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[实用新型]利用多棱镜扫描技术进行曝光的PCB曝光设备-CN201620060014.7有效
发明人：赵华;张伟;徐巍;王翰文;马汝治 -专利权人：江苏影速光电技术有限公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利用多棱镜扫描技术进行曝光的PCB曝光设备，包括工件传输定位系统、多棱镜曝光系统、设备基础底座，所述的工件传输定位系统与设备基础底座之间放置被曝光工件，被曝光工件倾斜放置于设备基础底座并且垂直于工件传输定位系统，被曝光工件两侧对称布置有多棱镜曝光系统，所述的被曝光工件为PCB板。本实用新型在工件传输定位系统与设备基础底座之间放置被曝光工件，被曝光工件两侧对称布置有多棱镜曝光系统，被曝光工件为PCB板，这样的对称布置在PCB板两侧，被曝光工件与设备基础底座具有倾斜角度，PCB板沿倾斜角度方向运动，对PCB板进行双面曝光，而且可以对多个PCB板进行双面曝光。
利用多棱镜扫描技术进行曝光 pcb 设备

[发明专利]一次扫描两个普通曝光区域的曝光方法-CN200310122903.9无效
发明人：姚峰英 -专利权人：上海华虹（集团）有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2003-12-27 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明属于集成电路制造工艺中的光刻曝光技术领域，具体为一种一次扫描两个普通曝光区域的曝光方法。为了扩展光学光刻技术的最小线宽、延长现有光刻设备的技术使用寿命，在关键层次采用两次曝光技术是非常有吸引力的，但其代价是需要用两块版分别对同一层曝光两次，使曝光时间加倍，机器效率减半，此外还有两次曝光存在对准难的问题因此两次曝光技术仍然没有为大生产所采用。为了提高两次曝光的效率，本发明提出了一种新的曝光方法，具体是在一次扫描曝光中完成普通曝光时要两次扫描才能完成的两个区域的曝光。新的曝光方法大大提高了两次曝光技术的工作效率，使其接近一次曝光从而能够被用于大生产中，具有广阔的应用前景。
一次扫描两个普通曝光区域方法

[发明专利]全息光栅制作中实时监测曝光量的方法-CN200810187608.4无效
发明人：李文昊;巴音贺希格;齐向东;唐玉国;孔鹏 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2008-12-29 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G03H1/04 文献下载
摘要：全息光栅制作中实时监测曝光量的方法，属于光谱技术领域中涉及的一种全息光栅制作中实时监测曝光量的方法。要解决的技术问题是提供一种全息光栅制作中曝光量实时监测的方法。技术方案为步骤一，配备一套全息光栅曝光装置；步骤二，配备一套精确控制全息光栅曝光量实时监测装置；步骤三，潜像光栅的制备并进行曝光量的实时监测；步骤四，确定曝光截止点。本发明在曝光过程中引入实时监测技术确定曝光截止点是一种简便有效的手段，使用曝光实时监测装置可以快速、精确地控制全息光栅曝光量，进而准确地确定最佳的曝光截止点，为全息光栅曝光工艺提供科学的理论指导和实验依据
全息光栅制作实时监测曝光方法

[发明专利]一种曲面产品的曝光设备-CN201610831356.9有效
发明人：秦文杰 -专利权人：伯恩高新科技（惠州）有限公司
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： G03B27/58 文献下载
摘要：本发明涉及曝光设备技术领域，尤其涉及一种曲面产品的曝光设备，包括上顶面为曲面的曝光底座、设置于所述曝光底座上顶面的柔性胶片、吹气装置和曝光装置；所述吹气装置的吹气方向往下并朝向所述曝光底座上顶面的坡面；所述曝光装置包括移动组件、固定设置于所述移动组件下方的曝光灯和上下活动设置于所述移动组件上的吸笔组件；所述移动组件可相对于所述曝光底座移动，且始终位于所述曝光底座的上方。本发明的发明目的在于提供一种曲面曝光设备，采用本发明提供的技术方案将胶片材质改成柔性材质代替玻璃材质，同时通过吹气方式完成胶片与曝光产品的贴合，解决了现有曝光设备无法完成曲面产品曝光加工的技术问题。
一种曲面产品曝光设备

