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[发明专利]有机半导体层-CN201880087272.6在审
发明人：本杰明·舒尔策;卡斯滕·洛特;张起砲;柳真铉 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司;三星SDI株式会社
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机半导体层，所述有机半导体层包含：‑式1化合物：和‑选自有机金属络合物或金属卤化物的掺杂剂，所述有机半导体层适合用作有机电子器件的有机半导体层
有机半导体

[发明专利]有机半导体元件的制造方法-CN200710154373.4有效
发明人：永江充孝;小林弘典;松冈雅尚;本多浩之 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2007-09-26 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供一种有机半导体元件的制造方法，具有有机半导体晶体管形成工序，该有机半导体晶体管形成工序包括：有机半导体层形成工序，利用基板，在所述基板上形成由有机半导体材料构成的有机半导体层；钝化层形成工序，在所述有机半导体层上以图案状形成相对真空紫外光具有遮光性的钝化层；和有机半导体层图案形成工序，通过将真空紫外光照射到所述钝化层及所述有机半导体层上，对没有形成所述钝化层的部位的有机半导体层进行蚀刻，从而，可以高精度、简单地图案形成有机半导体层，能够以高的生产率制造具有有机半导体晶体管的有机半导体元件。
有机半导体元件制造方法

[发明专利]一种半导体光电探测器及其制备方法-CN202310343083.3在审
发明人：牟震;孟鸿;李炜;高源鸿;闫朝一;龙马;张非 -专利权人：北京高德品创科技有限公司;北京大学深圳研究生院;联想万像（深圳）科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10K30/80 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体光电探测器及其制备方法，其中半导体光电探测器包括：栅极结构层；位于所述栅极结构层的一侧表面的有机半导体沟道层；位于部分所述有机半导体沟道层背向所述栅极结构层一侧表面的有机半导体光敏层；位于部分所述有机半导体沟道层背向所述栅极结构层一侧表面的源极层和漏极层，所述源极层和漏极层分别位于所述有机半导体光敏层的两侧；位于所述有机半导体光敏层、源极层和漏极层背离所述有机半导体沟道层一侧的有机半导体滤光层；所述有机半导体滤光层的吸收边波长比所述有机半导体沟道层的吸收边波长短。所述半导体光电探测器的结构简单。
一种半导体光电探测器及其制备方法

[发明专利]有机半导体器件、有机EL器件、发光装置、电子设备以及照明装置-CN202211639564.0在审
发明人：山崎舜平;川上祥子;大泽信晴;山根靖正;铃木恒德;青山智哉;桥本直明;竹田恭子;吉安唯;高畑正利 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K50/84 文献下载
摘要：在具有在有机半导体层上以与该有机半导体层接触的方式形成氧化铝膜的工序的有机半导体器件、有机EL器件、发光装置、电子设备以及照明装置中抑制高电压化。本发明提供一种有机半导体器件，其包括第一电极、第二电极、有机半导体层以及缓冲层，有机半导体层位于第一电极与第二电极之间，缓冲层位于有机半导体层与第二电极之间，有机半导体层的侧面与缓冲层的侧面大致对齐。
有机半导体器件 el 器件发光装置电子设备以及照明

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和电子装置-CN201110025941.7有效
发明人：八木岩 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括：有机半导体层；以及源电极和漏电极，源电极和漏电极彼此隔开并被设置为分别与有机半导体层重叠。有机半导体层包括：下部有机半导体层；以及上部有机半导体层，形成于下部有机半导体层之上，并具有高于下部有机半导体层的溶解性和导电性。下部有机半导体层从与源电极重叠的区域延伸到与漏电极重叠的区域，而上部有机半导体层被分别设置在与源电极重叠的区域和与漏电极重叠的区域的各区域中，以使得各上部有机半导体层彼此隔开。
薄膜晶体管及其制造方法电子装置

