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[实用新型]具有抗菌功能的非晶态合金制成的可穿戴设备-CN201621111480.X有效
发明人：黄利敏 -专利权人：东莞市坚野材料科技有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有抗菌功能的非晶态合金制成的可穿戴设备，所述具有抗菌功能的非晶态合金制成的可穿戴设备包括功能件和设置于所述功能件外侧并包覆所述功能件的非晶态合金外壳；所述功能件用于实现具有抗菌功能的非晶态合金制成的可穿戴设备的使用功能，包覆所述功能件的所述非晶态合金外壳用于隔阻所述功能件与用户直接接触。与现有技术相比，本实用新型提供的一种具有抗菌功能的非晶态合金制成的可穿戴设备，由于设置有非晶态合金外壳，并通过该非晶态合金外壳包覆功能件，使得功能件不与用户接触，而由非晶态合金外壳与用户直接接触，基于该非晶态合金具有的具有抗菌功能
具有抗菌功能非晶态合金制成穿戴设备

[发明专利]非晶态金属薄带、其加工方法和层叠体的制造方法-CN201980027450.0有效
发明人：太田元基 -专利权人：株式会社博迈立铖
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B21D28/02 文献下载
摘要：本发明提供能够在非晶态金属薄带的机械加工中，抑制在非晶态金属薄带产生裂纹或裂缝的方法。本发明的一种非晶态金属薄带的加工方法在使上述非晶态金属薄带振动后进行机械加工或一边使其振动一边进行机械加工。具体而言，在上述非晶态金属薄带的加工方法中，上述非晶态金属薄带具有1ppm以上的饱和磁致伸缩，上述振动为上述非晶态金属薄带的磁致伸缩引起的振动。或者对于上述非晶态金属薄带，对利用加工工具局部地施加了振动的部分进行机械加工。
晶态金属加工方法层叠制造

[发明专利]一种对尼龙聚集态结构转变的控制方法-CN201710296870.1有效
发明人：熊传溪;刘鸣;王梦奎;李传斌;杨全岭;孙芬 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C08L77/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种对尼龙聚集态结构转变的控制方法，其步骤如下：将非晶态的尼龙/CaCl₂复合材料压延成膜得到非晶态的尼龙/CaCl₂薄膜，然后将所得尼龙/CaCl₂薄膜用锂离子溶液或2‑氯乙醇浸泡处理得到结晶态的尼龙/CaCl₂共混材料，或直接将非晶态的尼龙/CaCl₂复合材料粉碎后用锂离子溶液或2‑氯乙醇浸泡处理得到结晶态的尼龙/CaCl₂共混材料。本发明采用较为简便的方法实现尼龙材料在晶态到非晶态之间的自由转变，制备得到的晶态和非晶态复合材料具有良好的聚集态结构，在包装、信息技术和光学材料等领域具有广泛的应用前景。
一种尼龙聚集结构转变控制方法

[发明专利]一种用于超级电容器的晶态-非晶态MoO3-CN202010376302.4有效
发明人：姜晶;胡娅林;李志鹏;何欣芮;牛夷;周婷;王超 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于超级电容器的晶态‑非晶态MoO3@Ni3S2材料的制备方法该材料为晶态‑非晶态MoO3@Ni3S2材料，是晶态的MoO3、非晶态的Ni3S2、泡沫镍的混合物，以泡沫镍为自支撑基底和镍源，再起表面原位生成晶态Ni3，获得晶态‑非晶态MoO3@Ni3S2材料，晶态Ni3S2纳米薄片阵列排布于泡沫镍为自支撑基底表面，非晶态的MoO3
一种用于超级电容器晶态 moo base sub

[发明专利]光电转换元件-CN201680052868.3有效
发明人：国吉督章;东贤一;神川刚;原田真臣;酒井敏彦;辻埜和也;邹柳民 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：光电转换元件(10)包括：半导体基板(1)；在半导体基板(1)上形成的本征非晶态半导体层(3)；在本征非晶态半导体层(3)上形成的包含磷作为掺杂物的n型非晶态半导体层(4)；以及在面内方向上与n型非晶态半导体层(4)相邻地形成的包含硼作为掺杂物的p型非晶态半导体层(5)。n型非晶态半导体层(4)在与p型非晶态半导体层(5)相邻的面具有膜厚减少区域TD(n)，p型非晶态半导体层(5)在与n型非晶态半导体层(4)相邻的面具有膜厚减少区域TD(p)。p型非晶态半导体层(5)的膜厚减少区域TD(p)的倾斜角度比n型非晶态半导体层(4)的膜厚减少区域TD(n)的倾斜角度更陡峭。
光电转换元件包括太阳能电池模块太阳光发电系统

