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[实用新型]扁平式封装功率因数校正器-CN200920042168.3无效
发明人：沈富德 -专利权人：沈富德
申请日： 2009-03-25 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种扁平式封装功率因数校正器，包括电极、绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片、快恢复二极管芯片、连接铝线、门极引线、环氧树脂封装体，所述电极为四个电极，所述绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片设置在第一电极片上且绝缘栅双极功率管芯片的集电极或场效应晶体管芯片的漏极与该电极片电连接，绝缘栅双极功率管芯片的发射极或场效应晶体管芯片的源极通过连接铝线与第三电极片电连接，快恢复二极管芯片设置在第四电极片上且其正极与该电极片电连接，其负极通过连接铝线与第一电极片电连接，绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片的门极通过门极引线与第二电极片电连接
扁平封装功率因数校正

[实用新型]绝缘栅双极型晶体管装置及半导体芯片-CN202020415276.7有效
发明人：王咏;崔晓;方碧芹 -专利权人：广东芯聚能半导体有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种绝缘栅双极型晶体管装置及半导体芯片，包括底板、至少两个直接敷铜基板、至少两个绝缘栅双极型晶体管芯片、以及至少两个二极管芯片；直接敷铜基板设置于底板上，且每个直接敷铜基板上至少设置有一个绝缘栅双极型晶体管芯片和一个二极管芯片；二极管芯片相对设置，且至少两个直接敷铜基板上的绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片均呈镜像排布；直接敷铜基板上的绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片外围设置有绝缘沟槽，以划分出位于绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片与绝缘沟槽之间的散热区，且绝缘栅双极型晶体管与二极管芯片之间的散热区宽度大于预设宽度。上述绝缘栅双极型晶体管装置及半导体芯片散热性能好。
绝缘栅双极型晶体管装置半导体芯片

[实用新型]一种新型无底板功率模块-CN201020589818.9有效
发明人：姚礼军 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型无底板功率模块，包括绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片、绝缘基板、功率端子、功率圆柱、铝线和外壳。绝缘栅双极型晶体管芯片与二极管芯片回流焊接在绝缘基板导电铜层上，功率端子和功率圆柱接插配合，功率圆柱直接焊接在绝缘基板上。绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片之间、绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片与绝缘基板相应的导电层之间通过铝线键合来实现电气连接。
一种新型底板功率模块

[发明专利]整流芯片的封装结构-CN201810832964.0在审
发明人：何洪运;郝艳霞;刘玉龙;沈加勇 -专利权人：苏州固锝电子股份有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开一种整流芯片的封装结构，包括由环氧封装体包覆的第一、第二、第三、第四二极管芯片、正极金属条和负极金属条，所述第一二极管芯片和第二二极管芯片分别通过焊锡反向贴装于第一芯片基板和第二芯片基板上表面，所述第一二极管芯片的负极端、第二二极管芯片的负极端均通过第一连接片与正极金属条上表面电连接，所述第三二极管芯片的正极端、第四二极管芯片的正极端均通过第二连接片与负极金属条上表面电连接，所述第一二极管芯片、第二二极管芯片各自下方的第一芯片基板和第二芯片基板上分别设置有第一凹槽和第二凹槽。
二极管芯片芯片基板上表面焊料负极金属条正极金属条封装结构整流芯片电连接负极端连接片正极端环氧封装体包覆的短路焊锡贴装保证

