专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶片储存器-CN201980078149.2在审
  • 谷山育志;河合俊宏 - 昕芙旎雅有限公司
  • 2019-11-25 - 2021-07-23 - H01L21/673
  • 提供了一种可以进一步改善晶片周围的气氛的晶片储存器。晶片储存器(X)包括:壳体(1),设置在壳体(1)的前表面上的装载装置(2),设置在壳体(1)中的晶片盒架子(3),用于将晶片从安装在装载装置(2)上的搬运容器中搬入晶片盒架子(3)上的晶片盒(C)中和从该晶片盒(C)中搬出的晶片搬运机器人(4),用于使晶片盒架子(3)上的晶片盒(C)移动到不同高度的晶片盒搬运装置(5),以及用于在晶片搬运空间和晶片盒搬运空间中产生层流的风扇过滤器单元(8)。
  • 晶片储存器
  • [发明专利]半导体封装与其制造方法-CN201611225737.9有效
  • 林柏均 - 南亚科技股份有限公司
  • 2016-12-27 - 2020-10-02 - H01L23/31
  • 本发明公开了一种半导体封装与其制造方法,半导体封装包含封装基板、第一半导体晶片、第二半导体晶片与上中介层。第一半导体晶片与第二半导体晶片置于封装基板上。上中介层电性连接至第一半导体晶片与第二半导体晶片。第一半导体晶片与第二半导体晶片置于封装基板与上中介层之间。因上中介层连接半导体晶片,使得一个半导体晶片可通过上中介层而电性连接至另一个半导体晶片。亦即,上中介层在半导体晶片之间提供晶片晶片的连接。
  • 半导体封装与其制造方法
  • [发明专利]晶片装载室及其晶片载具-CN200510004617.1无效
  • 王民旭 - 联华电子股份有限公司
  • 2005-01-14 - 2006-07-19 - H01L21/68
  • 一种晶片装载室包括一装载室壳体,其具有至少一负载口、至少一负载门,设置于装载室壳体外侧以及至少一晶片载具,设于装载室壳体内,用以承载晶片。其中,晶片载具还包括至少一晶片座以及多个定位装置,设于晶片座上并突出于晶片座表面。当晶片置于晶片载具上时,晶片底表面仅与等定位装置相接触。本发明还涉及一种晶片载具。
  • 晶片装载及其
  • [发明专利]晶片支承玻璃-CN200880019324.2有效
  • 西井由和 - 豪雅冠得股份有限公司
  • 2008-05-27 - 2010-03-24 - H01L21/683
  • 本发明提供一种晶片支承玻璃,由具备可挠性的玻璃板(GP)构成,通过粘合而支承半导体晶片(SW),并且能够从半导体晶片上剥离。玻璃板(GP)为粘合在半导体晶片(SW)上而支承该半导体晶片晶片支承玻璃。为了将粘合在半导体晶片(SW)上的晶片支承玻璃剥离,晶片支承玻璃弯曲规定角度以上。晶片支承玻璃弯曲30度以上时,无需对半导体晶片施加大的力即能剥离。
  • 晶片支承玻璃
  • [发明专利]在光刻装置中交换晶片的方法-CN201310378980.4在审
  • 吉多·德布尔;米歇尔·彼得·丹斯贝格;彼得·克勒伊特 - 迈普尔平版印刷IP有限公司
  • 2008-07-11 - 2013-12-18 - H01L21/687
  • 本发明涉及在光刻装置中交换晶片(1)的方法。所述光刻装置具有在真空下操作的条件,所述方法包括:将所述晶片(1)放置在晶片工作台(8)上的步骤,将所述晶片工作台(8)和所述晶片(1)插入所述光刻装置的后续步骤(IT),处理所述晶片(1)的步骤(PW),从所述光刻装置移除所述晶片工作台(8)和所述晶片(1)的步骤(RT),将所述晶片(1)从所述晶片工作台(8)上分离的步骤(DW),以及为了在所述光刻装置内交换所述晶片(1)的目的,将所述晶片工作台(8)与另一个晶片工作台进行交换的步骤,以及处理所述光刻装置外侧的所述晶片工作台(8)的步骤,其中,在该处理中,所述晶片工作台(8)的温度是可调节的。
