“晶硅硼碳氮铝”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1080432个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种结合剂、聚晶立方氮化硼烧结体及其制备方法-CN201710946385.4在审
发明人：王丽娜;周青 -专利权人：河南海纳德新材料有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： C04B35/5831 文献下载
摘要：本发明提供一种结合剂、聚晶立方氮化硼烧结体及其制备方法，该结合剂包括金属铝、二氧化硅、碳氮化锆、二硼化钛和氮化钛，其中，金属铝和二氧化硅在烧结过程中发生反应形成氧化铝和硅单质，氧化铝的熔点远高于金属铝，硅单质又具有良好的导热性，如此，该结合剂可以有效克服金属结合剂和陶瓷结合剂的缺点，用于制备聚晶立方氮化硼烧结体过程中，可以有效提高刀具的硬度、韧性及导热性能，具有广阔的适应性。
结合剂聚晶立方氮化硼金属铝烧结体制备二氧化硅硅单质氧化铝导热性熔点金属结合剂陶瓷结合剂导热性能二硼化钛烧结过程碳氮化锆氮化钛刀具

[发明专利]一种非晶碳薄膜/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法-CN201710566633.2在审
发明人：姜礼华;谭新玉;肖婷;向鹏 -专利权人：三峡大学
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶碳薄膜/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法，该方法包括以下步骤清洗P型单晶硅片；以氢气稀释的硅烷为反应气体，P型单晶硅上表面沉积一层非晶硅薄膜；再以高纯甲烷和高纯氮气为反应气体，在非晶硅薄膜表面沉积一层掺氮非晶碳薄膜；再在非晶碳薄膜表面制备一层掺铝氧化锌透明导电薄膜；进一步在掺铝氧化锌透明导电薄膜表面制备银电极；然后在P型单晶硅下表面制备含有银铝复合电极的铝背表面场，获得电池；最后将获得的电池置于充满氩气的石英炉中进行热处理由该方法所制备的电池工艺简单且与当前硅异质结太阳能电池工艺相兼容，电池开路电压高、成本低，光电转换效率高。
一种非晶碳薄膜单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]氮掺杂P型单晶硅制造方法-CN202111153124.X在审
发明人：徐鹏;兰洵 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种氮掺杂P型单晶硅制造方法，包括：将高掺杂氮单晶与多晶硅投入坩埚并加热拉晶炉，得到第一硅熔体；向所述第一硅熔体加入高掺杂硼单晶，得到第二硅熔体；在所述第二硅熔体中以直拉法拉制氮掺杂P型单晶硅。根据本发明的氮掺杂P型单晶硅制造方法，使得氮和硼在较低的炉室温度下完全融入硅熔体，解决了炉室温度高，加热时间久的技术问题。同时，改变高掺杂硼单晶和高掺杂氮单晶的熔融顺序，以抑制氮化硼(BN)的形成导致拉晶失败的情况发生。
掺杂单晶硅制造方法

[发明专利]一种复合绝缘层及其制备方法-CN202211348928.X在审
发明人：李鹏飞;李晓;张宗波;吴彬;徐彩虹;黄文文 -专利权人：中国科学院化学研究所;中国科学院高能物理研究所;散裂中子源科学中心
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明公开一种复合绝缘层及其制备方法，其特征在于，复合绝缘层的制备方法，包括：提供基材；将聚硅氮烷、第一催化剂加入到第一有机溶剂中，得到聚硅氮烷溶液；将聚硅硼碳氮、第二催化剂加入到第二有机溶剂中，得到聚硅硼碳氮溶液；将聚硅氮烷溶液转移到所述基材上，表干后，形成聚硅氮烷层；将聚硅硼碳氮溶液转移到所述聚硅氮烷层上，表干后，形成聚硅硼碳氮层；然后置于在预设条件下，并在第一催化剂和第二催化剂的作用下，反应预设时间；在基材上得到所述复合绝缘层
一种复合绝缘及其制备方法

[发明专利]一种表面渗氮或渗硼处理的硬质合金基体聚晶立方氮化硼复合片及其制备方法-CN202010502238.X在审
发明人：秦家千;李拥军;王福龙 -专利权人：河南领科材料有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C04B35/5835 文献下载
摘要：本发明提供一种表面渗氮或者渗硼处理的碳化钨硬质合金替代传统硬质合金作为基体制备一种聚晶立方氮化硼复合片。表面渗氮或者渗硼时钴在硬质合金表面同硼会形成钨‑碳‑钴‑氮或者钨‑碳‑钴‑硼系化合物层,从表层到硬质合金的硬度成梯度变化，逐渐变小。以表面渗氮或者渗硼的硬质合金作为聚晶立方氮化硼基体时，表层碳化物的硬度接近立方氮化硼层硬度，因此界面应力较小，改善聚晶立方氮化硼复合片脱层问题。同时，表面渗氮或者渗硼层在聚晶立方氮化硼复合片高温高压烧结过程中，能有效阻挡硬质合金中粘结相钴向立方氮化硼层扩散，降低立方氮化硼层金属含量，使得表面渗氮硬质合金基体聚晶立方氮化硼复合片提高复合片热稳定性
一种表面处理硬质合金基体立方氮化复合及其制备方法