[发明专利]确定液晶态接枝高分子的相变行为相关参数的方法和设备-CN201510810300.0在审
发明人：邱东;汤九洲 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明提供了确定液晶态接枝高分子的相变行为相关参数的方法和设备，所述方法包括：(1)确定液晶态接枝高分子的初始力场函数；(2)使液晶态接枝高分子在三维空间内发生连续构象变化至液晶态接枝高分子呈热力学平衡状态；(3)确定液晶态接枝高分子的密度分布函数；(4)确定液晶态接枝高分子的当前力场函数；(5)确定当前力场函数的自洽收敛性；(6)确定液晶态接枝高分子的相变相关参数。该方法可以高效地生成大量的统计抽样样本，直接对高分子构象进行统计采样，获得微观结构信息，快速地将液晶态接枝高分子演化到热力学平衡态，以及较为精确地计算液晶态接枝高分子的热力学量和序参量，并获取液晶态接枝高分子的相变相关参数
确定液晶接枝高分子相变行为相关参数方法设备

[发明专利]一种相变存储器读出电路及方法-CN201610242426.7有效
发明人：雷宇;陈后鹏;李喜;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器读出电路及方法，包括存储数据的目标相变存储单元阵列；非晶态参考相变存储单元列；晶态参考相变存储单元列；以及灵敏放大器。初始阶段，将非晶态参考相变存储单元置为非晶态，将晶态参考相变存储单元列置为晶态；选中一个目标相变存储单元、一个非晶态相变存储单元以及一个晶态相变存储单元，其信号输出至灵敏放大器；灵敏放大器以非晶态相变存储单元和晶态相变存储单元的读电流为基准产生参考电流
一种相变存储器读出电路方法

[发明专利]一种以矿物为原料制备介孔碳的方法-CN202110791533.6有效
发明人：王先广;杜高翔;唐绍文;李冬梅;李艳红 -专利权人：江西省矿产资源保障服务中心;北京依依星科技有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：提供了一种以新型矿物为原料制备介孔碳的方法，新型矿物包括晶态组分和非晶态组分，晶态组分占矿物质量分数的78.61％，非晶态组分占矿物质量分数的21.39％；晶态组分包括石英、黄铁矿、高岭石和云母，石英占所述晶态组分质量分数的91％；非晶态物质包括水、单质碳和有机物，单质碳占所述非晶态组分质量分数的95.1％；本发明的方法包括用氢氟酸去除新型矿物中的晶态组分的步骤。
一种矿物原料制备介孔碳方法

[发明专利]锂过渡金属氧化物消除残锂的方法及其应用-CN202010668864.6有效
发明人：李斌;阮丁山;毛林林;李玲;吴星宇;李长东 -专利权人：广东邦普循环科技有限公司;湖南邦普循环科技有限公司;湖南邦普汽车循环有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C01G45/12 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：将吸锂剂覆于锂过渡金属氧化物，热处理形成非晶态表面层；非晶态表面层经晶化处理转化为晶态表面层；吸锂剂包括非晶态物质。该方法至少具有如下有益效果：非晶态物质覆于锂过渡金属氧化物后，在热处理条件下具有很强的结合残锂的倾向，能够大幅降低材料表面的残锂含量，同时通过吸收表面残锂避免锂损失导致容量的下降。随后，由非晶态向晶态转变，使晶格更加完整，避免因非晶态长程无序的亚稳态在向晶态转化过程中的能量释放导致材料表面结构的损坏，以及由此带来的电池衰减问题，有效保证材料的电化学性能不因消除表面残锂而导致下降。
过渡金属氧化物消除方法及其应用