  • 光刻装置交换晶片方法
  • [发明专利]晶片筛选方法-CN202111547477.8在审
  • 曹谢元;吴苑 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2021-12-16 - 2022-03-29 - H01L21/67
  • 一种晶片筛选方法,包括:提供待封装晶圆,所述待封装晶圆包括若干晶片;对若干所述晶片进行失效检测,在所述若干晶片中获取第一失效晶片和初始通过晶片;获取所述初始通过晶片在待封装晶圆中的第一位置信息;对若干所述晶片进行风险检测,在所述若干晶片中获取第一风险晶片;获取第一风险晶片在所述待封装晶圆中的第二位置信息;当所述第一风险晶片在所述待封装晶圆中的第二位置信息与初始通过晶片在待封装晶圆中的第一位置信息相同时,标记所述初始通过晶片为第二失效晶片
  • 晶片筛选方法
  • [发明专利]贴合晶片的加工方法-CN202310005504.1在审
  • 藤村圣 - 株式会社迪思科
  • 2023-01-04 - 2023-07-25 - H01L21/02
  • 本发明提供贴合晶片的加工方法,在以通过对支承晶片的背面进行吸引而保持着贴合晶片的状态对晶片进行了切削之后以同样的状态对晶片的背面侧进行磨削时,能够防止在该晶片的背面上形成凹痕且/或使该晶片破损。在以通过对支承晶片的背面进行吸引而保持着贴合晶片的状态对晶片进行切削的切削步骤与以同样的状态对晶片的背面侧进行磨削的磨削步骤之间,进行对支承晶片的背面进行清洗的清洗步骤。由此,能够在磨削步骤之前的清洗步骤中将附着于支承晶片的背面的切削屑冲掉。其结果是,能够防止在磨削步骤中在晶片的背面上形成凹痕且/或使晶片破损。
  • 贴合晶片加工方法
  • [发明专利]有源区衬垫氧化前的晶片预清洗方法-CN201310113447.5有效
  • 胡春周;刘焕新;袁竹根 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-04-02 - 2018-02-13 - H01L21/67
  • 本发明提供一种有源区衬垫氧化前的晶片预清洗方法,至少包括以下步骤提供一晶片,将所述晶片置于反应腔内;先在所述晶片上喷洒O3的水溶液以去除所述晶片上的有机杂质并在所述晶片上形成氧化层;然后在所述晶片上喷洒稀释的氢氟酸以溶解所述氧化层并去除所述晶片上的杂质颗粒;接着在所述晶片上喷洒O3的水溶液以在所述晶片上再次形成氧化层;最后在所述晶片上喷洒SC1溶液以进一步去除所述晶片上的杂质颗粒。本发明的有源区衬垫氧化前的晶片预清洗方法能够大幅提高晶片的清洁度,有利于产品良率的提升,并显著降低晶片清洗成本。
  • 有源衬垫氧化晶片清洗方法
  • [发明专利]校正系统、校正方法与晶片-CN200910164459.4有效
  • 曾国书;宋易偿;曹家齐;林志哲 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2009-08-05 - 2010-09-15 - H01L21/68
  • 一种校正系统、校正方法与晶片盒,用以校正包括晶片输送叶片的晶片输送系统的晶片对位,校正方法包括提供具有多个水平方向的晶片插槽的晶片盒,其中晶片插槽的每一个包括多个对侧沟槽,并且每一对侧沟槽包括上表面、侧表面,以及下表面;将导电材料安置于晶片插槽的第一晶片插槽的对侧沟槽的每一上述上表面上,导电材料用以与检测器进行电性通信,而检测器用以检测晶片何时接触到导电材料;将放置于晶片输送叶片之上的晶片输送至第一晶片插槽中;以及判断在第一晶片插槽内的晶片是否对位不准。
  • 校正系统方法晶片

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