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[发明专利]发光装置-CN201610837538.7在审
发明人：苏柏仁;李允立;施怡如;陈正言;许国君 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2012-03-05 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种发光装置，包括一绝缘基板、多个发光二极管芯片以及一图案化导电层。绝缘基板具有一上表面。发光二极管芯片配置于绝缘基板上，且位于上表面上。发光二极管芯片的主要发光波长在一特定色光的波长范围内，且至少有两个发光二极管芯片的主要发光波长不同。图案化导电层配置于绝缘基板与发光二极管芯片之间，且与发光二极管芯片电性接触。
发光装置

[发明专利]半导体器件结构，制备方法及电子设备-CN202110027472.6在审
发明人：李学会;魏炜;刘诚;孙军;温正欣;和巍巍;汪之涵;傅俊寅 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2021-01-10 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件结构，制备方法及电子设备，所述半导体器件结构包括绝缘栅双极型晶体管芯片和肖特基二极管芯片，所述绝缘栅双极型晶体管芯片和肖特基二极管芯片反并联合封设置，本申请实施例通过将绝缘栅双极型晶体管芯片与肖特基二极管芯片充分组合与利用
半导体器件结构制备方法电子设备

[发明专利]发光光源及其显示面板-CN201110396151.X有效
发明人：柯韦志;林睿腾 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种发光光源，包括蓝光二极管芯片、红光二极管芯片以及波长转换材料。蓝光二极管芯片发出第一光线，红光二极管芯片发出第二光线，其中第二光线的峰值强度与第一光线的峰值强度之比值落在0.36～0.56。波长转换材料配置于蓝光二极管芯片或红光二极管芯片的周边，其中波长转换材料可发出第三光线，且第三光线的波长介于第一光线的波长以及第二光线的波长之间。
发光光源及其显示面板

[发明专利]发光装置-CN201210055607.0无效
发明人：苏柏仁;李允立;施怡如;陈正言;许国君 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2012-03-05 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种发光装置，包括一绝缘基板、多个发光二极管芯片以及一图案化导电层。绝缘基板具有一上表面。发光二极管芯片配置于绝缘基板上，且位于上表面上。发光二极管芯片的主要发光波长在一特定色光的波长范围内，且至少有两个发光二极管芯片的主要发光波长不同。图案化导电层配置于绝缘基板与发光二极管芯片之间，且与发光二极管芯片电性接触。
发光装置

[实用新型]半导体器件结构及电子设备-CN202120057731.5有效
发明人：李学会;魏炜;刘诚;孙军;温正欣;和巍巍;汪之涵;傅俊寅 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2021-01-10 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件结构及电子设备，所述半导体器件结构包括绝缘栅双极型晶体管芯片和肖特基二极管芯片，所述绝缘栅双极型晶体管芯片和肖特基二极管芯片反并联合封设置，本申请实施例通过将绝缘栅双极型晶体管芯片与肖特基二极管芯片充分组合与利用
半导体器件结构电子设备

[实用新型]高可靠性双向TVS二极管-CN202021217733.8有效
发明人：张开航;马云洋 -专利权人：苏州秦绿电子科技有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高可靠性双向TVS二极管，包括：第一二极管芯片、第二二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线，所述第一二极管芯片、第二二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端位于环氧封装体内，所述第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端分别与第一二极管芯片、第二二极管芯片通过第一焊片层连接，此第一二极管芯片的正极与第二二极管芯片的负极通过第二焊片层电连接；所述第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端进一步包括端面板和位于端面板表面间隔分布的若干个凸柱本实用新型高可靠性双向TVS二极管有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并延长了芯片的使用寿命。
可靠性双向 tvs 二极管

[实用新型]一种双芯片的导热型贴片二极管-CN202020597014.7有效
发明人：马良君 -专利权人：东莞市中之电子科技有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型系提供一种双芯片的导热型贴片二极管，包括绝缘封装体，绝缘封装体中设有第一导电引脚和第二导电引脚，第一导电引脚下焊接有上二极管芯片，第二导电引脚上焊接有下二极管芯片，绝缘封装体中还设有呈C字形的绝缘散热架；绝缘散热架包括一体成型的夹层横板、支撑竖板和横垫板，夹层横板中设有导电通孔，导电通孔中设有导电连接层，上二极管芯片和下二极管芯片分别位于夹层横板的上下两侧，上二极管芯片和下二极管芯片均与导电连接层连接本实用新型集成了串联的两个二极管芯片，占用空间小，贴片二极管内部连接结构的可靠性高；两个二极管芯片之间的绝缘散热架能够有效提高两个二极管芯片的散热效率。
一种芯片导热型贴片二极管

[实用新型]一种功率模块及电子设备-CN202120543992.8有效
发明人：林苡任;史波;曾丹 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子技术领域，公开一种功率模块及电子设备，该功率模块，包括基板；设置在所述基板同侧的绝缘栅双极型晶体管芯片和快速恢复二极管芯片；形成在所述绝缘栅双极型晶体管芯片和所述快速恢复二极管芯片远离所述基板一侧的封装层；形成在所述封装层远离所述绝缘栅双极型晶体管芯片和所述快速恢复二极管芯片一侧的环氧树脂层，所述封装层的材料的热膨胀系数小于所述环氧树脂层的热膨胀系数；所述绝缘栅双极型晶体管芯片的栅极部分伸出所述封装层；位于所述环氧树脂层内的驱动芯片，所述驱动芯片与所述栅极伸出所述封装层的部分连接。
一种功率模块电子设备