[发明专利]数据曝光方法、装置、设备及存储介质-CN202210158389.7在审
发明人：吕大龙;邹昆伦 -专利权人：平安科技（深圳）有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G06F16/34 文献下载
摘要：本发明涉及人工智能技术，揭露了一种数据曝光方法，包括：从获取的曝光数据请求中解析得到曝光目标以及每个曝光目标对应的曝光数据内容；根据曝光数据内容生成每个曝光目标的唯一标识；根据唯一标识筛除曝光目标中不存在于预设的曝光容器内的曝光目标，得到第一筛选目标；获取每个第一筛选目标的曝光面积，筛除曝光面积大于预设面积的第一筛选目标，得到第二筛选目标；获取预设的曝光记录队列，根据曝光记录队列筛除第二筛选目标中已进行曝光的目标，得到待曝光目标；对待曝光目标进行视图曝光。此外，本发明还涉及区块链技术，曝光数据请求可存储于区块链的节点。本发明还提出一种数据曝光装置、设备及介质。本发明可以提高数据曝光精确度。
数据曝光方法装置设备存储介质

[发明专利]超高深宽比图形的光刻工艺方法-CN202110011356.5有效
发明人：程宇;纪明岐;朱至渊;李玉华;吴长明;姚振海;金乐群 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高深宽比图形的光刻工艺方法，对光刻图形采用以双重曝光技术为基础，同时采用单次曝光对焦增强技术对图形进行曝光，最后形成超高深宽比的图形。本发明通过双重曝光技术及单次曝光对焦增强技术的叠加效应，结合强力曝光后烘烤，将两次曝光的投影叠加在一起，最终形成了超高深宽比的光刻图形。
高深图形光刻工艺方法

[发明专利]一种无掩模光刻技术的曝光方法-CN201010127390.0无效
发明人：庞微 -专利权人：芯硕半导体(中国)有限公司
申请日： 2010-03-16 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种无掩模光刻技术的曝光方法，涉及光刻技术领域。本发明利用空间光调制器(SLM)调制产生的“数字掩模”经二维交叠(X方向左右交叠和Y方向上下交叠)形成目标曝光图形，交叠处曝光图形的曝光能量为梯度变化叠加，从而获得高质量目标曝光图形。本发明提出的曝光方法解决了无掩模光刻曝光技术中的拼接问题，大大减小了曝光图形的拼接误差，同时改善了因畸变原因而导致曝光图形异常的现象。
一种无掩模光刻技术曝光方法

[发明专利]一种厚光阻的多重曝光方法-CN200910055190.6无效
发明人：陈蕾;赖强;鲍晔;胡林;周孟兴 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-07-22 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种用于厚光阻的多重曝光方法，属于光刻技术领域。本发明曝光方法中，通过N(N为大于或等于2的整数)次曝光对厚光阻的同一预定区域曝光，每次曝光的曝光能量小于厚光阻单次曝光的光刻技术的曝光能量的N分之一。使用该发明的曝光方法对厚光阻进行曝光时，具有成像质量高、光刻机寿命长的特点。
一种厚光阻多重曝光方法

[发明专利]光刻曝光方法-CN202011414133.5有效
发明人：周曙亮;赵潞明;吴长明;姚振海;金乐群;李玉华 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光刻曝光方法。所述光刻曝光方法包括：将晶片的目标面划分为曝光阵列，所述曝光阵列包括若干个曝光区域；确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域；依次对所述其他曝光区域分别进行多次光刻曝光，在所述其他曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形；对所述目标量测曝光区域进行单次光刻曝光，在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形。本申请提供的光刻曝光方法，可以解决相关技术中在开始进行光刻曝光的前期，因光学系统温度不稳定，导致机台对光刻表现的判断的问题。
光刻曝光方法

[发明专利]基于最优曝光的最小包围曝光集合获取方法-CN201710659897.2有效
发明人：白本督;赵金波;肖照;李映;范九伦 -专利权人：西安邮电大学;西北工业大学
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H04N5/217 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于最优曝光的最小包围曝光集合获取方法，用于解决现有最小包围曝光获取方法合成的高动态范围图像成像质量差的技术问题。技术方案是采用Debevec&Malik相机响应函数获取方法，依次获取不同曝光下的辐照度范围，建立目标场景最优曝光与相机可捕获曝光中相应曝光对应关系，遍历相机标准曝光序列，求出相机标准曝光序列中对应于目标场景地最小包围曝光图像集合，由目标场景的最优曝光时间按照曝光步数差，计算基于目标场景最优曝光的最小包围曝光图像集合；得到的曝光集合中包括含有目标场景有用信息最多的最优曝光，既保证了成像质量又有效减少了曝光集合中冗余信息和捕获图像集合的总耗时
基于最优曝光最小包围集合获取方法

