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[发明专利]光刻补偿方法、装置、计算机设备、存储介质-CN202310007116.7在审
发明人：李玲 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：所述方法包括：获取至少一个曝光区域的图形偏移量，每个所述曝光区域的图形偏移量是根据目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量确定的，所述刻蚀倾斜量用于表征刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离；分别根据各个所述曝光区域的图形偏移量，对待刻蚀晶圆中对应区域的曝光位置进行补偿。采用本方法能够改善图形倾斜造成影响。
光刻补偿方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]图形形成方法-CN02148238.1无效
发明人：远藤政孝;笹子胜 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-09-13 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种图形形成方法，在衬底上形成由化学放大型抗蚀剂构成的抗蚀剂膜后，选择性地对该抗蚀剂膜照射曝光光来进行图形曝光。将经过图形曝光的抗蚀剂膜放置(暴露)于显影液中，使用碱性漂洗液对该抗蚀剂膜进行漂洗，形成由抗蚀剂膜构成的抗蚀剂图形。
图形形成方法

[发明专利]多层矢量图形存储为曝光数据的方法及系统-CN201310520091.7在审
发明人：刘涛;赵飞;李显杰 -专利权人：天津芯硕精密机械有限公司
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层矢量图形存储为曝光数据的方法，包括：将待曝光的多层矢量图形栅格化;将栅格化后的所述多层矢量图形数字化；将数字化后的所述多层矢量图形，利用八叉树分割法分割，对分割后的多层矢量图形数据，相应地，本发明还公开了一种多层矢量图形存储为曝光数据的系统，本发明的有益效果为，本发明通过将多层矢量图形存储为曝光数据的方法及系统，解决了现有技术中由于多层矢量图形为多层，从而不能准确存储，进而无法准确光刻的问题
多层矢量图形存储曝光数据方法系统

[发明专利]光学邻近修正方法-CN202111630338.1在审
发明人：严中稳;刘娜 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干目标图形；获取初始版图，所述初始版图包括与若干目标图形对应的若干初始图形；对所述初始版图进行曝光处理，获取初始曝光版图；对比所述初始曝光版图与所述目标版图，获取所述初始曝光版图中的若干缺陷，并获取所述若干缺陷对应的若干边缘放置误差；根据所述若干边缘放置误差，在若干初始图形中获取若干待偏移图形；基于各待偏移图形对应的若干边缘放置误差，偏移各待偏移图形，形成初始修正版图；对所述初始修正版图进行若干次局部光学邻近修正，获取修正版图，以减少局部光学邻近修正中的EPE缺陷，提高修正版图的图形精度。
光学邻近修正方法

[发明专利]半导体器件和固体摄象器件的制造方法-CN03158585.X有效
发明人：板野哲也;乾文洋;小仓正德 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2003-09-19 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在存在着具有跨越和不跨越连接位置的区域的布线层的半导体器件中，由于在用连接曝光形成具有跨越连接位置的区域的布线层时，考虑对准裕度进行图形形成，故比起用成批曝光工艺形成的情况来，在布线宽度、布线间间隔方面是不利的在具有多个布线层的半导体器件的制造方法中，其特征在于：第1布线层，采用把所希望的图形分割成多个，把上述分割后的图形彼此连接起来进行曝光的办法进行图形形成，第2布线层，采用用成批曝光工艺的办法进行图形形成
半导体器件固体器件制造方法

[发明专利]用于半导体器件中的曝光掩模-CN95120485.8无效
发明人：文承灿 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-12-25 - 公布日： 1999-10-13 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种用于半导体器件的曝光掩模，其位于掩模中间部分的重复图形具有最小的线／间距宽度，位于掩模外围部分的重复图形具有较大的线／间距宽度，不一致图形的间距宽度比最小间距宽度大，以及独立图形的线宽比最小线宽大。具有这种结构的曝光掩模能够克服因按照改进的照视法曝光后光刻胶材料残存引起的短路及因过度曝光引起的断路，从而形成一个精确的细微图形，并增加了加工的冗余度，因此在生产效率和操作可靠性方面得到了改进。
用于半导体器件中的曝光