[发明专利]晶态合金球形粒子/非晶态合金基复合材料及其制备方法-CN200710010037.2无效
发明人：何杰;赵九洲;张显飞 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2007-01-12 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：本发明属于非晶复合材料设计与制备技术，具体为一种晶态合金球形粒子/非晶态合金基复合材料及其制备方法，解决非晶态合金的塑性很差等问题。晶态合金球形粒子/非晶态合金基复合材料包括合金元素M和N形成的难混溶合金M－N，以及添加的其他合金元素，添加的其他合金元素与合金元素M混溶形成非晶态合金基体结构，合金元素N以晶态合金球形粒子形式弥散分布于非晶态合金基体中其中一液相L₂以球形液滴形式分布于另一液相L₁基体中；在随后快速冷却过程中，基体液相L₁发生玻璃转变，凝固后球形粒子弥散分布于基体中，形成晶态球形粒子/非晶态合金基体型复合材料。
晶态合金球形粒子非晶态合金复合材料及其制备方法

[发明专利]非晶态合金球形粒子/晶态合金基复合材料及其制备方法-CN200710010038.7无效
发明人：何杰;赵九洲;刘俊 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2007-01-12 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：本发明属于非晶复合材料设计与制备技术，具体为一种非晶态合金球形粒子/晶态合金基复合材料及其制备方法，解决增大晶态合金基体强度等问题。非晶态合金球形粒子/晶态合金基复合材料包括合金元素M和N形成的难混溶合金M－N，以及添加的其他合金元素，添加的其他合金元素与合金元素N混溶形成富N非晶态球形粒子，富N非晶态球形粒子弥散分布于富M晶态合金基体中其中一液相L₂以球形液滴形式分布于另一液相L₁基体中；在随后快速冷却过程中，液相L₂发生玻璃转变，凝固后球形粒子弥散分布于基体中，形成非晶态球形粒子/晶态合金基体型复合材料。
非晶态合金球形粒子晶态合金复合材料及其制备方法

[发明专利]一种锆基非晶态合金改性切割钢线-CN201110182173.6有效
发明人：励征 -专利权人：蒙特集团（香港）有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶态改性切割钢线，由金属线及包覆在金属线外表面的非晶态合金层组成，该非晶态合金为锆基非晶态合金。该切割钢线的硬度高，磨损少，断线率低。
一种非晶态合金改性切割

[发明专利]壳体及其制造方法-CN201110081194.9无效
发明人：张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;马楠 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供一种壳体，该壳体包括铝或铝合金基体及形成于该铝或铝合金基体上的复合防护层，所述复合防护层包括二晶态薄膜层及一非晶态薄膜层，所述非晶态薄膜层形成于二晶态薄膜层之间，所述晶态薄膜层直接与铝或铝合金基体结合
壳体及其制造方法

[发明专利]一种采用非晶态合金粉末制备块体非晶态合金的方法-CN201510103186.8在审
发明人：刘祖铭;黄立清;李飞 -专利权人：中南大学
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用非晶态合金粉末制备块体非晶态合金的方法，属于金属玻璃和粉末冶金材料领域。其方法是将雾化非晶态合金粉末进行球磨改性处理后，于0.5Tg温度以下固结成形，即制得密度可达95％的完全非晶合金，Tg为非晶态合金的玻璃转变温度。本发明所制备的块体材料保持了粉末状态的非晶态结构，工艺、设备简单，操作方便，不受合金体系的非晶形成能力限制，可以制备大尺寸、复杂形状的块体非晶态合金及结构构件；可实现非晶态合金的规模化制备和应用。
一种采用非晶态合金粉末制备块体方法

[发明专利]SiCN陶瓷无线无源谐振腔式压力传感器及其制备方法-CN201711376686.4在审
发明人：余煜玺;刘熠新;余洪哿 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：SiCN陶瓷无线无源谐振腔式压力传感器设有非晶态SiCN陶瓷压力片、非晶态SiCN陶瓷环片、非晶态SiCN陶瓷底座、贴片天线、耦合槽天线和空气谐振腔；所述非晶态SiCN陶瓷压力片、非晶态SiCN陶瓷底座表面和非晶态SiCN陶瓷环片内表面涂有金属层，金属层形成谐振腔，贴片天线设在非晶态SiCN陶瓷压力片顶部，耦合槽天线设在谐振腔上表面，谐振腔通过耦合槽天线与贴片天线耦合，贴片天线与共面波导线耦合。
非晶态谐振腔陶瓷压力传感器贴片天线无线无源压力片耦合槽天线陶瓷底座陶瓷环片耦合金属层制备空气谐振腔波导线内表面上表面