[发明专利]有机半导体元件及其制造方法-CN200510077091.X无效
发明人：田窪知章;青木秀夫;山口直子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-06-15 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明提供一种有机半导体元件，具备有机半导体层，和向该有机半导体层供给电流或电场的电极。有机半导体层由有机半导体粒子的热熔粘层构成。有机半导体粒子的热熔粘层，例如采用电子照相方式使有机半导体粒子附着在成为衬底的层上后，通过加热该有机半导体粒子的附着层而使其热熔粘而形成。采用如此的有机半导体元件及其制造方法，能够在不损伤元件结构的微细化或利用直接描绘的低成本性等的情况下，提高元件制造效率。
有机半导体元件及其制造方法

[发明专利]有机半导体装置、及使用该装置的显示装置和摄像装置-CN200580002696.0无效
发明人：安达千波矢;菅沼直俊 -专利权人：国立大学法人京都大学;日本先锋公司;三菱化学株式会社;罗姆股份有限公司
申请日： 2005-01-20 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H05B33/26 文献下载
摘要：公开了一种可以有效地产生有机半导体层内的空穴及电子的复合或光电变换的有机半导体装置。该有机半导体装置包括：电子及空穴可移动的双极性的有机半导体层；空穴授受电极，其在与该有机半导体层之间授受空穴；电子授受电极，其设置为在与该空穴授受电极之间隔开规定的间隔，在与上述有机半导体层之间授受电子；空穴侧栅极，其夹着绝缘层与上述有机半导体层的靠近上述空穴授受电极的区域对置，控制上述有机半导体层内的空穴的分布；及电子侧栅极，其夹着绝缘层与上述有机半导体层的靠近上述电子授受电极的区域对置，控制上述有机半导体层内的电子的分布
有机半导体装置使用显示装置摄像

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510116089.9有效
发明人：古川忍 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种方法，在制造具有分子取向的有机半导体中，该方法能够通过摩擦使有机半导体层中的分子定向，从而使有机半导体层中的分子定向而不损坏有机半导体层，并且该方法通过摩擦栅极绝缘膜使有机半导体层中的分子定向，而不损失栅极绝缘膜与有机半导体层之间界面的平坦性。本发明的一个特征是，在制造半导体器件中，通过将具有定向膜的第二衬底提供给具有栅极电极、栅极绝缘层、源极电极、漏极电极和有机半导体层的第一衬底使得定向膜与有机半导体层接触，然后加热，在加热之后快速或慢速冷却，从而高度定向有机半导体层中的分子。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]有机薄膜晶体管器件制备方法及显示面板-CN202011339789.5有效
发明人：申丽萍;邢汝博;陈伟伟 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本申请实施例提供的有机薄膜晶体管器件制备方法及显示面板，涉及半导体器件技术领域。通过在掩膜层上形成有机半导体层，再通过移除该掩膜层的方式形成有机半导体沟道层。上述形成有机半导体沟道层的方式相对于光刻形成有机半导体沟道层的方式，因形成过程不会涉及高温烘烤光刻胶层的工艺步骤，所形成的有机半导体沟道层中载流子的迁移率较高，有机薄膜晶体管器件的电学特性相对稳定。同时，上述形成有机半导体沟道层的方式，有效规避了制程环境因素(光、高温)对有机半导体沟道层形成的影响，有机半导体沟道层图形化过程更加简单，图形化效果更好。
有机薄膜晶体管器件制备方法显示面板

[发明专利]一种实现低电压操作有机场效应晶体管的方法-CN200610113721.9无效
发明人：刘云圻;吴卫平;高希珂;王鹰;狄重安;孙艳明;于贵;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2006-10-13 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种低操作电压有机场效应晶体管，包括衬底、栅极电极、绝缘层、修饰半导体层、主体半导体层、源电极和漏电极，由修饰半导体层和有机主体半导体层组成有机半导体沟道，有机半导体沟道其结构为下面是修饰半导体层，上面是有机主体半导体层制备方法为：沉积栅极金属；在栅电极之上采用绝缘层成膜方式沉积至少一层绝缘层；在沉积有绝缘层的衬底上，沉积一层修饰半导体层，然后采用有机物成膜方法得到主体有机半导体层，最后沉积源、漏电极得成品。本发明提供的器件结构可以实现有机场效应晶体管在较低的电压下饱和，通过低电压饱和降低有机场效应晶体管的操作电压。
一种实现电压操作有机场效应晶体管方法

