专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种植物防腐剂-CN201710058104.1在审
  • 徐斌;蔡梦可;郑宏兵;张利萍;李卫东 - 安徽农业大学
  • 2017-01-23 - 2017-06-13 - B27K3/02
  • 本发明公开了一种植物防腐剂,它是以耐腐蚀木材为原料,经过提取处理所得的产物。本发明植物防腐剂来源于木材本身,安全、环保、可靠,符合现代社会的发展理念。本发明植物防腐剂可以使用安哥拉紫檀等硬重种木材的加工剩余物为原料,用来替代和部分替代现有的合成类木材防腐剂,将会促进人居和生态环境的改善,对延长加工产业链,提高资源利用率,挖掘其深层次的利用价值,也具有极其重要的理论价值与生产指导意义
  • 一种植物防腐剂
  • [发明专利]一种晶体管和半导体器件及其制作方法-CN201110192592.8在审
  • 闫江;赵利川 - 中国科学院微电子研究所
  • 2011-07-11 - 2013-01-16 - H01L21/28
  • 该制作晶体管的方法,包括下列步骤:在半导体衬底上确定有源区,在有源区上形成伪栅叠层、围绕所述伪栅叠层的主侧墙、围绕所述主侧墙的绝缘层,并且形成嵌于所述有源区内的漏区;去除所述伪栅叠层中的伪栅极,形成由主侧墙包围的第一凹入部分;在所述第一凹入部分和贯穿所述绝缘层的漏接触孔中同时填充铜而形成栅极和漏接触。通过在“替代栅极”结构中对于栅极、漏接触孔同时填充金属铜,减小了“替代栅极”工艺中栅极串联电阻和漏接触孔电阻,同时提高了小尺寸情况下金属填充的效果,并有效地减小了工艺复杂度和难度。
  • 一种晶体管半导体器件及其制作方法
  • [发明专利]半导体器件的制造方法-CN201610390729.3有效
  • 安正烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2016-06-03 - 2020-10-27 - H01L27/11551
  • 一种半导体器件的制造方法,该方法包括以下步骤:在基板上方顺序地堆叠由彼此不同的材料形成的极牺牲层、上保护层和刻蚀阻挡层;在所述刻蚀阻挡层上方交替地堆叠层间介电层和栅极牺牲层;形成穿透所述层间介电层和所述栅极牺牲层的第一狭缝,其中,所述第一狭缝的底面被设置在所述刻蚀阻挡层中;通过所述第一狭缝用栅极导电图案来替代所述栅极牺牲层;形成从所述第一狭缝通过所述刻蚀阻挡层和所述上保护层延伸到所述极牺牲层的第二狭缝;以及通过所述第二狭缝用第一极层来替代所述极牺牲层
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]高效可替代/可更换供电UPS系统-CN200780052897.0无效
  • 杰克·H·波切特;彼得·A·潘菲尔;杰弗里·M·鲍威尔 - 力博特公司
  • 2007-12-18 - 2010-03-31 - H02M7/00
  • 本发明提供了一种高效可替代能量不间断电源(UPS)系统,该系统具有耦合到电负载的第一主电源,该系统包括:第二电源,其源于存储的能量并耦合到电负载,该第二电源适于补充该第一主电源,且将存储能量的功率调节成用于该电负载的预定条件;自动转换开关(ATS),其耦合在第一主电源和第二电源之间,且适于当第一主电源功率不符合用于电负载的预定条件时控制耦合到该电负载的第一主电源;以及可替代能量,其耦合在ATS的下游并耦合到第二电源、电负载或其组合,其中可替代能量包括直流(DC)电源。
  • 高效替代更换供电ups系统
  • [发明专利]一种金属栅极的制作方法-CN201010610018.5有效
  • 鲍宇;蒋莉 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2010-12-28 - 2012-07-11 - H01L21/28
  • 一种金属栅极的制作方法:在提供的半导体衬底上形成栅氧化层和替代栅极后,在替代栅极两侧形成侧壁层;以侧壁层和替代栅极为掩膜,对半导体衬底进行离子注入形成漏区;在半导体衬底、侧壁层及替代栅极表面沉积接触刻蚀停止层;在接触刻蚀停止层沉积第一金属前介质层后,所沉积的第一金属前介质层高度超过替代栅极表面,抛光至接触刻蚀停止层停止,在同一平面上的第一金属前介质层表面和接触刻蚀停止层表面形成台阶;在第一金属前介质层表面和接触刻蚀停止层表面沉积第二金属前介质层,完全覆盖所述台阶后,再次抛光至替代栅极表面;刻蚀掉替代栅极得到替代栅极沟槽,在替代栅极沟槽填充金属栅极。
  • 一种金属栅极制作方法
  • [发明专利]适用于无线传感器网络的干扰环境中的路由恢复方法-CN201210219628.1有效
  • 朱燕民;李清华 - 上海交通大学
  • 2012-06-28 - 2012-10-24 - H04W4/06
  • 一种适用于无线传感器网络的干扰环境中的路由恢复方法,将检测出的所有被干扰节点当作因能量耗尽而失效的节点对待,边界节点发送被干扰的通知给正常节点,通知正常节点在节点与目的节点之间的部分路径因干扰失效,正常节点重新进行全局的路由发现过程,在排除被干扰节点的情况下找出新的全网中最优路由;或者,利用被干扰区域附近的节点作为被干扰节点的替代者,在替代者中寻找并建立一条新的替代路径,从而恢复节点与目的节点间的路由;或者,运用抗干扰方法恢复被干扰节点的通信能力,继续作为中转节点在节点与目的节点之间转发数据包。
  • 适用于无线传感器网络干扰环境中的路由恢复方法
  • [发明专利]具有低pH值用于熟料替代材料的活化剂-CN201680034702.9在审
  • M.本哈哈;T.林克;F.贝尔曼;H-M.路德维希 - 海德堡水泥公司
  • 2016-06-14 - 2018-02-27 - C04B7/345
  • 本发明涉及用于熟料替代材料、包含反应性贝利特的活化剂,所述活化剂可通过在100至300℃的温度下在高压釜中对含有CaO和SiO2的起始材料进行水热处理并且在350至495℃下回火所得中间产物来获得;基于熟料替代材料且反应性贝利特作为活化剂的水硬性粘合剂,所述活化剂可通过在100至300℃的温度下在高压釜中对含有CaO和SiO2的起始材料进行水热处理并且在350至495℃下回火所得中间产物来获得;以及通过添加反应性贝利特来活化熟料替代材料的方法,所述反应性贝利特可通过在100至300℃的温度下在高压釜中对含有CaO和SiO2的起始材料进行水热处理并且在350至495℃下回火所得中间产物来获得;以及含有所述反应性贝利特的材料作为活化剂的用途。
  • 具有ph用于熟料替代材料活化剂

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