[实用新型]一种曲面产品的曝光设备-CN201621065812.5有效
发明人：秦文杰 -专利权人：伯恩高新科技（惠州）有限公司
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： G03B27/58 文献下载
摘要：本实用新型涉及曝光设备技术领域，尤其涉及一种曲面产品的曝光设备，包括上顶面为曲面的曝光底座、设置于所述曝光底座上顶面的柔性胶片、吹气装置和曝光装置；所述吹气装置的吹气方向往下并朝向所述曝光底座上顶面的坡面；所述曝光装置包括移动组件、固定设置于所述移动组件下方的曝光灯和上下活动设置于所述移动组件上的吸笔组件；所述移动组件可相对于所述曝光底座移动，且始终位于所述曝光底座的上方。本实用新型的发明目的在于提供一种曲面曝光设备，采用本实用新型提供的技术方案将胶片材质改成柔性材质代替玻璃材质，同时通过吹气方式完成胶片与曝光产品的贴合，解决了现有曝光设备无法完成曲面产品曝光加工的技术问题
一种曲面产品曝光设备

[发明专利]一种曝光距离调整方法及装置-CN201710596794.6有效
发明人：王辉;王志强;郭光龙;唐星;廖务义 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提出一种曝光距离调整方法及装置，其中，曝光距离调整方法包括：根据玻璃基板厚度，设定探测器的探测范围，若所需的目标曝光间距处于探测范围外，设定处于探测范围内的中介曝光间距。并在控制探测器依据探测范围探测曝光距离的过程中，控制曝光机调整曝光距离，直至探测器探测到的曝光距离达到中介曝光间距。再根据目标曝光间距与中介曝光间距的差值，继续控制曝光机调整曝光距离，以使调整后的曝光距离达到目标曝光间距。因此，可以通过设定排除玻璃厚度干扰波的探测范围，避免了探测器宕机情况的出现，从而实现了薄玻璃基板情况下的曝光距离调整。解决了现有技术中接近式曝光机难以完成薄玻璃基板的曝光工艺的技术问题。
曝光距离探测曝光探测器薄玻璃基板曝光机中介接近式曝光控制探测器玻璃基板曝光工艺干扰波宕机玻璃

[发明专利]一种曝光参数调整方法、装置和可读介质-CN201810540390.X有效
发明人：刘淼;孙杰 -专利权人：北京图森未来科技有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H04N5/235 文献下载
摘要：本发明公开了一种曝光参数调整方法、装置和可读介质，属于图像处理技术领域，本发明提供的方法及装置中，确定当前帧图像的曝光评估值，并根据所述曝光评估值确定当前帧图像的曝光状态；获取上一帧图像的曝光状态及基于上一帧图像的曝光状态调整的曝光参数及调整方向；并根据当前帧图像的曝光状态和上一帧图像的曝光状态，确定曝光参数调整类型；并根据所述曝光参数调整类型和基于上一帧图像的曝光状态调整的曝光参数及调整方向，对当前的曝光参数进行调整。利用上述方法调整当前的曝光参数，相比于现有技术中只通过当前帧图像的曝光状态来调整曝光参数来说，有效防止了震荡现象的发生，同时也保证了图像质量。
帧图像曝光状态曝光参数曝光参数调整调整方向可读介质图像处理技术方法调整震荡现象曝光评估图像保证

[发明专利]一种利用脉冲激光精确控制曝光时间的方法-CN200810224500.8无效
发明人：刘世炳;黄永光;宋海英 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2008-10-17 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明是一种利用脉冲激光精确控制曝光时间的方法，用于微细加工技术领域。在曝光加工领域中随着对加工精度的要求不断提高，对曝光时间或曝光剂量的控制要求越来越高，传统的机械快门控制曝光时间或者曝光剂量的方法很难满足对极小曝光剂量的要求。本发明利用脉冲激光进行曝光时间的控制，使得对曝光时间的控制精确到了飞秒量级，结合多脉冲技术可以实现从飞秒量级到秒量级的曝光时间的精确控制。
一种利用脉冲激光精确控制曝光时间方法

[发明专利]一种曝光设备-CN202010843168.4在审
发明人：吴景舟;陈国军;马骏;马迪 -专利权人：江苏迪盛智能科技有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种曝光设备，包括用于放置被曝光物体的曝光平台和可相对曝光平台运动的曝光器，曝光器相对曝光平台的运动方向包括曝光方向和步进方向；曝光器沿曝光方向运动时，对被曝光物体进行曝光，曝光器沿步进方向运动时，改变被曝光物体上的曝光区域；曝光器包括至少一组曝光头组，曝光头组包括至少两个沿步进方向同中心布置的曝光头，曝光头包括用于发射光线的光源和用于聚焦光线的镜头。区别于现有技术，在沿曝光器的步进方向上布置至少两个曝光头，使得曝光器在沿曝光方向运动时可以有至少两个曝光头同时进行曝光，提高了曝光的效率。
一种曝光设备

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