[发明专利]一种DMD多区域激光投影系统及曝光方法-CN201811151981.4有效
发明人：张雷 -专利权人：苏州源卓光电科技有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种DMD多区域激光投影系统及曝光方法，包括DMD控制系统、光学系统、掩膜板、分图系统及运动控制系统，本发明在单个DMD上显示多个曝光图形，配合光学系统，把多个曝光图形映射到掩膜板的不同曝光区域进行曝光，整个系统可以使用单个DMD或多个DMD同时曝光，按此发明的方法曝光可以快速提高曝光整体时间，同时又节约DMD的物料成本。
一种 dmd 区域激光投影系统曝光方法

[发明专利]一种可提高工艺套准精度的曝光方法-CN201210343659.8无效
发明人：朱骏;张旭昇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种可提高工艺套准精度的曝光方法，包括以下顺序步骤：首先使用第一曝光图形对硅片光刻曝光，再用第二曝光图形对硅片光刻曝光，使得硅片表面形成相间隔分布的图案单元，所述第一曝光图案和第二曝光图案制在同一掩模板上本发明提供的方法能解决步进式重复曝光光刻机镜头不均匀受热问题，从而减少镜头热学形变，提高了工艺套准精度。
一种提高工艺精度曝光方法

[发明专利]减小曝光图形宽度的光刻方法-CN200810041141.2无效
发明人：冯士祯;崔彰日 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-07-29 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种减小曝光图形宽度的光刻方法，包括如下步骤：提供表面具有光刻胶层的半导体衬底；对光刻胶层进行曝光，在光刻胶层中定义图形；采用含三价态氮原子的钝化剂与曝光后的光刻胶层发生钝化反应，钝化剂中的三价态氮原子与存在于光刻胶层曝光部分表面的氢离子结合，在光刻胶层曝光部分表面及侧面形成包覆层；对钝化后的光刻胶层进行显影处理，除去光刻胶层中的未曝光部分，保留包覆层和被包覆层包裹的光刻胶层中的曝光部分。本发明的优点在于，采用含有三价态氮原子的钝化剂对光刻胶曝光部分表面以及侧面的氢离子结合，形成包覆层，降低未曝光部分的图形宽度，突破了波长对最小宽度的限制，可以得到具有更小宽度的图形。
减小曝光图形宽度光刻方法

[发明专利]一种具有图形锁定功能的激光干涉光刻系统-CN201310017803.3有效
发明人：张鸣;朱煜;王磊杰;刘召;杨开明;胡金春;尹文生;穆海华;胡楚雄;徐登峰;成荣 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种具有图形锁定功能的激光干涉光刻系统，包括激光器、反射镜、分束器、基底台、基底和图形锁定装置；激光器出射的激光经分光镜分为曝光光束和参考光束，曝光光束经分束器后利用反射镜折光在基底台承载的基底上实现干涉，干涉图形通过曝光基底实现图形记录转移；为防止曝光期间图形漂移，光刻系统利用图形锁定装置进行图形锁定。图形锁定装置包括零差相位计、电子信号处理部件、控制器、驱动器、相位调制执行器，零差相位计测量图形相位漂移，经电子信号处理部件反馈至控制器，控制器经驱动器控制相位调制执行器实现相位锁定。该激光干涉光刻系统具有结构简洁、图形锁定精度高等优点，是实现大面积高精度光栅制造的关键系统。
一种具有图形锁定功能激光干涉光刻系统

[发明专利]一种绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法-CN201310090689.7有效
发明人：谢红;王浩敏;孙秋娟;刘晓宇;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法，所述电子束曝光图形化方法包括以下步骤：1）提供一绝缘衬底；2）在所述绝缘衬底上旋涂电子束光刻胶；3）在所述电子束光刻胶上表面形成金属薄膜；4）进行电子束曝光得到所需光刻图形；5）在得到的光刻图形上沉积金属层，形成金属电极；6）剥离，去除光刻胶及多余金属后得到所需金属图形。本发明采用双层电子束光刻胶进行曝光，显影可以获得有利于后续金属剥离工艺的undercut结构，在双层胶上蒸发不连续的金属薄膜，再进行电子束曝光，能有效地将绝缘衬底表面的电荷导走，形成精确的曝光图形。本发明提供的图形化技术适用于各种绝缘衬底上的微纳器件加工工艺，克服了现有技术中的缺点而具高度产业利用价值。
一种绝缘衬底电子束曝光图形方法

