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- [发明专利]静电吸附装置-CN200710105051.0无效
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狩野正树;山村和市
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信越化学工业株式会社
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2007-05-22
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2007-11-28
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H01L21/683
- 本发明是一种静电吸附装置，其用来吸附半导体晶圆、玻璃基板等被吸附物，其特征为：形成有一绝缘层，其覆盖形成于支持基板一面上的静电吸附用电极，且作为吸附上述被吸附物的吸附面，该绝缘层是由含有碳，且含有自硅、铝、钇以及钛选出1种或2种以上的元素，且维氏硬度在Hv50～1000的热分解氮化硼所构成。本发明之静电吸附装置，在将硅晶圆或玻璃基板等被吸附物，以静电吸附于静电吸附装置载置面上，并进行加热、冷却时，能够防止晶圆吸附面或静电吸附装置载置面产生损伤，且对氟系半导体清洗气的耐蚀性优异，使用寿命增长
- 静电吸附装置
- [发明专利]高硅铝比硼‑钠Y型分子筛的制备方法-CN201711015831.6在审
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李长英
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陕西聚洁瀚化工有限公司
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2017-10-25
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2018-04-20
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C01B39/24
- 本发明公开一种高硅铝比硼‑钠Y型分子筛的制备方法，包括以下步骤（1）将偏硅酸钠、偏铝酸钠、氢氧化钠、水混合，然后在25‑50℃下老化4h，得到晶化导向剂；（2）取偏硅酸钠，加入到水中，然后加入质量浓度为20%的酸，然后加热，静置3h，超声分散，得到处理后的偏硅酸钠；（3）将晶化导向剂、处理后的偏硅酸钠、硫酸铝、NaBO2·4H2O、水混合，形成凝胶；（4）将凝胶转移到带内衬聚四氟乙烯杯子的高压不锈钢反应釜中，在100℃下静态晶化，冷却至室温；（5）离心分离，用去离子水洗涤，烘干干燥。本发明得到硼‑钠Y型分子筛（B‑NaY分子筛）硅铝比和结晶度高，而且诱导周期短，晶化速率快。
- 高硅铝分子筛制备方法
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