[发明专利]吸波型SiBCN纳米纤维及其制备方法-CN202110085694.3有效
发明人：李达鑫;陈庆庆;贾德昌;杨治华;蔡德龙;周玉;高巍 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： D01F9/10 文献下载
摘要：所述吸波型SiBCN纳米纤维微观相结构由碳化硅相、自由碳相和硅硼碳氮非晶基体相组成，所述碳化硅相和所述自由碳相分散在所述硅硼碳氮非晶基体相中。本发明的SiBCN纳米纤维中的SiBCN非晶基体相为电绝缘基体，具有优异的透波性能，而SiC相和自由碳相具有良好的介电性能，可改善SiBCN纳米纤维与自由空间之间的阻抗失配，使得入射的电磁波会尽可能多地由空气介质渗透到而且均匀分布在电绝缘基体中的由SiC相和自由碳相组成的导电相可以进一步调节材料的介电常数，引起较高的介电损耗以增强SiBCN纳米纤维的电磁波吸收能力。
吸波型 sibcn 纳米纤维及其制备方法

[实用新型]一种非晶硅薄膜太阳能电池芯板-CN201320701823.8有效
发明人：王芸;马立云;崔介东 -专利权人：蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非晶硅薄膜太阳能电池芯板，包括依次连接的衬底层、AZO薄膜层、P型非晶硅碳薄膜层、I型非晶硅薄膜层、N型非晶硅薄膜层、氧化锌薄膜层、铝薄膜层，所述衬底层采用硼硅磷酸盐玻璃。本实用新型结构能更好地透过紫外光线，使得非晶硅薄膜可以吸收紫外光子的能量，并将光能转换为电能，提高非晶硅薄膜太阳能电池的光电转换效率。
一种非晶硅薄膜太阳能电池

[发明专利]一种调控硼碳氮薄膜中氮化硼晶体生长的方法-CN201910147275.0有效
发明人：殷红;李宇婧;高伟 -专利权人：吉林大学
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜材料领域，提供了一种调控硼碳氮薄膜中氮化硼晶体生长的方法，包括以下步骤：(1)提供分布有金刚石籽晶的基底；(2)在基底的金刚石籽晶表面进行磁控溅射，得到含有氮化硼晶体的硼碳氮薄膜；所述步骤(2)中磁控溅射的靶材为含碳的氮化硼靶。本发明在金刚石籽晶预处理过的基底上生长硼碳氮薄膜，促进了薄膜中氮化硼纳米晶的生长，提高了硼碳氮薄膜的结晶度和薄膜中氮化硼的成分，为硼碳氮薄膜的生长提供了重要的实验依据，为硼碳氮薄膜在工业领域内的应用提供了新的方法
硼碳氮薄膜氮化硼晶体金刚石籽晶生长基底磁控溅射氮化硼薄膜预处理氮化硼纳米薄膜材料工业领域应用提供结晶度靶材调控

[发明专利]立方晶氮化硼烧结体以及切削工具-CN202080051120.8在审
发明人：岡村克己;雨宫麻佑;石井显人;出口裕佳;久木野晓 -专利权人：住友电气工业株式会社;住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C04B35/5831 文献下载
摘要：立方晶氮化硼烧结体包含立方晶氮化硼颗粒、结合相以及夹杂相。夹杂相夹杂于立方晶氮化硼颗粒与结合相之间。夹杂相包含铝、氮、硼以及氧。夹杂相中所含的铝的原子浓度的平均值与夹杂相中所含的氮的原子浓度的平均值的合计为50.0原子％以上。夹杂相中所含的氮的原子浓度的平均值与夹杂相中所含的硼的原子浓度的平均值之比超过1.00。
立方氮化烧结以及切削工具

[发明专利]一种陶瓷基复合材料及其制备方法和应用-CN202110917016.9在审
发明人：李爱军;康治伟;李志伟;魏子涵;茅思佳;刘瑶瑶;贾林涛;彭雨晴 -专利权人：上海大学绍兴研究院;上海大学
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明提供了一种陶瓷基复合材料，包括纤维增强硅硼碳氮基体和沉积在所述纤维增强硅硼碳氮基体表面的碳化硅保护层。本发明提供的陶瓷基复合材料包含沉积在纤维增强硅硼碳氮基体表面的碳化硅保护层，所述碳化硅保护层中的硅在高温有氧环境下生成较厚的二氧化硅以隔绝外部氧气，保护内部的纤维增强硅硼碳氮基体，从而提高陶瓷基复合材料在高温
一种陶瓷复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种铝-二硼化钛-磷中间合金及其制备方法-CN201910502410.9有效
发明人：汪明亮;卞泽宇;陈东;王鹏举;王浩伟 -专利权人：上海交通大学;安徽相邦复合材料有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝‑二硼化钛‑磷中间合金及其制备方法，包含铝元素、钛元素、磷元素及硼元素，各组分的质量百分数为：钛元素1.4‑5.8％，磷元素2.0‑6.0％，硼元素0.7‑2.8％，其余为铝元素。本发明技术方案的铝‑二硼化钛‑磷中间合金作为高效初晶硅变质剂，对共晶与过共晶铝‑硅合金中硅相起到明显细化作用并有效提高合金综合力学性能，本发明提供的铝‑二硼化钛‑磷中间合金的制备方法操作方便、价格低廉，
一种二硼化钛中间合金及其制备方法

