金属电极，一个金属电极与所述N+集电极层接触，另一个金属电极与所述N+发射极层与接触。本公开还提供了一种光电三极管的制作方法，光探测到的光电流信号更大，可以提高探测灵敏度。
光电三极管及其制作方法

[发明专利]短中红外波段通用的硫汞族胶体量子点同质结光伏探测器及其制备方法与应用-CN202210592122.9在审
发明人：陈梦璐;唐鑫;薛晓梦;罗宇宁 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：该探测器包括底电极、顶电极和本征硫汞族量子点层，还包括p型硫汞族量子点层和/或n型硫汞族量子点层；其中，本征硫汞族量子点层与p型硫汞族量子点层形成I‑P或P‑I同质结；本征硫汞族量子点层与n型硫汞族量子点层形成I‑N或N‑I同质结；p型硫汞族量子点层、本征硫汞族量子点层与n型硫汞族量子点层形成P‑I‑N或N‑I‑P同质结。
红外波段通用硫汞族胶体量子同质结光伏探测器及其制备方法应用

[发明专利]一种高效异质结太阳能电池的PECVD镀膜方法-CN202110236283.X在审
发明人：庄辉虎;黄辉明;黄金文 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效异质结太阳能电池的PECVD镀膜方法，它包括渐变式沉积I层方法；所述渐变式沉积I层方法为，利用PECVD方法分解反应气体进行本征I型非晶硅沉积，反应气体中氢气含量逐渐增加，本征I型非晶硅沉积速率逐渐降低本发明的目的在于提供一种高效异质结太阳能电池的PECVD镀膜方法，其能够提升钝化效果，本征I型非晶硅薄膜性能得到最大优化。
一种高效异质结太阳能电池 pecvd 镀膜方法

[实用新型]一种多量子阱太阳能电池-CN201420474492.3有效
发明人：夏洪贵;赵国选 -专利权人：重庆市佳新美科技有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多量子阱太阳能电池，所述多量子阱太阳能电池包括阳极结构，所述阳极结构上沉积有P型空穴传输层，所述P型空穴传输层上沉积有i本征层，所述i本征层为锯齿状多量子阱结构，所述i本征层上沉积有n型电子传输层，所述n型电子传输层上设置有阴极结构。本实用新型结构简单，成本低廉，所述多量子阱结构有效的限制了电子传输路径，减少了空穴与电子的复合率，从而提高电池的光电转换效率。
一种多量太阳能电池

[发明专利]多结太阳能电池及其形成方法和设备-CN200710165351.8无效
发明人：崔寿永;蔡容基;盛殊然 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-10-26 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：该方法包括：形成第一p－i－n结，包括形成p型非晶硅层；在该p型非晶硅层上形成本征型非晶硅层；及在该本征型非晶硅层上形成n型微晶硅层；以及在该第一p－i－n结上形成第二p－i－n结，包括形成p型微晶硅层；在该p型微晶硅层上形成本征型微晶硅层；及在该本征型微晶硅层上形成n型非晶硅层。
太阳能电池及其形成方法设备

[发明专利]一种氮化镓高电子迁移率晶体管-CN202310040039.5在审
发明人：唐鹏;刘曦 -专利权人：深圳市伯乐马电子有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓高电子迁移率晶体管，该氮化镓高电子迁移率晶体管包括：包括：衬底层、缓冲层、本征氮化镓层、势垒层、源极、栅极、漏极以及复合帽层；在衬底层上为缓冲层，缓冲层上位本征氮化镓层，本征氮化镓层上位势垒层，势垒层上端两侧分别位金属电极源极和漏极；在势垒层与栅极之间设置复合帽层，所述复合帽层包括P‑GaN层和i‑GaN层，i‑GaN层位于势垒层上，P‑GaN层位于i‑GaN层上，P‑GaN层上位栅极；所述源极、栅极和漏极之间为钝化层；所述P‑GaN层、i‑GaN层和栅极的长度相同。通过通过引入i‑GaN层来抑制P‑GaN中掺杂Mg的扩散，同时自对准的栅极金属覆盖了整个p‑GaN层进而控制整个沟道，从而降低源漏串联电阻。
一种氮化电子迁移率晶体管