[发明专利]有机半导体发光装置及使用它的显示装置-CN200580028880.2无效
发明人：菅沼直俊 -专利权人：国立大学法人京都大学;株式会社日立制作所;罗姆股份有限公司
申请日： 2005-08-26 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供一种能提高从有机半导体活性层向有机半导体发光部的载流子的注入效率的有机半导体发光装置。该有机半导体发光装置具备：有机半导体活性层，具有隔开规定的沟道长度而设定的源极区域及漏极区域；源极电极，与所述源极区域接合；有机半导体发光部，与所述漏极区域接合；漏极电极，与该有机半导体发光部接合；和栅极电极，与有机半导体活性层隔开绝缘膜而对置配置。有机半导体发光部具备有机半导体发光部，从漏极电极及有机半导体活性层接受电子及空穴的供给，通过这些再结合产生发光。
有机半导体发光装置使用显示装置

[发明专利]有机半导体器件及其制造方法-CN03816762.X无效
发明人：吉泽淳志 -专利权人：先锋株式会社
申请日： 2003-07-10 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明提供一种具有夹在源电极和漏电极之间的p型有机半导体层的有机半导体器件，它包括一个形成在所述p型有机半导体层的中间部分中的n型有机半导体层和一个埋置在所述n型有机半导体层中的栅电极，并且具有夹在源电极和漏电极之间的n型有机半导体层的有机半导体器件包括一个形成在所述n型有机半导体层的中间部分中的p型有机半导体层和一个埋置在所述p型有机半导体层中的栅电极，由此抑制了在所述电极之间产生的泄漏电流。本发明还提供一种有机半导体器件，它包括一个夹在源电极和漏电极之间并具有载流子传输特性的有机半导体层以及一个由至少两个中间电极片构成的栅电极，其中所述两个中间电极片埋置在所述有机半导体层中，分别设置在与所述源电极和所述漏电极分离并与其平行的至少两个平面内，并且布置在沿所述层厚的方向。通过熔合所述有机半导体层来埋置所述栅电极。
有机半导体器件及其制造方法

[发明专利]有机薄膜晶体管及其制备方法-CN201710295427.2有效
发明人：魏浩明;魏洋;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上制备有机半导体层、叉指电极层、栅极及绝缘层的步骤，该制备有机半导体层的步骤包括：提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及有机半导体层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该有机半导体层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载，该有机半导体层源材料为有机半导体层的材料或者用于形成该有机半导体层的前驱体，该前驱体在蒸镀的过程中反应生成该有机半导体层；将该蒸发源与待镀表面相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该有机半导体层源材料蒸发，在该待镀表面上蒸镀形成该有机半导体层。
有机薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体元件和电子装置-CN201210147617.7有效
发明人：小野秀树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了半导体元件和电子装置。该半导体元件包括有机半导体层以及设置在有机半导体层的上表面上的层，其中，该层的轮廓在该有机半导体层的轮廓内侧。
半导体元件电子装置

[发明专利]一种有机场效应晶体管-CN202210069897.8在审
发明人：李立强;戚建楠;陈小松;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及有机半导体技术领域，公开了一种有机场效应晶体管，包括栅极、源极、漏极、介电层和有机半导体层；其中，所述有机半导体层包括纳米粒子，所述纳米粒子在有机半导体层中分布均匀且不连续，所述纳米粒子体积占有机半导体层体积的本发明在有机半导体层的有机半导体薄膜表面或薄膜内部引入微量的纳米粒子，纳米粒子均匀且不连续，不会影响有机半导体薄膜本身的电学性能。有机半导体薄膜的晶界、位错、层错以及表面等被纳米粒子钉扎，导致有机半导体薄膜聚集态结构变化的势垒增加，从而增强其聚集态稳定性，进而大幅增加有机场效应晶体管的最高工作温度以及储存寿命。
一种有机场效应晶体管

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