[发明专利]一种改善晶格失配的硼铝氮/金刚石二维电子气异质结结构及其制备方法-CN202310027177.X在审
发明人：张金风;杨智清;苏凯;何琦;任泽阳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善晶格失配的硼铝氮/氮终端金刚石二维电子气异质结结构的制备方法，包括以下步骤：获取111面单晶硅衬底；在111面单晶硅衬底上外延生长单晶氮化硼过渡层；在单晶氮化硼过渡层表面生长金刚石外延层；对金刚石外延层表面进行氮终端处理，形成氮终端表面；在氮终端表面上外延生长具有施主杂质掺杂的Al面极性纤维锌矿结构的单晶硼铝氮，形成硼铝氮外延层，以形成硼铝氮/氮终端金刚石二维电子气异质结。本发明的制备方法突破了高质量金刚石衬底的尺寸限制，有效缓解了金刚石上硼铝氮在外延过程中的晶格畸变，减少形成的异质结界面处的表面态与悬挂键，提高了金刚石异质结的质量。
一种改善晶格失配硼铝氮金刚石二维电子气异质结结构及其制备方法

[发明专利]一种碳纤维强化硅硼碳氮基陶瓷复合材料及其制备方法-CN202110521747.1在审
发明人：胡艳志;李爱军;王绪超;俞茂兰;康志伟;贾林涛;徐海明 -专利权人：尚辰（浙江绍兴）复合材料科技有限公司;上海大学绍兴研究院;福建尚辰复合材料科技有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳纤维强化硅硼碳氮基陶瓷复合材料及其制备方法，涉及陶瓷复合材料技术领域。本发明提供的复合材料包括硅硼碳氮陶瓷基体和复合在所述硅硼碳氮陶瓷基体中的碳纤维预制体；所述硅硼碳氮陶瓷基体掺杂有碳化硅粉末，所述碳纤维预制体的纤维表面沉积有碳化硅涂层。本发明通过碳化硅粉末对硅硼碳氮陶瓷基体进行掺杂，提高基体中硅元素的占比，使得外层基体在与氧气接触中可生成更厚、更稠密的二氧化硅保护层；通过在碳纤维表面沉积碳化硅涂层对暴露于氧气中的碳纤维进行保护，进而在高温环境下能够保持住材料的整体性能
一种碳纤维强化硅硼碳氮基陶瓷复合材料及其制备方法

[发明专利]具有超硬镀膜的模具-CN200410027631.9无效
发明人：简士哲 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2004-06-07 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： C23C16/22 文献下载
摘要：该超硬薄膜由非晶质硼碳氮材料基体及分布于其中的立方晶氮化硼纳米微粒及金刚石碳纳米微粒构成。因非晶质硼碳氮材料具有润滑性，故有利于脱模；而立方晶氮化硼纳米微粒及金刚石碳纳米微粒之粒径是纳米级，且硬度极高，可提高模压面的机械强度。该超硬薄膜还可防止模仁基体的金属元素扩散。
具有镀膜模具

[发明专利]一种含纳米硅硼氮碳陶瓷颗粒的硅橡胶复合材料及其制备方法-CN201610315730.X在审
发明人：余木火;刘勇;黄先华;韩克清;张晨宇;王书豪;常雪峰 -专利权人：东华大学
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种含纳米硅硼氮碳陶瓷颗粒的硅橡胶复合材料及其制备方法，所述复合材料按质量百分比包括：硅橡胶60‑80％、纳米硅硼氮碳陶瓷颗粒10‑30％、硫化剂0.5‑2％、白炭黑10‑30％，各组分质量百分数之和为制备方法包括：将硅橡胶进行塑练，然后依次加入白炭黑、硅硼氮碳陶瓷颗粒进行混炼，混合均匀，再加入硫化剂进行混炼，得到混炼胶；将混炼胶进行热压，得到硫化胶；将硫化胶于180～200℃恒温3‑5h，即得含纳米硅硼氮碳陶瓷颗粒的硅橡胶复合材料
一种纳米硅硼氮碳陶瓷颗粒硅橡胶复合材料及其制备方法