[实用新型]一种准单片集成氮化镓功率倍增功率放大器-CN202221046251.X有效
发明人：吴健;王亚锋;陈耀;吴矗;张周平;蔡慧 -专利权人：深圳市万和科技股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H03F3/213 文献下载
摘要：本实用新型公开一种准单片集成氮化镓功率倍增功率放大器，包括设置于PCB板上的两个砷化镓HEMT管芯芯片、两个氮化镓FET管芯芯片、直流偏置及控制补偿模块、射频匹配模块、巴伦，所述PCB板设置有钼铜载体，两个所述砷化镓HEMT管芯芯片和两个所述氮化镓FET管芯芯片设置于于所述钼铜载体上。本实用新型采用钼铜载体作为砷化镓HEMT管芯芯片和氮化镓FET管芯芯片的载体，提高散热能力和接地性能，减少成本，采用砷化镓和氮化镓芯片以替代现有技术中的纯氮化镓技术，由于砷化镓PHEMT管芯芯片的成本远低于氮化镓芯片
一种单片集成氮化功率倍增功率放大器

[实用新型]一种键合型晶闸管芯片测试用适配器-CN201420650096.1有效
发明人：刘芹;高军;朱为为;邹冰艳 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-11-03 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：一种键合型晶闸管芯片测试用适配器，其包括上盖、门极组件、阴极钼片、定位环及底座。在进行芯片测试时，将结合门极组件的阴极钼片置于芯片的阴极面上，使门极组件与芯片同圆心后再压合，有效防止了因芯片在定位环内发生偏移而导致门极组件的顶针在芯片的中心门极区发生滑动而损伤芯片的中心门极区。
一种键合型晶闸管芯片测试适配器

[实用新型]一种匀胶机-CN201721132855.5有效
发明人：刘东 -专利权人：杭州西风半导体有限公司
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： B05C11/08 文献下载
摘要：采用本实用新型，提高了晶闸管芯片匀胶质量和效率。
一种匀胶机

[发明专利]发光二极管芯片模块-CN200710305561.2无效
发明人：黄崇仁;陈吉元;卢叔东 -专利权人：智仁科技开发股份有限公司
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管芯片模块，包括一发光二极管芯片以及一增亮膜。发光二极管芯片具有一出光面。增亮膜配置于出光面上。此发光二极管芯片模块能够提供较为集中的光束。
发光二极管芯片模块

[发明专利]具有在多层散热器支柱上方的倒装芯片管芯的系统级封装-CN202211508955.9在审
发明人： K·M·莱亚尔;J·米勒;M·罗伊;C·布莱尔 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本公开涉及一种具有在多层散热器支柱上方的倒装芯片管芯的系统级封装，系统级封装具有以下各项：具有第一基板和放置在第一基板上方的第一管芯的小芯片、第二管芯、小芯片和第二管芯放置在其上的第二基板，以及放置在小芯片和第二管芯上方的散热器扩散器本文中，第一基板包含耦合到第一管芯的分层蛋糕形状的散热器支柱，且第二基板包含耦合到小芯片和第二管芯的分层蛋糕形状的散热器支柱。因此，由第一管芯产生的热可由第一基板和第二基板内的散热器支柱耗散，并且由第二管芯产生的热可由第二基板内的散热器支柱耗散。此外，由第一管芯和第二管芯产生的热可由这些管芯上方的散热器扩散器耗散。
具有多层散热器支柱上方倒装芯片管芯系统封装

[发明专利]测试LED芯片参数的方法-CN201910660037.X有效
发明人：郑军;李琳琳;齐国健;闫宝华;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了测试LED芯片参数的方法，包括步骤：S1,对芯片进行半切操作，形成测试点；S2,对芯片进行参数测试，输出芯片参数测试结果及各参数的Mapping图；S3，全切，形成若干颗独立的管芯；S4,扩膜，使所述管芯之间产生间隙；S5，对应Mapping图，划定参数范围，并夹取划定范围内的管芯，放置到铜板上；S6,对管芯逐一进行扎测，输出单颗管芯参数测试结果；S7，将芯片参数测试结果与管芯参数测试结果进行对比通过对全切后的管芯进行扎测，将芯片测试参数与管芯扎测参数对比，提高了对芯片测试参数的准确性监控，保证了产品性能参数的准确性，提升产品可靠性。
测试 led 芯片参数方法

[发明专利]微发光二极管芯片和显示装置-CN201910333086.2有效
发明人：卢元达;马俊杰;岂林霞;杨山伟;翟明;李金鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种微发光二极管芯片和显示装置，涉及芯片设计技术领域，主要目的是在通过电流控制微发光二极管芯片的灰阶的过程中，使得微发光二极管芯片波长稳定，能够实现灰阶的正常显示和切换。本发明的主要技术方案为：微发光二极管芯片，包括：多个子芯片，多个所述子芯片并联设置，每个所述子芯片具有一个启亮电压，至少两个所述子芯片的所述启亮电压不同。本申请提供的微发光二极管芯片，在通过电流控制微发光二极管芯片的灰阶的过程中，使得在不同的驱动电压驱动的情况下，逐步改变芯片的亮度，且能够保证微发光二极管芯片的电流密度不变，从而在逐步改变芯片亮度的同时，
发光二极管芯片显示装置