[发明专利]具有微晶吸收体层和钝化层的薄膜太阳能电池以及制造这种电池的方法-CN201180031493.X无效
发明人： J.赫策尔;E.瓦拉特-绍瓦因;S.贝纳格利;L.卡斯滕斯;X.穆尔通;D.博雷洛 -专利权人：欧瑞康太阳能股份公司（特吕巴赫）
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：光伏电池60包括衬底31、透明导电氧化物的前或第一电极42以及微晶硅的至少一个p-i-n结43，所述p-i-n结43包括第一n掺杂硅子层44和第二p掺杂硅子层46以及具有基本上本征微晶硅的第三子层45。包括基本上本征非晶硅的钝化层45布置成：a)位于微晶本征子层45和n掺杂硅层46之间，或者b)成为嵌在微晶本征子层45中的层，或者c)这二者。用于制造这种光伏薄膜硅太阳能电池的方法包括：提供在其上具有TCO前电极42的透明衬底41；沉积p掺杂Si层44、微晶硅本征层45、来自基本上本征非晶硅的钝化层55、n掺杂Si层46以及后电极层48。
具有吸收体钝化薄膜太阳能电池以及制造这种电池方法

[发明专利]用于为具有降低的光致衰退的光伏器件淀积非晶硅膜以改进稳定性能的方法-CN200980134039.X无效
发明人： S·贝纳格利;D·博雷洛;E·瓦拉特-索瓦因;J·迈尔;U·克罗尔 -专利权人：欧瑞康太阳IP股份公司(特吕巴赫)
申请日： 2009-08-26 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：通过用于制造p-i-n结半导体层堆叠的方法实现在衬底上的薄膜光伏器件，该堆叠具有p型微晶硅层、p型非晶硅层、选包括本征非晶硅的缓冲硅层、本征型非晶硅层以及在本征型非晶硅层上的n型硅层。
用于具有降低衰退器件淀积非晶硅膜改进稳定性能方法

[发明专利]一种p-i-n型硒化锑太阳电池-CN201710140918.X有效
发明人：李志强;郭玉婷;麦耀华;朱红兵;陈静伟 -专利权人：河北大学
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种p‑i‑n型硒化锑薄膜太阳电池，该太阳电池从上到下主要的结构依次为：顶电极层、p型硒化锑半导体层、本征半导体i型层、n型硒化锑半导体层以及底电极层。本发明提供的太阳电池的结构可以减少pn界面的晶格失配度，减少因界面缺陷密度高带来的高复合率；同时在同质硒化锑pn结中插入本征半导体i型层，能够使内建场在本征半导体i型层扩展，利于实现光生载流子电荷的分离
硒化锑本征半导体光生载流子半导体层薄膜太阳电池晶格失配度从上到下底电极层顶电极层界面缺陷收集效率制备工艺电荷高复合内建同质应用

[发明专利]包括金属-电介质-金属结构的发光二极管-CN200980160967.3有效
发明人：李晶晶;戴维·A·法塔勒;拉尔斯·黑尔格·蒂伦;迈克尔·瑞恩·泰·谭;王世元 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：LED(101)包括具有p型掺杂部分(112)、本征部分(114)和n型掺杂部分(116)的多个部分。本征部分(114)设置在p型掺杂部分(112)和n型掺杂部分(116)之间并形成p-i结(130)和i-n结(134)。LED(101)还包括金属-电介质-金属(MDM)结构(104)，该结构包括第一金属层(140)、第二金属层(144)以及设置在第一金属层(140)和第二金属层(144)之间的电介质。MDM结构(104)的金属层大体垂直于p-i结(130)和i-n结(134)设置，电介质包括本征部分(114)，且MDM结构(104)配置为通过存在于金属层内的表面等离振子相互作用以提高LED(101)
包括金属电介质金属结构发光二极管

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