[发明专利]光学曝光方法及其用于制备硅材料竖直中空结构的方法-CN201110363182.5有效
发明人：顾长志;田士兵;李俊杰;夏晓翔;杨海方 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种用于形成微纳空穴结构的光学曝光方法，包括以下步骤：1)选取具有掩膜图形的掩膜板，所述掩膜图形为能通过光照产生泊松亮斑的几何实心图形或其阵列；2)将掩膜板设置于待曝光的正光刻胶的上方进行曝光，其中图形阴影部分后的泊松亮斑同样曝光；3)显影，在所述正光刻胶上得到具有与所述泊松亮斑相应的空穴的图形。通过该方法可以制备出长径比为可控的硅管状结构阵列，这种曝光技术不仅大大提高实验室光学掩膜曝光的极限尺寸，并突破了利用干涉曝光只能得到周期型线条和点阵的局限，大大节约了成本以及丰富了试验工艺。
光学曝光方法及其用于制备材料竖直中空结构

[发明专利]高密度互连板制造方法-CN202010255941.5有效
发明人：任城洵;黄俊;王波;陈龙;冯汝良;吴茂林;罗凌杰;刘爽;赵黄盛 -专利权人：深圳市景旺电子股份有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本申请涉及高密度互连板制造技术领域，提供一种高密度互连板制造方法，包括料材预备、内层曝光、内层蚀刻、压合芯板、激光钻孔和外层曝光步骤，在内层曝光步骤中，于第2互连芯板的上基面固化形成至少三个标靶保护膜；在内层蚀刻步骤中，于标靶保护膜对应位置处形成定位标靶图形；在激光钻孔步骤中，于第1铜箔薄片的上基面钻出标靶外露孔；在外层曝光步骤中，识别并抓取定位标靶图形并对第1铜箔薄片的上基面进行曝光作业。高密度互连板制造方法在激光钻孔和外层曝光步骤中所采用的定位标靶一致，可有效避免外层图形与激光盲孔出现对位偏差，定位标靶图形通过蚀刻形成，形状规则，利于识别并抓取，避免了曝光拒曝、图形偏位及崩孔问题。
高密度互连制造方法

[发明专利]扫描曝光方法以及装置制造方法-CN200510093213.4无效
发明人：香田徹;筒井慎二 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2003-06-27 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： G03F9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种扫描曝光方法，用于利用弧形照射光照射掩膜上的图形，并且用于将由照射光学系统照射的掩膜上的图形投影到板片上，扫描曝光设备相对于投影光学系统同步扫描掩膜和板片，所述方法包括如下步骤：曝光焦距测量图形掩膜；由板片上的焦距测量图形图像的光强度或分辨率性能，测量特定区域的聚焦位置；线性内插测量结果并确定图像平面位置；计算用于倾斜掩膜和/或板片的倾斜角度，使得将板片表面置于图像表面位置的聚焦平面中；根据计算的数据，校正掩膜托架和/或板片托架的倾斜；以及曝光实际的掩膜。本发明还提供了一种装置制造方法包括如下步骤：使用上述扫描曝光方法将装置图形曝光到板片上，并将已被曝光的板片显影。
扫描曝光方法以及装置制造

[发明专利]凸点光刻机的曝光方法-CN200710040350.0有效
发明人：姚名;何乐;陈敏;王彦麟 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种凸点光刻机的曝光方法，该方法首先获取前道工序晶圆片信息及曝光场数据，并通过覆盖式优化图形规划，将若干个前道曝光场合并扩大成新的后道曝光场，最后在所述覆盖式优化图形规划的基础上，对曝光场分布中新的曝光场进行曝光路径规划和批处理流程规划与现有技术相比，采用本发明的凸点光刻机的曝光方法能够提高凸点光刻机的曝光产率。
光刻曝光方法