[发明专利]多管芯阵列装置-CN201811560243.5在审
发明人：安托尼斯·亨德里库斯·尤立夫·坎菲斯;杰伦·约翰内斯·玛丽业·扎尔;约翰内斯·亨里克斯·约翰娜·詹森;阿马尔·阿肖克·马维库夫 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供各种实施例，包括制造多管芯封装的方法，所述方法包括：将多个倒装芯片管芯和分离器管芯放置在牺牲载体上；执行焊料回焊以将每个倒装芯片管芯和每个分离器管芯的焊料凸块接合到包括测试探针电路的所述牺牲载体；测试所述倒装芯片管芯和所述分离器管芯；替换任何故障管芯；将所述倒装芯片管芯和所述分离器管芯在所述牺牲载体上包覆成型以形成嵌入式管芯面板；将所述嵌入式管芯面板平坦化以暴露所述嵌入式管芯的背表面；跨越所述嵌入式管芯面板的所述背表面形成金属化层；以及移除所述牺牲载体以暴露所述嵌入式管芯面板的前表面，其中每个倒装芯片管芯和分离器管芯的每个焊料凸块的接触表面暴露于所述前表面中。
倒装芯片管芯管芯分离器管嵌入式焊料凸块背表面多管芯前表面暴露焊料包覆成型测试探针金属化层阵列装置接合平坦化回焊移除封装替换电路测试制造

[实用新型]能产生高显色性光线的照明装置-CN202220538866.8有效
发明人：卢福星;林智荣 -专利权人：厦门普为光电科技有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： F21V19/00 文献下载
摘要：一种能产生高显色性光线的照明装置，其包含底板、蓝光发光二极管芯片、紫光发光二极管芯片、及透镜及导热体。蓝光发光二极管芯片设置于底板上。紫光发光二极管芯片设置于底板上。透镜设置于底板上，以在底板与透镜间形成容置空间，使蓝光发光二极管芯片及紫光发光二极管芯片位于容置空间中，且透镜的内表面涂布有荧光粉。导热体与蓝光发光二极管芯片及紫光发光二极管芯片连接。
产生显色性光线照明装置

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管模块-CN201710046848.1在审
发明人：姚礼军 -专利权人：上海道之科技有限公司
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种绝缘栅双极型晶体管模块，包括绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片、绝缘基板、功率端子、功率圆柱、铝线、塑料外壳、硅凝胶、热敏电阻，所述的绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片和功率圆柱通过回流焊焊接在绝缘基板导电铜层上；绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片之间、绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片与绝缘基板相应的导电层之间均通过铝线键合来实现电气连接；塑料外壳和绝缘基板通过密封胶粘接；所述的绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片
一种绝缘栅双极型晶体管模块

[实用新型]绝缘栅双极型晶体管模块-CN201720081079.4有效
发明人：姚礼军 -专利权人：上海道之科技有限公司
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：绝缘栅双极型晶体管模块，包括绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片、绝缘基板、功率端子、功率圆柱、铝线、塑料外壳、硅凝胶、热敏电阻，所述的绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片和功率圆柱通过回流焊焊接在绝缘基板导电铜层上；绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片之间、绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片与绝缘基板相应的导电层之间均通过铝线键合来实现电气连接；塑料外壳和绝缘基板通过密封胶粘接；所述的绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片
绝缘栅双极型晶体管模块

[发明专利]晶闸管和热开关器件及其组装技术-CN201880015455.7有效
发明人：吉本浩一郎 -专利权人：力特有限公司
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：器件还可以包括晶闸管器件，晶闸管器件包括半导体管芯并且还包括栅极，其中晶闸管器件设置在中心部分上的引线框架的第一侧上。器件还可以包括电耦接到晶闸管器件的栅极的正温度系数(PTC)器件，其中PTC器件设置在引线框架的第一侧上的侧焊盘上；以及热耦合器，第一端连接到晶闸管器件，第二端附接到PTC器件。
晶闸管开关器件及其组装技术

[实用新型]一种新型大型异步电机软起动智能控制模块-CN201320097455.0有效
发明人：赵晨;吴明赞;宗慧雯;夏世超 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H02P1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型大型异步电机软起动智能控制模块，包括DSP芯片、晶闸管调压电路、双隔离电压同步检测环节、电流检测环节、电压检测环节、晶闸管驱动环节、低压电源；所述电流检测环节、电压检测环节将反馈量信号传至DSP芯片，双隔离电压同步检测环节将同步信号传向DSP芯片，DSP芯片与晶闸管驱动环节连接，晶闸管驱动环节驱动晶闸管调压电路向电机供电，低压电源向DSP芯片、晶闸管调压电路、双隔离电压同步检测环节、电流检测环节、电压检测环节、晶闸管驱动环节提供电源。
一种新型大型异步电机起动智能控制模块

[发明专利]多芯片半导体封装结构及封装方法-CN200610148239.9有效
发明人：王津洲 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种多芯片半导体封装方法，包括下列步骤：提供引线框架和至少两个芯片，所述引线框架包括管芯垫和位于管芯垫外围的引线，在管芯垫上有通孔且位于管芯垫边缘；将第一芯片的基底相对面与管芯垫粘合；穿过通孔将第一芯片与引线电连接；将第二芯片的基底面与管芯垫粘合，所述第二芯片与第一芯片位于管芯垫的相对面；将第二芯片与引线电连接；将其余芯片堆叠在第一芯片和第二芯片之上且与引线电连接；将至少两个芯片和引线框架封装成型。经过上述步骤，简化多芯片封装制程的效果，提升封装电路的密度；同时降低制造成本，并增强电路运作的性能。
芯片半导体封装结构方法

[发明专利]一种红外接收器-CN202010514449.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：杭州敏和光电子技术有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明公开一种红外接收器，包括光敏二极管芯片、三极管芯片、电阻、芯片载体和封装体，光敏二极管芯片、三极管芯片和电阻固设于芯片载体顶部，封装体包围芯片载体顶部，芯片载体的底部伸出封装体并设有控制脚、集电极引脚和发射极引脚，光敏二极管芯片和三极管芯片电性连接，电阻跨接在光敏二极管芯片的两个电极之间，三极管芯片分别与控制脚、集电极引脚和发射极引脚电性连接。
一种红外接收器

[实用新型]一种红外接收器-CN202021033601.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：杭州敏和光电子技术有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本实用新型公开一种红外接收器，包括光敏二极管芯片、三极管芯片、电阻、芯片载体和封装体，光敏二极管芯片、三极管芯片和电阻固设于芯片载体顶部，封装体包围芯片载体顶部，芯片载体的底部伸出封装体并设有控制脚、集电极引脚和发射极引脚，光敏二极管芯片和三极管芯片电性连接，电阻跨接在光敏二极管芯片的两个电极之间，三极管芯片分别与控制脚、集电极引脚和发射极引脚电性连接。
一种红外接收器

[实用新型]整流芯片的封装结构-CN201821193136.9有效
发明人：何洪运;郝艳霞;刘玉龙;沈加勇 -专利权人：苏州固锝电子股份有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开一种整流芯片的封装结构，包括由环氧封装体包覆的第一、第二、第三、第四二极管芯片、正极金属条和负极金属条，所述第一二极管芯片和第二二极管芯片分别通过焊锡反向贴装于第一芯片基板和第二芯片基板上表面，所述第一二极管芯片的负极端、第二二极管芯片的负极端均通过第一连接片与正极金属条上表面电连接，所述第三二极管芯片的正极端、第四二极管芯片的正极端均通过第二连接片与负极金属条上表面电连接，所述第一二极管芯片、第二二极管芯片各自下方的第一芯片基板和第二芯片基板上分别设置有第一凹槽和第二凹槽。
二极管芯片芯片基板上表面焊料本实用新型负极金属条正极金属条封装结构整流芯片电连接负极端连接片正极端环氧封装体包覆的短路焊锡贴装保证

[发明专利]光源装置-CN200510099065.7无效
发明人：陈荣耀 -专利权人：明基电通股份有限公司
申请日： 2005-09-06 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种光源装置，包括基板、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片、第三发光二极管芯片及光波导元件。第一发光二极管芯片设置于基板一侧，第二发光二极管芯片相对于第一发光二极管设置于基板另一侧。第三发光二极管芯片以位于第一发光二极管芯片及第二发光二极管芯片之间的方式设置于基板上。光波导元件设置于第三发光二极管上，并位于第一发光二极管芯片及第二发光二极管芯片之间。光波导元件用以从第一入光面、第二入光面及第三入光面对应地接收第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片及第三发光二极管芯片所发射的光线，并将所接收的光线进行混光，以在出光面发射出混光后的光线。
光源装置

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